3d nand 文章 進入3d nand技術社區(qū)
存儲器廠商Q1虧損恐難逃
- 由于DRAM及NAND Flash第一季價格續(xù)跌，加上庫存水位過高，終端消費支出持續(xù)放緩，據(jù)外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務恐因提列庫存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價導致營收及毛利率持續(xù)下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報導，三星電子3月19日提交給韓國金融監(jiān)督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產(chǎn)達到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中，占三星營收比重最高的半導
- 關鍵字： 存儲器 DRAM NAND Flash
存儲大廠展示300層NAND Flash，預計最快2024年問世
- 近日，在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上，韓國存儲器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲器預定兩年內(nèi)上市，有望打破紀錄。外媒報導，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開發(fā)，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/
- 關鍵字： 300層 NAND Flash SK海力士
平面→立體，3D DRAM重定存儲器游戲規(guī)則？
- 近日，外媒《BusinessKorea》報道稱，三星的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據(jù)稱這將改變存儲器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來，這份偉大的成就為半導體行業(yè)締造了一個影響巨大且市場規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
- 關鍵字： 3D DRAM 存儲器
(2023.3.20)半導體周要聞-莫大康
- 半導體一周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號器件的替代開發(fā)近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎，華為總裁任正非發(fā)表了講話，部分參與座談的大學發(fā)布了座談紀要。任正非表示，在美國制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復換板開發(fā)等，直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來，因為有了國產(chǎn)的零部件供應。任正非表示，華為現(xiàn)在還屬于困難時期，但在前進的道路上并沒有停步
- 關鍵字： 半導體 莫大康 華為 NAND 光刻機
均價跌幅擴大，2022年第四季NAND Flash總營收環(huán)比下跌25%
- TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，NAND Flash市場自2022年下半年以來面臨需求逆風，供應鏈積極去化庫存加以應對，此情況導致第四季NAND Flash合約價格下跌20~25%，其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約23~28%。在原廠積極降價求量的同時，客戶為避免零部件庫存再攀高，備貨態(tài)度消極，使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長僅5.3%，平均銷售單價環(huán)比減少22.8%，2022年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比下跌25.0%，達
- 關鍵字： 集邦 NAND Flash
外媒：存儲大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化
- 據(jù)外媒《BusinessKorea》報道，三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長兼工藝開發(fā)室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區(qū)三成洞韓國貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認為是半導體產(chǎn)業(yè)的未來增長動力?？紤]到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現(xiàn)有
- 關鍵字： 存儲 3D DRAM
芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”
- 國內(nèi)EDA行業(yè)領導者芯和半導體，由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設計分析方面的杰出表現(xiàn)，近日在半導體行業(yè)國際在線平臺3D InCites的評選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱號。? “Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設計，這一事件引起了我們極大的關注?！?D InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D InCi
- 關鍵字： 芯和半導體榮 3D InCites Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎
芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter年度最佳設計工具供應商獎”
- 國內(nèi)EDA行業(yè)領導者芯和半導體，由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設計分析方面的杰出表現(xiàn)，近日在半導體行業(yè)國際在線平臺3D InCites的評選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱號。?“Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設計，這一事件引起了我們極大的關注?！?D?InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D
- 關鍵字： 芯和半導體 3D InCites Herb Reiter年度最佳設計工具供應商獎
支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng)新
- 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動應用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能）的性能，就需要對架構(gòu)、材料和核心制造流程進行復雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構(gòu)、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺，包括一個或多
- 關鍵字： 3D NAND DRAM 5nm SoC
西部數(shù)據(jù)宣布進一步削減生產(chǎn)和投資，NAND 晶圓產(chǎn)量將減少至 30%
- IT之家 2 月 7 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報道，在內(nèi)存半導體行業(yè)持續(xù)低迷的情況下，全球 NAND 閃存市場第四大公司西部數(shù)據(jù)宣布將進一步縮減設備投資和生產(chǎn)。西部數(shù)據(jù) 1 月 31 日在 2022 年第四季度業(yè)績電話會議上表示，2023 財年設備投資總額將達到 23 億美元（當前約 156.17 億元人民幣）。據(jù)IT之家了解，這一數(shù)字比 2022 年 10 月披露的 27 億美元（當前約 183.33 億元人民幣）下降了 14.8%，與 2022 年 8 月公布
- 關鍵字： NAND 內(nèi)存 西部數(shù)據(jù)
意法半導體和鈺立微電子在 CES 2023上展出合作成果： 適用于機器視覺和機器人的3D 立體視覺攝像頭
- 雙方將通過立體攝像頭數(shù)據(jù)融合技術演示3D立體深度視覺， *AIoT 、AGV小車和工業(yè)設備依靠3D立體攝像頭跟蹤快速運動物體參考設計利用意法半導體的高性能近紅外全局快門圖像傳感器，確保打造出最佳品質(zhì)的深度感測和*點云圖資訊2023年1月5日，中國----在 1 月 5 日至 8 日舉行的拉斯維加斯CES 2023 消費電子展上，服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)，和專
- 關鍵字： 意法半導體 鈺立 CES 2023 機器視覺 3D 立體視覺攝像頭
NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成
- 消費性固態(tài)硬盤（Client SSD）受惠于疫情紅利，在過去二年作為推動全球NAND Flash需求位成長的要角，市調(diào)機構(gòu)集邦預估，2022年消費性SSD在筆電的滲透率達92％，2023年約96％。但隨疫情紅利退場，加上總經(jīng)不佳導致消費性電子需求急凍，未來消費性SSD需求放緩最明顯，連帶使整體NAND Flash需求位成長受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消費性SSD于筆電搭載容量已逾500GB，512GB消費性SSD在近期迅速跌價后，已與半年前256GB報價相近，甚至
- 關鍵字： NAND Flash
基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設計與實現(xiàn)
- 在現(xiàn)代電子設備中，越來越多的產(chǎn)品使用NAND FLASH芯片來進行大容量的數(shù)據(jù)存儲，而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據(jù)NAND FLASH的特點，需要識別NAND FLASH芯片的壞塊并進行管理。FPGA對壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設計方法，利用FPGA中RAM模塊，設計了狀態(tài)機電路，靈活地實現(xiàn)壞塊表的建立、儲存和管理，并且對該設計進行測試驗證。
- 關鍵字： NAND FLASH FPGA 壞塊 壞塊檢測 202212
如何達到3D位置感測的實時控制
- 本文回顧3D霍爾效應位置傳感器的基礎知識，并描述在機器人、篡改偵測、人機接口控制和萬向節(jié)馬達系統(tǒng)中的用途；以及介紹高精密度線性3D霍爾效應位置傳感器的范例。用于實時控制的3D位置感測在各種工業(yè)4.0應用中不斷增加，從工業(yè)機器人、自動化系統(tǒng)，到掃地機器人和保全。3D霍爾效應位置傳感器是這些應用的理想選擇；它們具有高重復性和可靠性，還可以與窗戶、門和外殼搭配，進行入侵或磁性篡改偵測。盡管如此，使用霍爾效應傳感器設計有效且安全的3D感測系統(tǒng)可能復雜且耗時。霍爾效應傳感器需要與足夠強大的微控制器（MCU）介接，以
- 關鍵字： 3D位置感測 實時控制 3D 霍爾效應傳感器
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