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          3D NAND風(fēng)暴來襲,中國存儲(chǔ)器廠商如何接招?

          • 中國正在下大力度推進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,3D NAND被認(rèn)為是一個(gè)有利的突破口。
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  存儲(chǔ)器  

          美光3D NAND將殺到!打破三星獨(dú)霸、大戰(zhàn)一觸即發(fā)

          • 目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn),但是先有東芝殺入敵營,如今美光也宣布研發(fā)出3D NAND,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨(dú)大的情況將畫下句點(diǎn),3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!
          • 關(guān)鍵字: 美光  3D NAND  

          面對(duì)大陸攻勢 三星海力士強(qiáng)化3D NAND投資

          •   據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo),大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強(qiáng)力支援下,清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略,迫使南韓、日本、美國等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強(qiáng)化投資。   市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示,全球半導(dǎo)體市場中,NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲(chǔ)進(jìn)行武漢新芯的股權(quán)收購,成立長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司,未來可能引發(fā)NAND Flash市場版圖變化。   清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈,在社會(huì)上擁有一定的影響力,武漢新芯擁有技術(shù)方面
          • 關(guān)鍵字: 三星  3D NAND  

          東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成

          •   東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲(chǔ)器事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會(huì)上表示,將沖刺N(yùn)AND Flash產(chǎn)量,目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴(kuò)增至2015年度的3倍水準(zhǔn)(以容量換算)。   關(guān)于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash,成毛康雄指出,將強(qiáng)化3D Flash的生產(chǎn),目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準(zhǔn)。   東芝為全球第2大NAND Flash廠商,市占率僅次于三星電子。   日經(jīng)、韓國先驅(qū)報(bào)(
          • 關(guān)鍵字: 東芝  3D NAND  

          Cell on Peri構(gòu)造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力

          •   Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構(gòu)造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發(fā),采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式,以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察,三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構(gòu)造的COP(Cell Over Peri)方案,將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  美光  

          2016年下半3D NAND供應(yīng)商上看4家 三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢

          •   DIGITIMES Research觀察,2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應(yīng)3D NAND Flash的主要業(yè)者,然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲(chǔ)器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash,三星獨(dú)家供應(yīng)3D NAND Flash的狀況將改變,不過,三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進(jìn),短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢。   三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
          • 關(guān)鍵字: 三星  3D NAND  

          3D保護(hù)玻璃市場產(chǎn)值將于18年超越2D保護(hù)玻璃

          •   觸摸屏的保護(hù)玻璃,又稱之為保護(hù)蓋,用來保護(hù)顯示屏和觸控面板。為了適應(yīng)智能機(jī)的不同設(shè)計(jì)需求,保護(hù)玻璃有不同的形狀。保護(hù)玻璃通常位于顯示器和觸控面板 的頂部,再根據(jù)保護(hù)玻璃的形狀分為2D,2.5D和3D等。隨著智能手機(jī)廠商越來越在外形和時(shí)尚設(shè)計(jì)方面競爭,舒適的手感和靈敏的觸控反應(yīng)越來越重要,這 也鼓勵(lì)著觸控面板廠商開發(fā)形狀更好的保護(hù)玻璃。   2016年用于手機(jī)的3D保護(hù)玻璃出貨量預(yù)計(jì)將增至4,900萬片,占手機(jī)用保護(hù)玻璃市場總量的3.1%。IHS預(yù)測2017年其出貨量將飛漲103.9%達(dá)1億片的規(guī)模,
          • 關(guān)鍵字: 3D  2D保護(hù)玻璃  

          3D NAND成半導(dǎo)體業(yè)不景氣救世主

          •   韓媒NEWSIS報(bào)導(dǎo),韓國半導(dǎo)體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對(duì)策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進(jìn)入量產(chǎn)的技術(shù),在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構(gòu),3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。   3D NAND比20納米級(jí)產(chǎn)品的容量密度高,讀寫速度快,耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲(chǔ)器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?;谏鲜鰞?yōu)點(diǎn),對(duì)于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺(tái)的相關(guān)服務(wù),3D NAND成為具有潛力,有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  半導(dǎo)體  

          3D Touch還不夠好用?蘋果可能另有其謀

          • 任何一個(gè)行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,都有義務(wù)去推進(jìn)新技術(shù)的發(fā)展,隨著后續(xù)功能的適配,3D Touch的未來一片光明。
          • 關(guān)鍵字: 蘋果  3D Touch  

          醫(yī)療新巨頭誕生:6000萬美元的大合并!

