3d dram 文章進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)

3D Touch還不夠好用？蘋(píng)果可能另有其謀

任何一個(gè)行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，都有義務(wù)去推進(jìn)新技術(shù)的發(fā)展，隨著后續(xù)功能的適配，3D Touch的未來(lái)一片光明。
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不影響DRAM市場(chǎng)結(jié)構(gòu)　公平會(huì)核準(zhǔn)美光購(gòu)并華亞科

　　公平交易委員會(huì)于2016年4月13日第1,275次委員會(huì)議決議，核準(zhǔn)美商美光(Micron)擬透過(guò)其子公司臺(tái)灣美光取得華亞科全部股權(quán)，向該會(huì)申報(bào)事業(yè)結(jié)合乙案，依公平交易法第13條第1項(xiàng)規(guī)定，不禁止其結(jié)合。　　公平會(huì)表示，本案系屬公平法第10條第1項(xiàng)第2、5款之結(jié)合型態(tài)，又美商美光于相關(guān)市場(chǎng)之市占率達(dá)25%，符合公平法第11條第1項(xiàng)第2款規(guī)定之申報(bào)門(mén)檻，且無(wú)同法第12條所規(guī)定除外適用情形，故依法提出結(jié)合申報(bào)。　　公平會(huì)表示，華亞科系屬美光DRAM的代工廠，其所生產(chǎn)之DRAM全數(shù)售予美光，故華亞科
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三星出招太狠毒、DRAM恐剩一家獨(dú)活

三星量產(chǎn)18nm DRAM，生產(chǎn)成本的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)拉大，就算DRAM價(jià)格繼續(xù) 下滑，其他業(yè)者陷入虧損，三星仍能維持獲利，這招比較狠。
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三星DRAM連霸24年　2015年市占寫(xiě)下45%新高

　　三星電子(Samsung Electronics)連續(xù)24年蟬聯(lián)全球DRAM存儲(chǔ)器半導(dǎo)體市占率第一，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫(xiě)下新歷史;2015年市占率達(dá)45.3%，營(yíng)收突破200億美元，不但刷新自身紀(jì)錄，也成為存儲(chǔ)器價(jià)格持續(xù)下跌聲中，唯一還能獲利的業(yè)者。　　據(jù)韓媒Money Today報(bào)導(dǎo)，市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料顯示，2015年三星DRAM營(yíng)收為204.34億美元，較2014年186.61億美元成長(zhǎng)9.5%，首次突破200億美元。雖然全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模由462.46億美元萎縮至450.93億美元，但三星營(yíng)收卻
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三星開(kāi)始量產(chǎn)10nm級(jí)DRAM，采用ArF液浸四重曝光

　　韓國(guó)三星電子2016年4月5日宣布，開(kāi)始量產(chǎn)采用10nm級(jí)工藝制造的首款DRAM芯片。新產(chǎn)品為DDR4型8Mbit產(chǎn)品。　　　　此次發(fā)布的DDR4型DRAM芯片采用10nm級(jí)(1x)工藝制造。三星面向此次的芯片，新開(kāi)發(fā)了自主設(shè)計(jì)的新存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)、四重曝光(Quadruple Patterning Technology)技術(shù)、采用極薄絕緣膜形成技術(shù)制作的厚度均勻的存儲(chǔ)電容等。由此，無(wú)需使用EUV裝置，可利用現(xiàn)有的液浸ArF裝置量產(chǎn)。三星還預(yù)定將此次的技術(shù)用于下一代10nm(1
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醫(yī)療新巨頭誕生：6000萬(wàn)美元的大合并！

　　去年10月，全球3D打印醫(yī)療應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)3D Medical，與頂級(jí)醫(yī)學(xué)圖像處理技術(shù)開(kāi)商Mach7合并。如今，這樁交易已經(jīng)宣布完成，合并后的新公司被稱為Mach7 Technologies，并將在澳大利亞證交所上市，交易代碼M7T。　　據(jù)悉，3D Medical原本就以向醫(yī)生提供針對(duì)不同病人的3D打印各種定制器官和骨骼模型而知名;而Mach7的主要業(yè)務(wù)則是醫(yī)學(xué)影像技術(shù)。在這筆總額高達(dá)6000萬(wàn)美元的合并交易完成之后，新公司將會(huì)把總部設(shè)在澳洲的墨爾本。　　據(jù)了解，3D Medical和Ma
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存儲(chǔ)“芯”發(fā)展剖析3D NAND閃存市場(chǎng)現(xiàn)狀

