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10nm 文章進(jìn)入10nm技術(shù)社區(qū)

Kinam Kim 博士：硅技術(shù)將向10nm發(fā)展

　　韓國三星先進(jìn)技術(shù)研究所總裁兼CEO Kinam Kim 博士在2012年中國國際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)(CSTIC2012)帶來主題為“探索硅技術(shù)的前景(Exploring Si Technology’s Horizon)”的精彩演講。　　Kim博士表示，閃存技術(shù)是否會(huì)主導(dǎo)未來的存儲(chǔ)市場，2012到2015年集成光電路等技術(shù)將取得進(jìn)展，硅技術(shù)將向10nm發(fā)展，并同時(shí)推動(dòng)DRAM、NAND閃存等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。　　Kim在演講中指出，在DRAM和NAND閃存等方面， Ki
關(guān)鍵字：三星 10nm

SanDisk聯(lián)手東芝進(jìn)軍10nm級(jí)別閃存工藝

　　2010年閃存芯片的制造工藝普遍都是30nm級(jí)別，2011年則將成為20nm級(jí)別普及的開端，同時(shí)10nm級(jí)別工藝的投資和研發(fā)也即將陸續(xù)開始。　　SanDisk近日就表示：“2011年我們的首要營業(yè)費(fèi)用投資就是研發(fā)，包括Fab 5晶圓廠上線投產(chǎn)，以及(10nm級(jí)別)和更先進(jìn)NAND閃存制造工藝的技術(shù)投資?！? 　　
關(guān)鍵字： SanDisk 10nm 閃存

硅CMOS技術(shù)可擴(kuò)展到10nm以下

　　“硅CMOS技術(shù)完全可以擴(kuò)展至10nm以下。如果能夠充分導(dǎo)入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM)以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝，硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導(dǎo)地位”。　　
關(guān)鍵字： CMOS 10nm

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10nm介紹

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