10nm 文章進(jìn)入10nm技術(shù)社區(qū)

領(lǐng)先與無界：我們熟悉與陌生的英特爾

　　回看半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)過去幾十年發(fā)展歷程，英特爾的“霸主”地位是毋庸置疑的，這很大程度上基于英特爾持續(xù)不斷的創(chuàng)新和定義了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展走勢(shì)，其中英特爾所遵循的摩爾定律自然功不可沒。然而近期關(guān)于“摩爾定律已死”的聲音不斷出現(xiàn)，半導(dǎo)體領(lǐng)域的“霸主”也終于坐不住了...... 　　9月19日，“領(lǐng)先無界——英特爾精尖制造日”活動(dòng)在北京正式召開，出席本次活動(dòng)的嘉賓有英特爾公司全球副總裁兼中國(guó)區(qū)總
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英特爾左T右S 發(fā)布10nm和22FFL工藝超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三年

　　2017年9月19日，“英特爾精尖制造日”活動(dòng)在北京舉行。本次活動(dòng)云集了英特爾制程、制造方面最權(quán)威的專家團(tuán)，包括公司執(zhí)行副總裁兼制造、運(yùn)營(yíng)與銷售集團(tuán)總裁Stacy Smith，高級(jí)院士、技術(shù)與制造事業(yè)部制程架構(gòu)與集成總監(jiān)Mark Bohr，公司技術(shù)與制造事業(yè)部副總裁、晶圓代工業(yè)務(wù)聯(lián)席總經(jīng)理Zane Ball，并了主題演講。　　英特爾公司全球副總裁兼中國(guó)區(qū)總裁楊旭登臺(tái)致辭，歡迎來自合作伙伴、客戶、政府部門和學(xué)術(shù)界的嘉賓以及新聞媒體出席2017年9月19日在北京舉行的&ldqu
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半導(dǎo)體制造新工藝層出不窮數(shù)字飆升的背后

　　對(duì)任何半導(dǎo)體產(chǎn)品來說，工藝永遠(yuǎn)是繞不過去的檻。工藝基本上決定了處理器的性能檔次、性能功耗比水平——當(dāng)然半導(dǎo)體架構(gòu)設(shè)計(jì)和優(yōu)化也會(huì)起到很大的作用，但是工藝帶來的改善是根本的、具有決定性意義的，是任何優(yōu)化都難以企及的。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺(tái)積電和三星在工藝的發(fā)展上越來越激進(jìn)，10nm、7nm等新工藝層出不窮。那么，這些新工藝帶來了怎樣的優(yōu)勢(shì)?本文就帶你一探究竟。　　說起工藝，人們往往會(huì)想到英特爾。的確，英特爾擁有著全球綜合性能最強(qiáng)悍的半導(dǎo)體制造能力，其工藝無論在頻率、功耗還
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晶圓廠沖量產(chǎn) 10nm芯片將如雨后春筍般涌現(xiàn)

　　半導(dǎo)體2017年新一代制程技術(shù)將進(jìn)入量產(chǎn)階段，且多數(shù)針對(duì)消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)，尤其是手機(jī)芯片。據(jù)ElectronicDesign報(bào)導(dǎo)，確定使用10納米制程生產(chǎn)的芯片包括三星電子(SamsungElectronics)和高通(Qualcomm)的Snapdragon835、聯(lián)發(fā)科HelioX30處理器和樂金電子(LGElectronics)新一代處理器。　　英特爾(Intel)使用14納米先進(jìn)制程生產(chǎn)微處理器已有一段時(shí)間，執(zhí)行長(zhǎng)BrianKrzanich在2017年消費(fèi)性電子展(CES)上展示內(nèi)含英特爾最新
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晶圓廠沖量產(chǎn) 10nm芯片將如雨后春筍般涌現(xiàn)

半導(dǎo)體2017年新一代制程技術(shù)將進(jìn)入量產(chǎn)階段，且多數(shù)針對(duì)消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)，尤其是手機(jī)芯片。
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英特爾10nm桌面產(chǎn)品再推遲？14nm依舊中流砥柱

桌面產(chǎn)品方面暫時(shí)見不到10nm產(chǎn)品，所以14nm依舊中流砥柱，按照這樣的說法來看，我們見到7nm處理器最快也要到2020年了。
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英特爾10nm制程進(jìn)展:Cannon Lake在路上

　　根據(jù)路線圖，英特爾第一代10nm制程酷睿處理器Cannon Lake將于17年下半年面世，英特爾今日通過推特透露最新10nm進(jìn)程進(jìn)展，該公司稱第一代10nm制程酷睿處理器Cannon Lake已經(jīng)在路上，而第二代10nm制程處理器Ice Lake也已經(jīng)完成最終設(shè)計(jì)，10nm制程達(dá)成新里程碑。　　推文中的“在路上”或許是英特爾在強(qiáng)調(diào)Cannon Lake芯片將會(huì)遵守路線圖，于今年下半年開始出貨，并且在明年上半年進(jìn)行大批量出貨，破除此前的跳票傳聞。10nm制程的Cannon L
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三星10nm以下封測(cè)乏力，制程外包誰將受益？