國(guó)內(nèi)大力扶持存儲(chǔ)，各種巨額的投資項(xiàng)目爭(zhēng)議不小，但是為了存儲(chǔ)自主的未來(lái)，也值。
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DRAM市場(chǎng)上,韓企占比飆升,排名老三的美光出路在哪里?

　　目前，全球DRAM(Dynamic Random Access Memory，也稱動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存)市場(chǎng)主要由三星、SK海力士和美光占有。近日美國(guó)市調(diào)公司IHS指，韓國(guó)企業(yè)三星和SK海力士的市占率進(jìn)一步?jīng)_高至接近75%，這已經(jīng)是連續(xù)6個(gè)季度創(chuàng)下歷史新高，那么第三位的美光前途在何方呢? 　　三星已在技術(shù)方面遙遙領(lǐng)先　　據(jù)DRAMeXchange的報(bào)告，受2015年四季度全球DRAM市場(chǎng)營(yíng)收下滑約9%的影響，三星、SK海力士、美光三家的營(yíng)收分別下滑9.7%、9.3%、10.5
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三星2015年DRAM市場(chǎng)所向披靡手機(jī)份額萎縮

　　三星電子周五公布2015業(yè)務(wù)成果報(bào)告，結(jié)果一則以喜，一則以憂，雖然其半導(dǎo)體事業(yè)蒸蒸日上，但另一個(gè)營(yíng)收主力，也就是手機(jī)部門(mén)表現(xiàn)仍持續(xù)掙扎。其實(shí)，三星去年以獲利為最高指導(dǎo)原則，營(yíng)運(yùn)的重心主要放在半導(dǎo)體上，有如此結(jié)果也不令人意外。　　據(jù) 三星統(tǒng)計(jì)，在全球DRAM市場(chǎng)上，三星所向披靡、強(qiáng)取豪奪45.3%的份額，市占率較一年前的39.6%又進(jìn)步了5.7個(gè)百分點(diǎn)。三星指出盡管手機(jī)、平板等行動(dòng)產(chǎn)品減緩，但預(yù)期服務(wù)器與其它高階產(chǎn)品市場(chǎng)將持續(xù)成長(zhǎng)。除此之外，三星也相當(dāng)看好物聯(lián)網(wǎng)與汽車(chē)對(duì)存儲(chǔ)器的需求展望。　　在
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產(chǎn)品組合改善美光下半年有機(jī)會(huì)轉(zhuǎn)虧為盈

　　受來(lái)自PC部門(mén)需求疲弱，及包括DRAM與NAND Flash價(jià)格下滑等不利因素影響，美系記憶體大廠美光(Micron)2016年會(huì)計(jì)年度第2季(2015年12月4日至2016年3月3日)營(yíng)收僅達(dá)29.3億美元，較前季33.5億美元衰退12.4%，亦較2015年會(huì)計(jì)年度同期41.7億美元衰退29.6%，這是美光自2015年會(huì)計(jì)年度第1季營(yíng)收45.7億美元相對(duì)高點(diǎn)以來(lái)，單季營(yíng)收連續(xù)5季衰退。　　在DRAM與NAND Flash的平均銷(xiāo)售單價(jià)季衰退幅度超過(guò)2位數(shù)百分點(diǎn)幅度，加上營(yíng)業(yè)費(fèi)用控制成效不佳，營(yíng)業(yè)
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三星18納米DRAM投產(chǎn)　海力士、美光面臨更大壓力

