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          SanDisk聯(lián)手東芝進(jìn)軍10nm級(jí)別閃存工藝

          •   2010年閃存芯片的制造工藝普遍都是30nm級(jí)別,2011年則將成為20nm級(jí)別普及的開(kāi)端,同時(shí)10nm級(jí)別工藝的投資和研發(fā)也即將陸續(xù)開(kāi)始。   SanDisk近日就表示:“2011年我們的首要營(yíng)業(yè)費(fèi)用投資就是研發(fā),包括Fab 5晶圓廠上線投產(chǎn),以及(10nm級(jí)別)和更先進(jìn)NAND閃存制造工藝的技術(shù)投資。”   
          • 關(guān)鍵字: SanDisk  10nm  閃存  

          硅CMOS技術(shù)可擴(kuò)展到10nm以下

          •   “硅CMOS技術(shù)完全可以擴(kuò)展至10nm以下。如果能夠充分導(dǎo)入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM)以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝,硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導(dǎo)地位”。   
          • 關(guān)鍵字: CMOS  10nm  
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