3d dram 文章 進入3d dram技術(shù)社區(qū)
三星DRAM報價下調(diào)20% 華亞科/南亞科下季營收不樂觀
- 全球DRAM大廠三星昨天傳出下調(diào)DRAM報價，調(diào)降幅度20%。此舉預(yù)告DRAM產(chǎn)業(yè)將在第四季出現(xiàn)一波修正期，DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營收恐不如預(yù)期。 繼臺積電前天無預(yù)警下修第四季財測，市場消息傳出，全球DRAM市占率達四成的三星，將DRAM模組價格從21美元降至16.8美元，換算每顆粒DRAM價格僅剩1.8美元。 8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價格在21美元左右，并將部分PC DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)進高階智慧型手機使用的LP DDR4。 隨今年以來DRAM價格持續(xù)走低，市場需
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
DRAM報價 傳出三星調(diào)降20%
- 全球DRAM大廠三星昨天傳出下調(diào)DRAM報價，調(diào)降幅度20%。此舉預(yù)告DRAM產(chǎn)業(yè)將在第四季出現(xiàn)一波修正期，國內(nèi)DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營收恐不如預(yù)期。 繼臺積電前天無預(yù)警下修第四季財測，市場消息傳出，全球DRAM市占率達四成的三星，將DRAM模組價格從21美元降至16.8美元，換算每顆粒DRAM價格僅剩1.8美元。 8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價格在21美元左右，并將部分PC DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)進高階智慧型手機使用的LP DDR4。 隨今年以來DRAM價格持續(xù)走低，市
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等存儲器比較
- PROM、EEPROM、FLASH的總結(jié)性區(qū)別 EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結(jié)構(gòu)。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一個附加的Transister組成，由于FLOTOX的特性及兩管結(jié)構(gòu)，所以可以單元讀/寫。技術(shù)上，F(xiàn)LASH是結(jié)合EPROM和EEPRO
- 關(guān)鍵字： SRAM DRAM
3D Touch引爆市場 國產(chǎn)壓力觸控廠商加速布局
- 一場觸控界的革新，因為蘋果的參與而讓市場沸騰起來。新iPhone9月10日(北京時間)發(fā)布后，搭載的3D Touch技術(shù)讓消費者們對手機操控有了新鮮感。這讓壓力觸控廠商們很是興奮，經(jīng)歷了長久蟄伏期之后，他們看到了潛在的市場爆點。不過興奮的同時，產(chǎn)業(yè)鏈廠商們也沒有太過樂觀，因為安卓市場才是引爆市場的關(guān)鍵，而這恐怕還需等待一段時間。 為部分App帶來革命性體驗 壓感觸控技術(shù)是指在現(xiàn)有手機平面操作的基礎(chǔ)上增加第三種維度——重力感應(yīng)，根據(jù)力度的不同，調(diào)用的菜單也有所區(qū)別。而
- 關(guān)鍵字： 壓力觸控 3D Touch
18吋晶圓技術(shù)成本過高 12吋將續(xù)為業(yè)者主力
- 雖然較大尺寸晶圓的生產(chǎn)材料和技術(shù)成本高于小尺寸晶圓，但由于較大晶圓可以切割出更多的芯片，因此經(jīng)驗顯示，就每單位芯片成本而言，大尺寸晶圓技術(shù)至少會比小尺寸晶圓降低20%。 然而在實務(wù)上，要采用大尺寸晶圓生產(chǎn)技術(shù)，業(yè)者必須要先行投入大筆經(jīng)費。因此在資金和技術(shù)的障礙下，各業(yè)者往往會采用將現(xiàn)有技術(shù)進行效率最大化的方式進行生產(chǎn)，而不是對新開發(fā)的大尺寸晶圓生產(chǎn)技術(shù)進行投資。 以最新18吋(450mm)晶圓生產(chǎn)技術(shù)的采用為例，就正處于這樣一種狀況下。根據(jù)調(diào)研機構(gòu)ICInsights最新公布的2015~2
- 關(guān)鍵字： 晶圓 DRAM
FinFET/3D NAND前景亮 推升半導(dǎo)體設(shè)備需求
- 鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實現(xiàn)更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導(dǎo)體設(shè)備商應(yīng)用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力，已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機臺和磊晶技術(shù)。 應(yīng)用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸指出，隨著先進制程發(fā)展，該公司產(chǎn)品開發(fā)有兩大重點方向，一是電晶體與導(dǎo)線技術(shù)，另一個是圖形制作與檢測技術(shù)。 應(yīng)用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
- 關(guān)鍵字： FinFET 3D NAND
大陸景氣低迷 韓國存儲器廠前景恐難卜
- 雖然大陸景氣疲軟，2015年韓國存儲器廠的業(yè)績展望相對明朗。然大陸智能型手機需求縮減，2016年移動DRAM價格可能下滑，2016年前景反而不透明。 據(jù)ET News報導(dǎo)，全球排名前一、二名的DRAM制造廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)下半年業(yè)績可能會與當初預(yù)期相近，或小幅提升。近來大陸景氣迅速萎縮，但對下半年暫時不會有太大影響。 三星下半年IT及移動裝置(IM)事業(yè)部業(yè)績可能下滑，但半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部的存儲器和系統(tǒng)晶
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM
CMOS傳感3D-IC產(chǎn)能拉升 晶圓級封裝設(shè)備需求增
