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          2nm 工藝的計量策略

          • 晶圓制造工具正變得更加專用于 Si/SiGe 堆棧、3D NAND 和鍵合晶圓對。
          • 關(guān)鍵字: 2nm  EUV  

          支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng)新

          • 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝(用于移動應用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能)的性能,就需要對架構(gòu)、材料和核心制造流程進行復雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構(gòu)、不同的材料,包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料,以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺,包括一個或多
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  DRAM  5nm  SoC  

          三星和安霸達成合作,在 5 納米工藝上為后者量產(chǎn)自動駕駛芯片 CV3-AD685

          • IT之家 2 月 21 日消息,三星官方于本周二宣布和美國芯片設計公司安霸(Ambarella)達成合作,在 5 納米工藝上為后者量產(chǎn)芯片,該芯片用于支持汽車的自動駕駛功能。三星官方表示,安霸開發(fā)的 CV3-AD685 系統(tǒng)級芯片(SoC)可以充當自動駕駛汽車的“大腦”,其性能是前代 CV2 的 20 倍。它讀取和分析來自攝像頭和雷達的輸入數(shù)據(jù),并自動選擇何時的駕駛模式。三星在官方新聞稿中表示:“這次合作將有助于改變下一代自動駕駛汽車安全系統(tǒng),將人工智能處理性能、功率和可靠性提升到新的水平”。I
          • 關(guān)鍵字: 自動駕駛芯片  SoC  

          【SoC】聯(lián)發(fā)科天璣7200發(fā)布 臺積電4nm 跑分不如1080?

          • 今天聯(lián)發(fā)科發(fā)布了天璣家族的新成員——天璣7200,也是天璣7000系列的首顆SoC,來簡單看下規(guī)格如何~規(guī)格上,聯(lián)發(fā)科介紹天璣7200采用臺積電第二代4nm工藝制程(天璣9200同款工藝?
          • 關(guān)鍵字: SoC  聯(lián)發(fā)科  

          一文詳解SOC、SOH、DOD、SOE

          • 一 前言根據(jù)前一期文章中,某位讀者朋友提出的一些意見,本期想說下本人對動力電池中不同狀態(tài)的理解。動力電池荷電狀態(tài),State of Charge簡稱SOC;動力電池健康狀態(tài),State of Health簡稱SOH;電池包放電深度,Depth of discharge簡稱DOD;電池剩余能量,Stete of Energy簡稱SOE。二、電池荷電量SOC電池荷電狀態(tài),指的是電池中剩余的電荷的可用狀態(tài),常用以下式子定義,Q額定為電池的額定電荷容量,Q剩余為電池中剩余的電荷余量。如果認為Q額定是一個固定不變的
          • 關(guān)鍵字: SOC  SOH  DOD  SOE   

          電池,你必須了解的SOC 知識

          • 眾所周知,電動汽車的最核心部分是動力電池,動力電池的重要性不言而喻。而動力電池的SOC顯示則是動力電池管理工作的關(guān)鍵內(nèi)容。一、SOC的定義SOC(State ofcharge),即荷電狀態(tài),用來反映電池的剩余容量,其數(shù)值上定義為剩余容量占電池容量的比值,常用百分數(shù)表示。其取值范圍為0~1,當SOC=0時表示電池放電完全,當SOC=1時表示電池完全充滿。電池SOC不能直接測量,只能通過電池端電壓、充放電電流及內(nèi)阻等參數(shù)來估算其大小。而這些參數(shù)還會受到電池老化、環(huán)境溫度變化及汽車行駛狀態(tài)等多種不確定因素的影響
          • 關(guān)鍵字: SoC  動力電池  

