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日立東芝三菱和解芯片價(jià)格訴訟
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)舊金山聯(lián)邦法院的文件顯示，日立、東芝和三菱同意支付2780萬(wàn)美元和解芯片價(jià)格操縱指控。 該案原告為DRAM芯片的直接采購(gòu)方，他們指控上述三家公司在1999年至2002年間向美國(guó)用戶收取了超額費(fèi)用。根據(jù)原告方律師周四提交的文件，日立將支付1150萬(wàn)美元，東芝將支付920萬(wàn)美元，三菱則支付710萬(wàn)美元。 但根據(jù)和解協(xié)議，上述三家公司均未承認(rèn)不當(dāng)行為。三家公司的律師和發(fā)言人也均未對(duì)此置評(píng)。 DRAM是一種被用于電腦、手機(jī)和其他電子設(shè)備的芯片。美國(guó)司法部曾于2002年對(duì)多
- 關(guān)鍵字： 東芝 DRAM
日立東芝三菱和解芯片價(jià)格訴訟
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)舊金山聯(lián)邦法院的文件顯示，日立、東芝和三菱同意支付2780萬(wàn)美元和解芯片價(jià)格操縱指控。 該案原告為DRAM芯片的直接采購(gòu)方，他們指控上述三家公司在1999年至2002年間向美國(guó)用戶收取了超額費(fèi)用。根據(jù)原告方律師周四提交的文件，日立將支付1150萬(wàn)美元，東芝將支付920萬(wàn)美元，三菱則支付710萬(wàn)美元。 但根據(jù)和解協(xié)議，上述三家公司均未承認(rèn)不當(dāng)行為。三家公司的律師和發(fā)言人也均未對(duì)此置評(píng)。 DRAM是一種被用于電腦、手機(jī)和其他電子設(shè)備的芯片。美國(guó)司法部曾于2002年對(duì)多
- 關(guān)鍵字： 東芝 DRAM
三星電子芯片業(yè)務(wù)上半年利潤(rùn)或超35億美元
- 受全球存儲(chǔ)芯片供應(yīng)短缺利好影響，三星電子存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)增長(zhǎng)明顯，預(yù)計(jì)其2010年上半年?duì)I業(yè)利潤(rùn)有望超過(guò)4萬(wàn)億韓元，約合35億美元。 三星公司消息人士稱，三星電子自身預(yù)估2010年全年的芯片業(yè)務(wù)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)將最多可增至4.4萬(wàn)億韓元，但韓國(guó)媒體報(bào)道稱，三星電子發(fā)言人拒絕就此事宜發(fā)表言論。 據(jù)悉，三星電子是目前全球最大的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)商，其09年在全球DRAM市場(chǎng)的份額從08年的29%增加至36%，而NAND閃存芯片市場(chǎng)份額則一直保持在40%左右。
- 關(guān)鍵字： 三星電子 存儲(chǔ)芯片 DRAM
三星電子：半導(dǎo)體廠房跳電損失估計(jì)不到90億韓元
- 三星電子(SamsungElectronics)表示，截至臺(tái)北時(shí)間25日下午3時(shí)為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計(jì)不到90億韓圜(790萬(wàn)美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。MeritzSecurities分析師LeeSun- tae指出，三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實(shí)不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。 YonhapNews于南韓時(shí)間24日下午7時(shí)48分報(bào)導(dǎo)，三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在當(dāng)?shù)貢r(shí)間
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM NAND
三星電子：半導(dǎo)體廠房跳電損失估計(jì)不到90億韓圜
- 三星電子(Samsung Electronics)表示，截至臺(tái)北時(shí)間25日下午3時(shí)為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計(jì)不到90億韓圜(790萬(wàn)美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。 Meritz Securities分析師Lee Sun-tae指出，三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實(shí)不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。 Yonhap News于南韓時(shí)間24日下午7時(shí)48分報(bào)導(dǎo)，三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在
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LED市場(chǎng)持續(xù)火熱 臺(tái)資加速布局大陸設(shè)廠
