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先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換 Q4全球DRAM市場(chǎng)趨向供過于求
- Digitimes Research分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)閉不具效益廠房等策略，此舉亦讓自2006年以來全球DRAM產(chǎn)業(yè)擴(kuò)廠競(jìng)賽劃下句點(diǎn)。 正因產(chǎn)能擴(kuò)充有限，并伴隨2009年第1季全球景氣見到最低點(diǎn)且逐季好轉(zhuǎn)，全球DRAM需求量亦同步擴(kuò)張，使得長(zhǎng)年下跌的DRAM報(bào)價(jià)亦在2009年得以止跌回升。 于此同時(shí)，全球DRAM市場(chǎng)的
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM
力晶半導(dǎo)體：DRAM芯片價(jià)格8月回漲
- 內(nèi)存價(jià)格最近是一路下滑，特別是已經(jīng)失去主流地位的DDR2。不過力晶半導(dǎo)體董事長(zhǎng)黃崇仁近日就表示，DRAM芯片價(jià)格將在8月份反彈，價(jià)格回漲，十一月份和十二月份可能會(huì)受季節(jié)性銷售因素影響再度下滑。 黃崇仁稱，DRAM芯片近期的價(jià)格下滑是由于市場(chǎng)需求過低導(dǎo)致，并不是芯片供應(yīng)商之間的價(jià)格戰(zhàn)引起，而且他還認(rèn)為，PC OEM廠商為了降低生產(chǎn)成本，降低了一些產(chǎn)品的存儲(chǔ)容量，從而影響了市場(chǎng)需求。 他還對(duì)未來2-3年的DRAM持樂觀態(tài)度，不過認(rèn)為芯片容量的上升對(duì)產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的促進(jìn)有限。 此外黃崇仁還表
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM 內(nèi)存價(jià)格
誰是下一個(gè)奇夢(mèng)達(dá)？
- 近期韓系DRAM大廠──三星、海力士先后宣布上調(diào)2010年資本支出，手筆之大令人驚愕。三星將對(duì)芯片業(yè)務(wù)支出20萬億韓元(約合177億美元)，該數(shù)字是此前支出計(jì)劃的兩倍多;海力士也將資本支出提高了三分之一，達(dá)到3.05萬億韓元(約合27億美元)。預(yù)計(jì)這些支出中將有相當(dāng)一部分進(jìn)入DRAM業(yè)務(wù)。 2007年以來，DRAM市場(chǎng)開始了一段令廠商苦不堪言的低迷期，直到2009年第一季度見底。此間曾排名第三的DRAM大廠奇夢(mèng)達(dá)轟然倒塌，令業(yè)界震驚扼腕。市場(chǎng)低迷的根本原因是產(chǎn)能過剩、供過于求。2006年市場(chǎng)獲得
- 關(guān)鍵字： 奇夢(mèng)達(dá) DRAM
Immersion機(jī)臺(tái)缺貨 臺(tái)DRAM廠改采購舊機(jī)種應(yīng)急
- 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走入50奈米制程后，浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)(Immersion Scanner)出現(xiàn)大缺貨，尤其是最新款的NXT:1950i機(jī)種上，交期幾乎拉到快12個(gè)月，使得2010年才下訂單的臺(tái)系DRAM廠苦等多時(shí);存儲(chǔ)器業(yè)者透露，爾必達(dá)(Elpida)陣營開始轉(zhuǎn)向采購舊機(jī)種XT:1950i應(yīng)急。然美光(Micron)陣營則認(rèn)為，舊機(jī)種頂多用到40奈米制程就是極限，不像新機(jī)種NXT:1950i可以一路做到30奈米。 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在進(jìn)入50奈米以下制程，都必須開始用Immersion Scanner，此機(jī)
- 關(guān)鍵字： Elpida DRAM 50奈米
ASML整合微影方案獲意法采用
- 受惠于晶圓代工與DRAM廠推出先進(jìn)制程，對(duì)浸潤(rùn)式顯影機(jī)臺(tái)需求大增，讓半導(dǎo)體設(shè)備大廠艾斯摩爾(ASML)2010年接單暢旺，隨著半導(dǎo)體制程推進(jìn)5x奈米以下先進(jìn)制程，制程復(fù)雜度大增，亦需加緊提高量良率，讓ASML甫于2009年推出的整合微影技術(shù)(Holistic Lithography)系列產(chǎn)品，已獲得意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)采用于28奈米制程。 ASML指出，隨著半導(dǎo)體制程推進(jìn)到50x奈米以下制程，業(yè)者投入的經(jīng)費(fèi)越來越高昂，生產(chǎn)時(shí)程亦拉得更長(zhǎng)，良率更難提升，制程容許度(p
- 關(guān)鍵字： ASML DRAM 晶圓代工
第三季度DRAM價(jià)格或下滑
- 據(jù)韓國ET NEWS報(bào)導(dǎo)，過去1年2個(gè)月期間呈現(xiàn)上升趨勢(shì)的DRAM價(jià)格，可能將再度下滑。預(yù)期第3季DRAM價(jià)格將小幅下滑后止跌，但第4季將會(huì)有大幅的下滑趨勢(shì)。雖韓國企業(yè)的凈利也將減少，但對(duì)臺(tái)灣企業(yè)打擊可能更大。 據(jù)相關(guān)業(yè)者及證券師指出，自2009年4月持續(xù)上升的DRAM價(jià)格進(jìn)入第3季后可能會(huì)有 5%的價(jià)格下滑。業(yè)界相關(guān)人員表示，第3季DRAM價(jià)格依據(jù)PC業(yè)者的調(diào)降要求，可能會(huì)有5%的下滑，但DRAM供貨貨量有限制，因此下滑幅度應(yīng)不大。 摩根大通(JP Morgan Chase &