　　三星電子(Samsung Electronics)開(kāi)始量產(chǎn)18納米DRAM，成本將可比目前的20納米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等業(yè)者的DRAM制程都還停留在20納米以上世代，三星電子未來(lái)在DRAM市場(chǎng)上，勢(shì)必將更具價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力。　　根據(jù)韓媒ETnews報(bào)導(dǎo)，存儲(chǔ)器半導(dǎo)體的價(jià)格越來(lái)越低，越快將成本壓到比下滑的市場(chǎng)價(jià)格更低的話，才有利潤(rùn)能剩下，若降低成本的速度太慢，就會(huì)產(chǎn)生赤字。以目前看來(lái)，2016年美光最需擔(dān)憂的就是赤字問(wèn)題，因?yàn)槊拦鉀](méi)能成功地轉(zhuǎn)換微
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DRAM及NAND市場(chǎng)價(jià)格下跌美光營(yíng)收下滑

　　不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域，韓國(guó)兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國(guó)的美光公司這兩年就沒(méi)啥舒服日子了，技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商，偏偏現(xiàn)在又遇到了內(nèi)存、閃存降價(jià)，跌跌不休的價(jià)格導(dǎo)致美光營(yíng)收下滑了30%，當(dāng)季凈虧損9700萬(wàn)美元，對(duì)未來(lái)季度的預(yù)測(cè)同樣悲觀。　　美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財(cái)年Q2財(cái)報(bào)，當(dāng)季營(yíng)收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。　　美光當(dāng)季毛利只有5.79億美元，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于上季度的8
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美光恐連續(xù)兩季度虧損，毛利率只有19.7%

　　美國(guó)記憶體大廠美光昨(31)公布到3月3日為止的年度第2季財(cái)報(bào)，每股凈損0.09美元，單季由盈轉(zhuǎn)虧，并預(yù)估本季仍恐持續(xù)虧損。外界認(rèn)為，美光連二季虧損，與該公司關(guān)系密切的華亞科(3474)短期營(yíng)運(yùn)將有壓力。　　受到DRAM價(jià)格與出貨量都比上季滑落近一成的影響，美光第2季營(yíng)收為29.34億美元，季減12.4%，年減29.5%，影響其毛利率表現(xiàn)，僅19.7%，遠(yuǎn)不如前一季的25.3%，單季稅后凈損9,700萬(wàn)美元，每股凈損0.09美元。　　美光預(yù)期，本季恐持續(xù)虧損，估每股凈損0.05至0.12美元，
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三星正式量產(chǎn)18nm工藝DRAM 內(nèi)存價(jià)格或跌40%

　　全球DRAM內(nèi)存市場(chǎng)壟斷在了三星、SKHynix及美光三家廠商中，在這其中三星是第一梯隊(duì)的，不論工藝還是產(chǎn)能、占有率都遙遙領(lǐng)先其他兩家，SKHynix第二，美光的工藝和產(chǎn)能最次。2014年率先量產(chǎn)20nm工藝的DRAM內(nèi)存之后，三星如今再一次領(lǐng)跑，現(xiàn)在正式量產(chǎn)了18nm工藝內(nèi)存芯片。只不過(guò)內(nèi)存市場(chǎng)今年普遍看淡，隨著廠商產(chǎn)能的提高，內(nèi)存價(jià)格降幅甚至高達(dá)40%。　　跟處理器芯片一樣，制程工藝越先進(jìn)，每一代工藝的進(jìn)步在外人看來(lái)感覺(jué)是越來(lái)越小了，CPU工藝好歹是從22nm進(jìn)步到14/16nm、NAND也是
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投資10nm/3D NAND　晶圓廠設(shè)備支出今年增3.7%

　　國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)最新報(bào)告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資，將驅(qū)動(dòng)2016年晶圓廠設(shè)備支出攀升，預(yù)估2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?In-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出將增長(zhǎng)3.7%，達(dá)372億美元;而2017年則可望再成長(zhǎng)13%，達(dá)421億美元。　　SEMI指出，2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預(yù)測(cè)2016年上半年晶圓廠設(shè)備支出可望緩慢提升，下半年則將開(kāi)始加速，為2017年儲(chǔ)備動(dòng)能。2017年相關(guān)支出可望回復(fù)兩位數(shù)成
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