- 隨著中國(guó)大陸LED市場(chǎng)迅速增長(zhǎng)，臺(tái)資企業(yè)正在加快搶灘登陸的步伐，以期盡早在大陸LED產(chǎn)業(yè)卡位布局。比如日前廣東中山科技局的一位工作人員就告訴記者，現(xiàn)在可以明顯感受到，外資尤其是臺(tái)廠對(duì)中國(guó)大陸LED行業(yè)投資腳步的加快和投資力度的加大，早在2002年臺(tái)灣最大的封裝廠億光就在中山小欖設(shè)廠，而近來(lái)臺(tái)企投資腳步則更加頻繁。 如果細(xì)分近期有意向至大陸設(shè)廠的臺(tái)企，大體可分成三類：一是臺(tái)灣大型LED企業(yè)，為擴(kuò)大產(chǎn)能需要，在大陸投資設(shè)廠。比如日前市場(chǎng)傳出臺(tái)灣LED外延大廠晶電計(jì)劃與封裝廠光寶攜手布局大陸LED市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字： LED DRAM
三星跳電 存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)
- 三星電子(Samsung Electronics)韓國(guó)器興廠24日下午停電約1小時(shí)，雖然三星官方指出影響不大，但業(yè)界對(duì)于已極度缺貨的DRAM市場(chǎng)相當(dāng)緊張，甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲(chǔ)器零組件都供貨吃緊，三星跳電事件恐讓存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈出現(xiàn)供貨排擠效應(yīng)。 三星器興廠發(fā)生停電意外，在啟動(dòng)不斷電系統(tǒng) (UPS)后，1小時(shí)內(nèi)便恢復(fù)運(yùn)作，估計(jì)此事件對(duì)公司營(yíng)運(yùn)影響不大。 存儲(chǔ)器業(yè)者指出，這次三星受影響廠區(qū)
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM SDRAM 存儲(chǔ)器
供給有限、需求強(qiáng)勁 DRAM產(chǎn)業(yè)可連賺三年
- 根據(jù)DRAMeXchange的預(yù)測(cè)，從今年到2012年，DRAM產(chǎn)業(yè)供給方面在產(chǎn)能擴(kuò)充、資本支出、浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)供給有限，以及40nm以下制程轉(zhuǎn)進(jìn)難度高影響下，位成長(zhǎng)有限。而DRAM需求在全球景氣復(fù)蘇，帶動(dòng)消費(fèi)者及企業(yè)換機(jī)潮，以及智能型手機(jī)帶動(dòng)行動(dòng)內(nèi)存需求大幅成長(zhǎng)下則將動(dòng)力強(qiáng)勁，預(yù)期未來(lái)三年DRAM產(chǎn)業(yè)有機(jī)會(huì)連續(xù)獲利。 DRAMeXchange指出，DRAM產(chǎn)業(yè)過(guò)去十幾年來(lái)，幾乎每三年為一景氣循環(huán)周期，以DRAM廠的營(yíng)業(yè)獲利率分析，2001至2003年DRAM產(chǎn)業(yè)連續(xù)三年虧損，2004至2006年轉(zhuǎn)
- 關(guān)鍵字： 智能手機(jī) DRAM 40nm
三星美光反對(duì)擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能
- 近期內(nèi)存價(jià)格的持續(xù)上漲讓DRAM芯片廠商嘗到了甜頭，不過(guò)在包括三星、美光、力晶等在內(nèi)的DRAM廠商看來(lái)，好光景來(lái)之不易，不應(yīng)該一味擴(kuò)大產(chǎn)能惡性競(jìng)爭(zhēng)而重新導(dǎo)致DRAM內(nèi)存暴跌。 韓國(guó)三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁權(quán)五鉉日前表示，DRAM制造商不應(yīng)該盲目擴(kuò)大產(chǎn)能，而應(yīng)當(dāng)把大規(guī)模投資放在提升技術(shù)水平上。美國(guó)美光官方近日也表示，今年無(wú)意擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能，而是將全力投入制造工藝升級(jí)，進(jìn)一步增強(qiáng)其在DRAM市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體董事長(zhǎng)黃崇仁同樣認(rèn)為，廠商們?cè)趯?duì)待產(chǎn)能的問(wèn)題上應(yīng)當(dāng)更加謹(jǐn)慎，避免重蹈當(dāng)年的覆轍。
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
英飛凌對(duì)爾必達(dá)提專利侵權(quán)訴訟 美ITC展開(kāi)調(diào)查
- 據(jù)外電報(bào)道，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(USITC)將對(duì)DRAM半導(dǎo)體、產(chǎn)品、記憶模塊展開(kāi)調(diào)查，因德商英飛凌于今年2月19 日提出專利侵權(quán)指控。 英飛凌方面稱，爾必達(dá)制造并向美國(guó)進(jìn)口銷售的某些DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品侵犯了英飛凌在半導(dǎo)體制程和元件制造方面4項(xiàng)重要發(fā)明專利，涉嫌不公平貿(mào)易。通過(guò)訴訟以尋求USITC下達(dá)禁令，禁止?fàn)柋剡_(dá)或以爾必達(dá)的名義，向美國(guó)進(jìn)口侵犯英飛凌專利的DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品。 被調(diào)查的企業(yè)名單 USITC表示，將依據(jù)1930年美國(guó)關(guān)稅法第337條，對(duì)下列廠商展開(kāi)調(diào)查，包括日商爾必
