3d dram 文章進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)

中國(guó)首座DRAM廠動(dòng)工，三星、海力士冒冷汗

　　韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)周二報(bào)導(dǎo)，國(guó)營(yíng)福建晉華積體電路公司(音譯：Fujian Jinhua Integrated Circuit Co.)在來(lái)自聯(lián)電(2303)技術(shù)的加持下，已著手建造半導(dǎo)體廠，將藉此切入DRAM市場(chǎng)。　　來(lái)自產(chǎn)業(yè)內(nèi)的訊息指出，福建晉華上周六已在晉江市，舉行DRAM廠破土動(dòng)工儀式，第一期工程投資規(guī)模預(yù)估來(lái)到370億人民幣，或相當(dāng)于55億美元，2018年投產(chǎn)后每月可產(chǎn)出6萬(wàn)片晶圓(32奈米)。　　據(jù)報(bào)導(dǎo)，福建晉華將獲得聯(lián)電技術(shù)支援，且全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)傳也有參與投資，但未獲
關(guān)鍵字： DRAM 三星

IC Insights下修今年半導(dǎo)體業(yè)成長(zhǎng)率至-1%

　　IC Insights近日調(diào)降2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)率預(yù)測(cè)至-1%，表示英國(guó)脫歐也是為產(chǎn)業(yè)帶來(lái)負(fù)面沖擊的原因之一… 　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights近日調(diào)降了對(duì)2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)率預(yù)測(cè)，由原先的2%下修為-1%;該機(jī)構(gòu)表示，調(diào)降產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)率預(yù)測(cè)的主要原因，是基于全球經(jīng)濟(jì)表現(xiàn)衰弱，以及低迷不振的DRAM市場(chǎng)。　　消費(fèi)性電子市場(chǎng)與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之間的連動(dòng)關(guān)系越來(lái)越密切，IC Insights預(yù)期，2016年全球GDP與成長(zhǎng)率僅2.3%;而GDP成長(zhǎng)率若低于2.5%，被認(rèn)為是
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 DRAM

三星與IBM聯(lián)手打造STT-MRAM

　　據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道，IBM和三星近日在IEEE上發(fā)布研究論文稱，兩家公司聯(lián)手打造了一種被稱為STT-MRAM的新內(nèi)存，有望成為目前DRAM內(nèi)存的最實(shí)際接替者。　　DRAM，即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，目前最大的發(fā)展障礙就是其很難被壓縮至10nm以下，因此兩家公司研發(fā)的STT-MRAM(自旋傳輸磁性記憶體)首先就將解決這一問(wèn)題。　　另外，新內(nèi)存也將擁有更高的傳輸速度且更加省電，理論性能也將超越DRAM。　　業(yè)界認(rèn)為，這可能是目前DRAM的最佳接替者，因?yàn)?5%的DRAM制造設(shè)施都
關(guān)鍵字：三星 DRAM

老杳:面對(duì)政府決策論證專家能否直面良心

　　一條有關(guān)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的重要新聞：　　《晉江市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2016-2025)》于11日在北京通過(guò)專家論證，一個(gè)千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈正在此興起。　　與會(huì)專家表示，《發(fā)展規(guī)劃》立足晉江、對(duì)標(biāo)國(guó)內(nèi)、放眼全球，符合區(qū)域?qū)嶋H、切合國(guó)內(nèi)格局、貼合產(chǎn)業(yè)方向，具有較強(qiáng)的指向性和操作性。　　老杳不是專家，不過(guò)即使從表述文字也可以看出其中眾多蹊蹺，在集成電路領(lǐng)域一窮二白的晉江市，僅僅一個(gè)集成電路的產(chǎn)業(yè)規(guī)劃就意味著“千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈正在此興起”?又如何推演出
關(guān)鍵字： DRAM 集成電路

IC Insights：英脫歐／DRAM需求疲軟拖累半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)率

　　長(zhǎng)久以來(lái)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“健康狀況”與全球經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)息息相關(guān)，很少有強(qiáng)大的半導(dǎo)體市場(chǎng)，沒(méi)有好的世界經(jīng)濟(jì)在背后支撐它。在七月推出的2016年McClean報(bào)告中，市調(diào)機(jī)構(gòu)ICInsights預(yù)測(cè)，今年全球GDP成長(zhǎng)率僅2.3%，低于全球不景氣門檻(RecessionThreshold)的2.5%。　　受到DRAM市場(chǎng)的需求下降與英國(guó)脫歐影響，整體半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)率將下滑。　　目前，在許多地區(qū)中，地方經(jīng)濟(jì)逐漸趨緩，即便是中國(guó)，這個(gè)個(gè)人電腦、數(shù)位電視、智慧型手機(jī)、新型商用飛機(jī)與汽車
關(guān)鍵字： DRAM 半導(dǎo)體

福建千億集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)劃通過(guò) 打造中國(guó)內(nèi)存基地

　　記者12日從福建晉江市委宣傳部獲悉，《晉江市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2016-2025)》(以下簡(jiǎn)稱“《發(fā)展規(guī)劃》”)于11日在北京通過(guò)專家論證，一個(gè)千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈正在此興起。　　據(jù)介紹，《發(fā)展規(guī)劃》描繪了泉州晉江未來(lái)十年(2016-2025)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展藍(lán)圖，提出到2025年，將構(gòu)建千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圈、資源生態(tài)圈、智能生態(tài)圈、企業(yè)生態(tài)圈。　　論證會(huì)由工信部電子一所副所長(zhǎng)萬(wàn)鵬遠(yuǎn)主持。在3個(gè)多小時(shí)的論證會(huì)上，中科院半導(dǎo)體所所長(zhǎng)李樹深，中科院微
關(guān)鍵字：集成電路 DRAM