          全球首顆雙向PD3.1認證SOC電源芯片——水芯電子M12269

          • 快充充放電平臺系列芯片近日,水芯電子旗下芯片M12269正式通過了USB-IF協(xié)會官方PD3.1合規(guī)性監(jiān)測認證,并入選www.usb.org集成商產(chǎn)品列表清單。至此,MERCHIP水芯電子M12269成為業(yè)界第一顆獲得PD3.1雙向認證的電源SOC芯片。在USB-IF官網(wǎng),可以查詢該芯片的認證TID號為8833。USB-IF認證M12269作為水芯快充充放電平臺中的一款明星芯片,是面向多串電芯大功率移動電源和儲能應用的專用SOC,集成了同步升降壓電壓變換器、驅(qū)動模塊、電池充放電管理模塊、顯示模塊、電量計算
          • 關(guān)鍵字: 水芯電子  SOC  

          南芯推出 PD 3.1 快充 SoC SC9712:支持 140W (28V5A) 充電功率

          • IT之家 2 月 14 日消息,南芯科技今日推出全新集成 36V 高效同步降壓控制器的雙端口快充 (1C1A) SoC - SC9712。官方表示,相較于傳統(tǒng)雙口充方案,選用 SC9712 可節(jié)省 3 顆芯片,大大精簡多口快充充電器的電路設計,易于產(chǎn)品開發(fā),實現(xiàn)雙 USB 口 (1C1A, Type C + USB A) 快速充電。據(jù)介紹,SC9712 方案能為電腦、平板電腦、手機等便攜式設備提供高達 140W (28V5A) 的充電功率。參數(shù)方面,SC9712 的 Type C 接口為 DFP
          • 關(guān)鍵字: 南芯  SoC  

          提供長傳輸距離、大內(nèi)存、高度安全的FG25 sub-GHz SoC現(xiàn)在全面供貨

          • 致力于以安全、智能無線技術(shù),打造更加互聯(lián)世界的領導廠商Silicon Labs(亦稱“芯科科技”)近日宣布,其旗艦版FG25 sub-GHz?SoC已實現(xiàn)全面供貨,該產(chǎn)品可通過Silicon Labs及其分銷商合作伙伴進行供應。FG25是專為Wi-SUN等低功耗廣域網(wǎng)(LPWAN)和專有sub-GHz協(xié)議打造的旗艦版SoC,它配置有強大的ARM Cortex-M33處理器和更大的內(nèi)存。FG25是用于長距離、低功耗傳輸?shù)睦硐隨oC,當它與Silicon Labs EFF01前端模塊配合使用時,能夠
          • 關(guān)鍵字: sub-GHz SoC  Silicon Labs  

          意法半導體推出單片天線匹配IC,配合Bluetooth LE SoC和STM32無線MCU,讓射頻設計變得更輕松、快捷

          • 意法半導體單片天線匹配 IC系列新增兩款優(yōu)化的新產(chǎn)品,面向BlueNRG-LPS系統(tǒng)芯片(SoC),以及STM32WB1x 和STM32WB5x*無線MCU。單片天線匹配 IC有助于簡化射頻電路設計。針對BlueNRG-LPS優(yōu)化的 MLPF-NRG-01D3和針對STM32WB優(yōu)化的MLPF-WB-02D3集成了一個外部天線實現(xiàn)最佳射頻輸出功率和接收靈敏度所需的完整濾波和阻抗匹配電路。每款器件的天線側(cè)標稱阻抗都是50Ω。片級封裝面積很小,凸點間距0.4mm,回流焊后的封裝高度630μm。意法半導體的新天
          • 關(guān)鍵字: 意法半導體  天線匹配IC  Bluetooth LE SoC  STM32無線MCU  射頻  

          Arm中國大裁員:SoC、HPC兩團隊被裁人數(shù)最多

          • Arm是全球知名芯片架構(gòu)企業(yè),也是知名芯片IP核供應商。大部分IP核都可以直接向IP廠商采購獲得,再由芯片設計企業(yè)在此基礎上設計出自己的芯片。高通和華為即在Cortex-A系列處理器的基礎上,設計出驍龍和麒麟芯片。就是這家知名的企業(yè)在近期迎來一波大裁員,據(jù)媒體報道,Arm中國從上周開始裁員,主要裁減研發(fā)團隊, 其中SoC、HPC兩個團隊裁撤人數(shù)最多,其余的研發(fā)團隊會有不同程度的小范圍裁減,賠償比例N+3。當前,Arm中國人員1000人左右,研發(fā)人員在700人規(guī)模, 研發(fā)產(chǎn)品覆蓋:SOC
          • 關(guān)鍵字: ARM中國  芯片架構(gòu)  IP核  SOC  裁員  