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 DRAM
芯片缺很大 電子生產(chǎn)鏈上肥下瘦
- 由于ODM/OEM廠對(duì)第2季及第3季的旺季需求期待甚高，芯片缺貨問(wèn)題持續(xù)延燒，除了繪圖芯片及整流二極管持續(xù)供貨短缺外，電源管理IC、NOR閃存、LCD驅(qū)動(dòng)IC、功率放大器(PA)等產(chǎn)品線均出現(xiàn)供給缺口。隨著芯片供貨商3月起陸續(xù)漲價(jià)5%至10%,但電子終端產(chǎn)品價(jià)格并未跟進(jìn)調(diào)漲，顯示今年電子生產(chǎn)鏈上肥下瘦已成定局。 根據(jù)通路業(yè)者指出，今年中國(guó)農(nóng)歷年期間因終端市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，大幅去化芯片庫(kù)存，去年底就缺貨的繪圖芯片、整流二極管、金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等，現(xiàn)在仍有10%左右的供給缺口，另包括電源
- 關(guān)鍵字： 電源管理 NOR閃存 DRAM
三星、力晶猛喊節(jié)制擴(kuò)產(chǎn) DRAM廠：高手過(guò)招戲碼
- 三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)社長(zhǎng)權(quán)五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)16日來(lái)臺(tái)參加全球半導(dǎo)體聯(lián)盟(GSA)論壇，吸引DRAM業(yè)者紛前來(lái)聆聽(tīng)龍頭廠對(duì)景氣風(fēng)向球。權(quán)五鉉表示，2010年下半DRAM價(jià)格可以維持穩(wěn)定，未來(lái)DRAM業(yè)者不應(yīng)一昧地追求價(jià)格和成本，而是要節(jié)制瘋狂擴(kuò)充產(chǎn)能;力晶董事長(zhǎng)黃崇仁在現(xiàn)場(chǎng)亦舉手建言，呼吁大家不要再亂投資擴(kuò)產(chǎn)，要追求合理價(jià)格更勝于超額利潤(rùn);此番臺(tái)、韓存儲(chǔ)器廠高層過(guò)招，成為整個(gè)論壇最大高潮。 權(quán)五鉉16日在GSA論壇發(fā)表有關(guān)半導(dǎo)體市場(chǎng)及
- 關(guān)鍵字： Samsung DRAM DDR3
DRAM好 3年LED電視滲透率升
- 美銀美林證券臺(tái)灣投資論壇邁入第2天，會(huì)場(chǎng)聚焦DRAM、手機(jī)和LED產(chǎn)業(yè)，業(yè)者紛紛釋出樂(lè)觀看法，包括DRAM未來(lái)2、3年產(chǎn)業(yè)展望都樂(lè)觀，LED背光液晶電視年底滲透率上看35%. 美銀美林證券臺(tái)灣投資論壇邁入第2天，今天會(huì)議部份正式展開(kāi)，并邀請(qǐng)到意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)與恒憶公司(Numonyx)顧問(wèn)暨前任資深主管Rolf Seibl演講，暢談中國(guó)大陸山寨手機(jī)市場(chǎng)。他指出，中國(guó)手機(jī)市場(chǎng)有8成是山寨手機(jī)，所以聯(lián)發(fā)科市場(chǎng)廣大。 今天受邀出席論壇演講的華亞科總經(jīng)理高啟全指出
- 關(guān)鍵字： Numonyx DRAM LED 手機(jī)
IC Insight大幅提高2010年全球半導(dǎo)體增長(zhǎng)預(yù)測(cè)達(dá)27%
- 市場(chǎng)調(diào)研公司IC Insight調(diào)整2010年全球半導(dǎo)體銷售額的預(yù)測(cè), 估計(jì)增長(zhǎng)27%,達(dá)2530億美元。 并同時(shí)預(yù)測(cè)2011年半導(dǎo)體銷售額再增長(zhǎng)15%,達(dá)2900億美元。 按IC Insight的最新說(shuō)法表明比之前較好的2007年的2340億美元還好, 達(dá)到近期單年的最高增長(zhǎng)值。 按SIA的數(shù)據(jù)IC Insight曾在今年1月時(shí)預(yù)測(cè)2009年全球半導(dǎo)體下降9%,及2010年增長(zhǎng)15%的預(yù)測(cè), 此次又作了新的調(diào)整。 推動(dòng)今年半導(dǎo)體增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿?lái)自全球DRAM產(chǎn)業(yè), 由于其
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM 存儲(chǔ)器
力晶將今年資本支出目標(biāo)定為新臺(tái)幣110億元
- 力晶半導(dǎo)體股份有限公司(Powerchip Semiconductor Co., 5346.OT)發(fā)言人譚仲民(Eric Tang)周三表示，公司將今年的資本支出目標(biāo)定為新臺(tái)幣110億元。 譚仲民稱，其中大部分資本支出將用于把公司的晶片生產(chǎn)技術(shù)從65納米技術(shù)升級(jí)到40納米技術(shù)。 今年1月初，力晶半導(dǎo)體曾表示，將于2010年下半年開(kāi)始對(duì)40納米制程進(jìn)行測(cè)試。 譚仲民稱，由于現(xiàn)金充裕，公司目前沒(méi)有融資計(jì)劃。他稱，力晶半導(dǎo)體2009年的資本支出規(guī)模“很小”。但他拒絕透露具體數(shù)據(jù)
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM
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