- 微機電(MEMS)/奈米技術(shù)/半導(dǎo)體晶圓接合暨微影技術(shù)設(shè)備廠商EVGroup(EVG)今日宣布，該公司全自動12吋(300mm)使用聚合物黏著劑的晶圓接合系統(tǒng)目前市場需求殷切，在過去12個月以來，EVG晶圓接合系列產(chǎn)品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等訂單量增加了一倍，主要來自于晶圓代工廠以及總部設(shè)置于亞洲的半導(dǎo)體封測廠(OSAT)多臺的訂單;大部份訂單需求的成長系受惠于先進封裝應(yīng)用挹注，制造端正加速生產(chǎn)CMOS影像感測器及結(jié)合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互連技術(shù)的垂直
- 關(guān)鍵字： CMOS 3D-IC
海力士擴產(chǎn) DRAM不妙
- 全球第二大DRAM廠南韓SK海力士昨(25)日宣布，規(guī)劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺幣8,300億元)，在南韓興建兩座新廠，預(yù)計2024年前竣工。近期DRAM價格好不容易出現(xiàn)止跌訊號，市場憂心，SK海力士大舉擴產(chǎn)，長期將再度使得產(chǎn)業(yè)陷入供過于求。 外電指出，投資人正密切留意記憶體廠新的資本投資，因為大規(guī)模的支出可能導(dǎo)致供給過剩，或引爆價格戰(zhàn)，這對三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業(yè)者都將不利。 受市場憂心SK海力士大舉擴產(chǎn)影響，南亞科昨天股價在臺股大漲逾265點下
- 關(guān)鍵字： 海力士 DRAM
FMS2015XPoint內(nèi)存之思：這個東西屬不屬于PCM？
- 美國閃存峰會上的演講提出假設(shè)性觀點。 3D XPoint內(nèi)存晶圓近照。 本屆閃存記憶體峰會上的一次主題演講對英特爾/美光聯(lián)合打造的3D XPoint內(nèi)存技術(shù)作出了相關(guān)猜測——包括這項技術(shù)的具體定義以及英特爾會在未來如何加以運用。我們就其中的部分內(nèi)容向知識淵博的從業(yè)專家進行了咨詢，并以此為基礎(chǔ)提出自己的觀點——同樣圍繞這兩點，該技術(shù)究竟算是什么、未來又將如何發(fā)展。 本月13號星期四在301-C會話環(huán)節(jié)中作出的這
- 關(guān)鍵字： 閃存 3D XPoint
研調(diào)：DRAM價未來幾季續(xù)跌
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，DRAM市場第2季受到合約均價大幅衰退約10%的影響，雖然位元產(chǎn)出量持續(xù)增長，總產(chǎn)值仍呈現(xiàn)4.8%的季衰退，來到114億美金。在淡季影響下，各DRAM廠營收都呈現(xiàn)衰退走勢，然而由于制程持續(xù)轉(zhuǎn)進，毛利并未大幅縮減，三星、SK海力士與美光的DRAM產(chǎn)品別營業(yè)獲利比例分別為48%、37%與21%，因此DRAM產(chǎn)業(yè)真正的考驗將會落在未來的幾個季度。在需求端如筆電與智慧型手機領(lǐng)域持續(xù)疲弱，但供給端來自20nm/21nm的比例將持續(xù)提升，該機構(gòu)
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
第二季DRAM位元產(chǎn)出量增、產(chǎn)值衰退
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，DRAM市場在 2015年第二季受到合約均價大幅衰退約10%的影響，雖然位元產(chǎn)出量持續(xù)增加，總產(chǎn)值仍呈現(xiàn)4.8%的季衰退，來到114億美元。 在淡季影響下，各DRAM廠第二季營收都呈現(xiàn)衰退走勢，然而由于制程持續(xù)轉(zhuǎn)進，毛利并未大幅縮減，三星(Samsung)、SK海力士(Hynix)與美光(Micron)的DRAM產(chǎn)品別營業(yè)獲利比例分別為48%、37%與21%，因此DRAM產(chǎn)業(yè)真正的考驗將會落在未來的幾季;在需求端如筆電與智慧型
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星
三星降低DRAM產(chǎn)量 為滿足蘋果新iPhone的內(nèi)存需求
- 猶如國內(nèi)股市，今年內(nèi)存持續(xù)降價，已經(jīng)降回多年前的低位。但現(xiàn)在壞消息來了，世界上最大的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)商三星宣布將降低DRAM顆粒的生產(chǎn)量，下個月可能會引起內(nèi)存的價格反彈。 據(jù)臺媒CTIMES News報道，三星將降低30%的普通DRAM顆粒產(chǎn)量，以騰出生產(chǎn)線用于生產(chǎn)手機用的LPDDR內(nèi)存顆粒，預(yù)計在8月到9月，普通內(nèi)存的價格將會提高。 傳聞蘋果的新一代iPhone將搭載2GB LPDDR4內(nèi)存，這意味著蘋果需要采購比去年更多的內(nèi)存顆粒，而現(xiàn)有的供應(yīng)商海力士和鎂光無法
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
DRAM價差縮 研調(diào)：DDR4年底變主流
- 據(jù)記憶體市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange最新報告顯示，第3季初伺服器用記憶體整體市場需求仍未見回溫，在需求端拉貨力道不振下，即便原廠力守價格，代理商對市場信心依然持續(xù)減弱，并出現(xiàn)降價求售，使整體市場價格出現(xiàn)明顯松動。 DRAMeXchange分析師劉家羽表示，由于PC端需求依舊疲軟，標準型記憶體跌價幅度持續(xù)擴張，也使得伺服器用記憶體價格跌幅收斂受阻。 受DDR4跌價沖擊，DDR3價格下殺幅度趨明顯，7月底 8GB/16GB均價來到64與116美元，月跌幅達5~6%;而DDR4 R-DIMM
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR4
3d dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d dram的理解，并與今后在此搜索3d dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d dram的理解，并與今后在此搜索3d dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
3d dram相關(guān)帖子
3d dram資料下載
3d dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473