東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成

　　東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲(chǔ)器事業(yè)的副社長(zhǎng)成毛康雄于6日舉行的投資人說(shuō)明會(huì)上表示，將沖刺N(yùn)AND Flash產(chǎn)量，目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴(kuò)增至2015年度的3倍水準(zhǔn)(以容量換算)。　　關(guān)于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash，成毛康雄指出，將強(qiáng)化3D Flash的生產(chǎn)，目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準(zhǔn)。　　東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。　　日經(jīng)、韓國(guó)先驅(qū)報(bào)(
關(guān)鍵字：東芝 3D NAND

集邦科技：DRAM價(jià)格Q3將漲4~8%

　　由于記憶體原廠端供貨吃緊，一線PC-OEM客戶于六月提前與DRAM廠洽談第三季合約價(jià)格，集邦科技旗下DRAMeXchange預(yù)估第三季DRAM合約價(jià)上漲趨勢(shì)確立，漲幅約4～8%。　　DRAMeXchange 研究協(xié)理吳雅婷表示，經(jīng)過(guò)近兩年的續(xù)跌，6月合約價(jià)已呈現(xiàn)持平，普遍用12.5美元價(jià)格議定完成。DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，DDR3 4GB合約均價(jià)從2014年10月的32.75美元下跌至今年六月的12.5美元，跌幅高達(dá)62%。　　吳雅婷表示，第三季的DRAM合約均價(jià)起漲，起因于標(biāo)準(zhǔn)
關(guān)鍵字：集邦科技 DRAM

Cell on Peri構(gòu)造有利IDM提升3D NAND Flash競(jìng)爭(zhēng)力

　　Cell on Peripheral Circuit(以下簡(jiǎn)稱Cell on Peri)構(gòu)造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營(yíng)開發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構(gòu)造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
關(guān)鍵字： 3D NAND 美光

2016年下半3D NAND供應(yīng)商上看4家三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢(shì)

　　DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應(yīng)3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲(chǔ)器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨(dú)家供應(yīng)3D NAND Flash的狀況將改變，不過(guò)，三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進(jìn)，短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢(shì)。　　三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
關(guān)鍵字：三星 3D NAND

3D保護(hù)玻璃市場(chǎng)產(chǎn)值將于18年超越2D保護(hù)玻璃

　　觸摸屏的保護(hù)玻璃，又稱之為保護(hù)蓋，用來(lái)保護(hù)顯示屏和觸控面板。為了適應(yīng)智能機(jī)的不同設(shè)計(jì)需求，保護(hù)玻璃有不同的形狀。保護(hù)玻璃通常位于顯示器和觸控面板的頂部，再根據(jù)保護(hù)玻璃的形狀分為2D，2.5D和3D等。隨著智能手機(jī)廠商越來(lái)越在外形和時(shí)尚設(shè)計(jì)方面競(jìng)爭(zhēng)，舒適的手感和靈敏的觸控反應(yīng)越來(lái)越重要，這也鼓勵(lì)著觸控面板廠商開發(fā)形狀更好的保護(hù)玻璃。　　2016年用于手機(jī)的3D保護(hù)玻璃出貨量預(yù)計(jì)將增至4,900萬(wàn)片，占手機(jī)用保護(hù)玻璃市場(chǎng)總量的3.1%。IHS預(yù)測(cè)2017年其出貨量將飛漲103.9%達(dá)1億片的規(guī)模，
關(guān)鍵字： 3D 2D保護(hù)玻璃

中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)前景

本文介紹了存儲(chǔ)器芯片分類，國(guó)際存儲(chǔ)芯片廠商的發(fā)展情況，及我國(guó)存儲(chǔ)芯片供需情況。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器市場(chǎng) DRAM Flash 201607

日經(jīng):PC用DRAM價(jià)格月增6%，能見度到九月

　　行動(dòng)記憶體需求暴增，在晶片制造商窮于應(yīng)付的同時(shí)， PC用DRAM卻也因此受惠，現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)攀升。　　據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)，行情指標(biāo)4-Gigabit DDR3 DRAM過(guò)去一個(gè)月上漲6%，目前來(lái)到1.74美元，某些產(chǎn)品甚至還漲到2美元以上。PC出貨量萎縮、需求能見度明明不佳，但PC用DRAM價(jià)格之所以還能往上攀升，是因?yàn)槊拦獾扔洃涹w大廠將部分產(chǎn)能移作生產(chǎn)行動(dòng)產(chǎn)品，以致供給減少。　　PC制造商夏季機(jī)種目前已陸續(xù)上市，盡管此時(shí)季節(jié)性需求已開始減緩，但許多專家仍舊看好DRAM這波反彈行情將一直延續(xù)至九月，
關(guān)鍵字： PC DRAM

3D NAND成半導(dǎo)體業(yè)不景氣救世主

　　韓媒NEWSIS報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對(duì)策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進(jìn)入量產(chǎn)的技術(shù)，在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構(gòu)，3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。　　3D NAND比20納米級(jí)產(chǎn)品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲(chǔ)器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小。基于上述優(yōu)點(diǎn)，對(duì)于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺(tái)的相關(guān)服務(wù)，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
關(guān)鍵字： 3D NAND 半導(dǎo)體