- 關(guān)鍵字： 海力士 DRAM 40納米
爾必達(dá)赴臺(tái)設(shè)NAND Flash研發(fā)中心
- 據(jù)了解，日商爾必達(dá)已決定來臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心，且選定投入高階技術(shù)NAND Flash領(lǐng)域。爾必達(dá)來臺(tái)投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺(tái)幣，未來將與力晶等日系半導(dǎo)體業(yè)者進(jìn)一步合作。 據(jù)悉，爾必達(dá)與臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達(dá)與臺(tái)灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達(dá)互動(dòng)密切，爾必達(dá)已于日前向經(jīng)濟(jì)部遞出在臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心的初步計(jì)劃書，經(jīng)濟(jì)部正進(jìn)行審查中。 官員透露，爾必達(dá)來臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心的計(jì)劃相當(dāng)成熟，已進(jìn)入實(shí)質(zhì)合作內(nèi)容洽談中，研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器
- 關(guān)鍵字： TIMC NAND DRAM
亞洲需求成全球半導(dǎo)體市場(chǎng)強(qiáng)力支撐
- 全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求成長(zhǎng)已優(yōu)于2008年秋季金融危機(jī)爆發(fā)前的水平，2010年5月半導(dǎo)體銷售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來看，含大陸在內(nèi)的亞太市場(chǎng)占全球銷售比重已過半并持續(xù)成長(zhǎng)中，已成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求的強(qiáng)力支撐。然因市場(chǎng)對(duì)歐洲經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)仍持疑慮，2010年秋季后市場(chǎng)需求動(dòng)態(tài)值得關(guān)注。 美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)指出，金融危機(jī)爆發(fā)前全球半導(dǎo)體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元，而2010年5月全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)2
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM
SEMI：全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)今年將增長(zhǎng)104%
- 國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)的發(fā)布半導(dǎo)體設(shè)備年中預(yù)測(cè)指出，今年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將由谷底翻揚(yáng)，預(yù)計(jì)增長(zhǎng)達(dá)104%,明年市場(chǎng)仍審慎樂觀，將持續(xù)有9%的增長(zhǎng)幅度。 半導(dǎo)體設(shè)備與西于14日起于美西舊金山展開，主辦單位半同步公布半導(dǎo)體設(shè)備資本支出年中預(yù)測(cè)報(bào)告。 SEMI的預(yù)估，2010年半導(dǎo)體設(shè)備營收將達(dá)325億美元，折合新臺(tái)幣可望突破兆元，為半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者捎來佳音，同時(shí)超越2008年金融海嘯前的295億美元水準(zhǔn)。報(bào)告指出， 2009年因?yàn)槿蚓皻獠患?，讓整體設(shè)備市場(chǎng)慘跌46%,但今年設(shè)備市
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體設(shè)備 晶圓 DRAM
報(bào)告稱全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)今年將增長(zhǎng)104%
- 國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)的發(fā)布半導(dǎo)體設(shè)備年中預(yù)測(cè)指出，今年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將由谷底翻揚(yáng)，預(yù)計(jì)增長(zhǎng)達(dá)104%，明年市場(chǎng)仍審慎樂觀，將持續(xù)有9%的增長(zhǎng)幅度。 半導(dǎo)體設(shè)備與西將于今(14)日起于美西舊金山展開，主辦單位半同步公布半導(dǎo)體設(shè)備資本支出年中預(yù)測(cè)報(bào)告。 SEMI的預(yù)估，2010年半導(dǎo)體設(shè)備營收將達(dá)325億美元，折合新臺(tái)幣可望突破兆元，為半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者捎來佳音，同時(shí)超越2008年金融海嘯前的295億美元水準(zhǔn)。報(bào)告指出， 2009年因?yàn)槿蚓皻獠患眩屨w設(shè)備市場(chǎng)慘跌46%，但今