10納米以下的芯片封裝不能采取傳統(tǒng)的加熱回焊，必須改用熱壓法，三星沒有熱壓法封裝的經(jīng)驗(yàn)，也缺乏設(shè)備，外包廠則有相關(guān)技術(shù)。有鑒于10nm以下芯片生產(chǎn)在即，迫于時(shí)間壓力，可能會(huì)選擇外包。
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10nm工藝麒麟970芯片曝光驍龍835要被秒的節(jié)奏

　　隨著10nm工藝的驍龍835處理器新機(jī)陸續(xù)問世，華為何時(shí)推出全新麒麟處理器來應(yīng)對(duì)，自然也成了不少關(guān)心的話題。而根據(jù)網(wǎng)友在微博的最新爆料稱，華為下代麒麟970處理器將采用10nm FinFET工藝，并在處理器架構(gòu)方面使用ARM公版的Cortex-A73核心，至于GPU則或?qū)⑹装l(fā)ARM Heimdallr MP，以及5載波聚合的全球全網(wǎng)通基帶，預(yù)計(jì)將在今年十月份聯(lián)袂華為Mate 10與我們正式見面。　　10nm FinFET工藝　　根據(jù)網(wǎng)友@草Grass草在微博上的最新爆料稱，華為
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手機(jī)芯片也擠牙膏 10nm升級(jí)換代其實(shí)很雞肋？

以前高通每次的升級(jí)換代，性能都是成倍地上漲，然而這次的835采用最新的10nm制程，效果提升卻不是那么高呢？
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三星VS臺(tái)積電 10nm之后聽誰的

　　2017年3月，三星和臺(tái)積電分別就其半導(dǎo)體制程工藝的現(xiàn)狀和未來發(fā)展情況發(fā)布了幾份非常重要的公告。三星表示，該公司有超過7萬個(gè)晶圓加工過程都采用了第一代10nm FinFET工藝，未來這一數(shù)量還會(huì)繼續(xù)增加，同時(shí)，三星還公布了未來的即將采用的工藝路線圖。特別是，三星計(jì)劃在未來將公布三個(gè)工藝，目前為止，我們對(duì)于這三個(gè)工藝均一無所知。　　另一方面，臺(tái)積電表示，采用其第一代10nm工藝的芯片將會(huì)很快實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，同時(shí)，臺(tái)積電也表示，在未來幾年，臺(tái)積電將會(huì)陸續(xù)推出幾項(xiàng)全新的工藝，這其中就包括將在2019年推出的首
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精測(cè)：10nm為今年主力，7nm需求明年浮現(xiàn)

　　臺(tái)股股后精測(cè)今日舉行在線法說會(huì)，公司預(yù)期10奈米應(yīng)用處理器(AP)產(chǎn)品將是今年主力，7奈米應(yīng)用需求明年才會(huì)浮現(xiàn)。而為因應(yīng)未來7奈米以下測(cè)試需求，公司研發(fā)費(fèi)用及整體營(yíng)業(yè)費(fèi)用率預(yù)期將維持一定比例，以維持整體競(jìng)爭(zhēng)力。　　至于營(yíng)運(yùn)總部建置規(guī)畫部分，精測(cè)預(yù)期7月底、8月初將正式動(dòng)土，興建時(shí)間需花費(fèi)2年，啟用時(shí)間估落于2019年中。為充實(shí)營(yíng)運(yùn)資金及建廠投資需求，公司規(guī)畫辦理現(xiàn)增發(fā)行2000張普通股，將提請(qǐng)6月8日股東常會(huì)表決通過后，再向主管機(jī)關(guān)遞交申請(qǐng)。　　精測(cè)目前營(yíng)業(yè)費(fèi)用率約25%，財(cái)務(wù)長(zhǎng)許憶萍說明
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如虎添翼三星第二代10nm制程開發(fā)完成！

　　三星周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成，未來爭(zhēng)取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。　　三星第一代10納米制程于去年10月領(lǐng)先同業(yè)導(dǎo)入量產(chǎn)，目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一代10納米制程生產(chǎn)。　　據(jù)三星表示，第二代10納米FinFET制程與第一代做比較，運(yùn)算效能提升10%，用電效率則提高15%。　　三星為確保10納米制程長(zhǎng)期供貨穩(wěn)定，其位在首爾西南方華城市的最新晶圓廠已增添新設(shè)備，預(yù)計(jì)第四季可就定位開始生產(chǎn)。　　雖然三星未透露第二代10納米制程的
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三星宣布10nm制程新進(jìn)展：已完成二代10nm工藝LPP驗(yàn)證工作

　　三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。　　按照三星的說法，此前的10nm采用的是LPE(low-power early)，比如驍龍835和Exynos 8895，而第二代是LPP(Low Power Plus)，事實(shí)上更加先進(jìn)，可以滿足更高的性能指標(biāo)要求。　　據(jù)悉，三星已經(jīng)在位于韓國(guó)華城的S3產(chǎn)線部署安裝相關(guān)設(shè)備，定于Q4開始量產(chǎn)工作。　　另外，此前韓國(guó)巨頭還表示，它們10nm的內(nèi)部研發(fā)進(jìn)度已經(jīng)到了第三代LP
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突破技術(shù)“無人區(qū)” 中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備或打破外企壟斷

不鳴則已一鳴必驚人!揚(yáng)眉吐氣、創(chuàng)造歷史!中國(guó)再一次在核心領(lǐng)域突破技術(shù)“無人區(qū)”，彎道超車，率先掌握5 nm半導(dǎo)體技術(shù)!
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