          •   去年10月,全球3D打印醫(yī)療應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)3D Medical,與頂級(jí)醫(yī)學(xué)圖像處理技術(shù)開商Mach7合并。如今,這樁交易已經(jīng)宣布完成,合并后的新公司被稱為Mach7 Technologies,并將在澳大利亞證交所上市,交易代碼M7T。   據(jù)悉,3D Medical原本就以向醫(yī)生提供針對(duì)不同病人的3D打印各種定制器官和骨骼模型而知名;而Mach7的主要業(yè)務(wù)則是醫(yī)學(xué)影像技術(shù)。在這筆總額高達(dá)6000萬美元的合并交易完成之后,新公司將會(huì)把總部設(shè)在澳洲的墨爾本。   據(jù)了解,3D Medical和Ma
          • 關(guān)鍵字: 3D Medical  Mach7  

          存儲(chǔ)“芯”發(fā)展 剖析3D NAND閃存市場現(xiàn)狀

          • 國內(nèi)大力扶持存儲(chǔ),各種巨額的投資項(xiàng)目爭議不小,但是為了存儲(chǔ)自主的未來,也值。
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  3D NAND  

          投資10nm/3D NAND 晶圓廠設(shè)備支出今年增3.7%

          •   國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)最新報(bào)告指出,3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資,將驅(qū)動(dòng)2016年晶圓廠設(shè)備支出攀升,預(yù)估2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?In-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出將增長3.7%,達(dá)372億美元;而2017年則可望再成長13%,達(dá)421億美元。   SEMI指出,2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元,較前一年微幅減少0.4%;預(yù)測2016年上半年晶圓廠設(shè)備支出可望緩慢提升,下半年則將開始加速,為2017年儲(chǔ)備動(dòng)能。2017年相關(guān)支出可望回復(fù)兩位數(shù)成
          • 關(guān)鍵字: 晶圓  3D NAND  

          中國砸240億美元躍進(jìn)3D NAND閃存時(shí)代

          • 國內(nèi)終于要有了存儲(chǔ),剩下的問題就是國產(chǎn)閃存應(yīng)該如何與三星、Intel、東芝們競爭呢?初期的價(jià)格戰(zhàn)是不可避免的,但長久來看還得是技術(shù)立足。
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  存儲(chǔ)  

          2016年迎3D NAND技術(shù)拐點(diǎn),誰輸在起跑線?

          •   為了進(jìn)一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益,2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn),但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限,加快向3D技術(shù)導(dǎo)入已迫在眉睫,2016年將真正迎來NAND Flash技術(shù)拐點(diǎn)。   1、積極導(dǎo)入48層3D技術(shù)量產(chǎn),提高成本競爭力   與2D工藝相比,3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲(chǔ)容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達(dá)128Gb,與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。  
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  2D  

          3D NAND技術(shù)謹(jǐn)慎樂觀 中國存儲(chǔ)產(chǎn)能有望釋放

          •   全球DRAM市場先抑后揚(yáng)。2015年DRAM收入預(yù)計(jì)下降2.4%,2016年將下降10.6%,有望在2017年與2018年迎來復(fù)蘇。但是,預(yù)測隨著中國公司攜本地產(chǎn)品進(jìn)入DRAM市場,DRAM價(jià)格將在2019年再次下降;占2014年內(nèi)存用量需求20.9%的傳統(tǒng)產(chǎn)品(桌面PC與傳統(tǒng)筆記本電腦)產(chǎn)量預(yù)計(jì)在2015年下降11.6%,并在2016年進(jìn)一步下降6.7%。   DRAM市場2016年供過于求   近期,我們對(duì)于DRAM市場的預(yù)測不會(huì)發(fā)生顯著變化;2015年與2016年將遭遇市場總體營收下滑,而在
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  
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