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DRAM廠制程轉(zhuǎn)換不順 新產(chǎn)能變數(shù)多
- 近期DRAM市場(chǎng)供需雜音多，由于終端需求前景不明，7月合約價(jià)不見起色，仍持續(xù)往下修正，加上隨著40和50納米制程微縮導(dǎo)致產(chǎn)能增加，進(jìn)而壓抑價(jià)格走勢(shì)，然值得注意的是，目前各家DRAM廠在40和50納米世代轉(zhuǎn)換不順消息頻傳，新產(chǎn)能是否能如期出籠仍存變量，因此，第3季DRAM價(jià)格還有多少修正空間，目前仍處于混沌狀態(tài)。 DRAM業(yè)者表示，自從PC大廠祭出降低DRAM搭載率策略后，原本供給吃緊的DRAM市場(chǎng)頓時(shí)松動(dòng)，原本搭配4GB模塊被砍到僅搭配2GB，等于少掉50%的DRAM產(chǎn)能消耗量，加上歐洲債信問題
- 關(guān)鍵字： Elpida DRAM 45納米
亞洲需求成全球半導(dǎo)體市場(chǎng)強(qiáng)力支撐
- 全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求成長(zhǎng)已優(yōu)于2008年秋季金融危機(jī)爆發(fā)前的水平，2010年5月半導(dǎo)體銷售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來看，含大陸在內(nèi)的亞太市場(chǎng)占全球銷售比重已過半并持續(xù)成長(zhǎng)中，已成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求的強(qiáng)力支撐。然因市場(chǎng)對(duì)歐洲經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)仍持疑慮，2010年秋季后市場(chǎng)需求動(dòng)態(tài)值得關(guān)注。 美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)指出，金融危機(jī)爆發(fā)前全球半導(dǎo)體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元，而2010年5月全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)2
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
SEMICON West來臨之際那些分析師說些什么？
- 編者點(diǎn)評(píng)：每年的SEMICON West時(shí)，時(shí)間己經(jīng)過半，所以業(yè)界都會(huì)關(guān)心下半年與未來會(huì)是怎么樣。2010年半導(dǎo)體業(yè)可能十分亮麗，似乎已成定局。然而對(duì)于設(shè)備業(yè)看似今年的增長(zhǎng)幅度達(dá)90%，但是許多設(shè)備公司仍是興奮不起來，因?yàn)?010年業(yè)績(jī)的增長(zhǎng)仍顯不足于彌補(bǔ)之前的損失。而未來的前景有點(diǎn)模糊，增長(zhǎng)點(diǎn)來自哪里?似乎誰也說不清楚。 SEMICON West美國半導(dǎo)體設(shè)備展覽會(huì)即將開幕，與去年全球IC下降不同，如今半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)有點(diǎn)紅火。 按市場(chǎng)調(diào)研公司 VLSI預(yù)計(jì)，2010年半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)增長(zhǎng)96%
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體設(shè)備 NAND DRAM
三星46nm良率提升 DRAM價(jià)格有望持續(xù)下降
- 臺(tái)灣媒體報(bào)道，受到三星46nm制程工藝DRAM芯片良率提高的利好消息影響，DRAM內(nèi)存芯片的期貨價(jià)格有望在7、8月份持續(xù)下跌。業(yè)界消息稱，三星目前向PC廠商供應(yīng)的2GB DDR3價(jià)格已經(jīng)從先前的45美元下降到了40美元。 消息稱，隨著三星46nm DRAM良率的大幅提高，三星DRAM芯片成本優(yōu)勢(shì)也得以體現(xiàn)。據(jù)稱三星目前已經(jīng)向好幾家PC廠商提供了優(yōu)惠內(nèi)存芯片價(jià)格套裝，從而使得外界認(rèn)為DRAM 內(nèi)存價(jià)格有望在7、8月份持續(xù)下滑。 根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司DRAMeXchange的報(bào)告，六月份下半個(gè)月的
- 關(guān)鍵字： 三星 46nm DRAM
Q1 DRAM銷售強(qiáng)勁 臺(tái)灣力晶市場(chǎng)排名竄升
- 據(jù)iSuppli公司分析，第一季度DRAM銷售強(qiáng)勁，臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體表現(xiàn)突出，市場(chǎng)排名升至第五。 第一季度力晶DRAM營業(yè)收入為4.32億美元，比2009年第四季度的2.39億美元大增80.8%，比2009年第一季度暴增1068%。這在第一季度iSuppli公司的DRAM供應(yīng)商排行榜中，是最強(qiáng)勁的表現(xiàn)，而且遠(yuǎn)優(yōu)于總體產(chǎn)業(yè)。第一季度全球DRAM營業(yè)收入比去年第四季度增長(zhǎng)8.8%，比去年同期增長(zhǎng)178.1%。 在最近的三個(gè)季度中，力晶的營收每季度都增長(zhǎng)近60%，推動(dòng)其排名上升。它在2009年第四
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