          全球首個PCIe 6.0接口子系統(tǒng) Rambus瞄準高性能SoC應用

          • 近日,Rambus宣布推出全球首個PCIe 6.0接口子系統(tǒng),主要面向高性能數(shù)據(jù)中心、AI SoC等領域。Rambus的方案包括完整的PHY物理層、控制器IP,完整符合PCIe 6.0規(guī)范,針對異構(gòu)計算架構(gòu)全面優(yōu)化,同時也支持最新的CXL 3.0規(guī)范,可優(yōu)化內(nèi)存資源。Rambus大中華區(qū)總經(jīng)理蘇雷介紹,Rambus作為一家業(yè)界領先的Silicon IP和芯片提供商,致力于讓數(shù)據(jù)傳輸更快、更安全。Rambus目前的主要業(yè)務包括專利授權(quán)、IP授權(quán),以及芯片產(chǎn)品。經(jīng)過30多年的發(fā)展,Rambus有3000多項技
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          淘汰FinFET 升級革命性GAA晶體管:臺積電重申2025量產(chǎn)2nm

          • 在今天的說法會上,臺積電透露了新一代工藝的進展,3nm工藝已經(jīng)開始量產(chǎn),2023年放量,有多家客戶下單,再下一代的是2nm工藝,臺積電CEO重申會在2025年量產(chǎn)。與3nm工藝相比,臺積電2nm工藝會有重大技術(shù)改進, 放棄FinFET晶體管,改用GAA晶體管, 后者是面向2nm甚至1nm節(jié)點的關(guān)鍵,可以進一步縮小尺寸。相比3nm工藝,在相同功耗下, 2nm速度快10~15%;相同速度下,功耗降低25~30%。不過2nm工藝的晶體管密度可能會擠牙膏了,相比3nm只提升了10%,
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          2nm?沒那么簡單!

          • 日本Rapidus和IBM于今年12月13日宣布稱,為量產(chǎn)2納米邏輯半導體,雙方建立了合作關(guān)系。IBM長年以來一直積極進行研發(fā)尖端半導體,且曾經(jīng)在美國紐約州擁有自己的300毫米晶圓工廠(于2014年轉(zhuǎn)給Global Foundries,后來,該工廠被安森美收購)。此外,IBM也在為自己品牌下的電腦生產(chǎn)所需半導體,同時也為客戶提供尖端工藝的技術(shù)研發(fā)服務和晶圓代工服務。IBM的尖端工藝技術(shù)研發(fā)服務作為一項Common Platform,通過創(chuàng)建通用型工藝技術(shù)和生產(chǎn)產(chǎn)線,有效降低了研發(fā)成本、并確保了第二供應商資
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          6nm工藝八核芯 國產(chǎn)5G芯片功耗暴降

          • 不久前,紫光展銳正式發(fā)布新款5G SoC T820,采用6nm工藝、八核CPU架構(gòu),內(nèi)置金融級的安全方案,支持5G高速連接、5G雙卡雙待。    性能方面,紫光展銳T820采用1+3+4三叢集八個CPU核心,包括一個2.7GHz A76大核、三個2.3GHz A76大核、四個2.1GHz A55小核,3MB三級緩存,并集成Mali-G57 MC4 GPU,運行頻率850MHz。    結(jié)合臺積電6nm EUV工藝、AI智能調(diào)節(jié)技術(shù),T820在部分場景下的功耗比上代降
          • 關(guān)鍵字: 紫光展銳  SoC  T820  
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          2nm soc介紹

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