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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d x-dram

          紫光國芯又有動作 下一代DRAM產品開發(fā)進展順利

          •   8月21日晚,據(jù)紫光國芯發(fā)布的2017上半年財報顯示,公司上半年盈利1.23億元,同比下降17.86%。新產品開發(fā)方面,紫光國芯最新開發(fā)完成的NAND Flash已經開始了市場推廣,下一代DRAM產品開發(fā)進展順利。   作為中國半導體行業(yè)的龍頭企業(yè),紫光國芯表示,受公司持續(xù)加大可編程系統(tǒng)芯片、存儲器芯片的研發(fā)投入等眾多因素的影響,使得上半年凈利潤下滑。   據(jù)了解,紫光國芯主營業(yè)務為集成電路芯片設計與銷售,并致力于向用戶提供先進的芯片設計產品以及專業(yè)的芯片解決方案。產品主要包括智能卡芯片、特種集成
          • 關鍵字: 紫光  DRAM  

          圍繞半導體芯片設計布局,紫光國芯下一代DRAM開發(fā)順利

          •   今年以來,全球集成電路市場增長迅速,我國集成電路產業(yè)在國家政策引導、市場需求拉動的雙重作用下,繼續(xù)保持了平穩(wěn)快速的發(fā)展。其中,頗具產業(yè)代表的紫光國芯股份有限公司(以下簡稱“紫光國芯”)以“自主創(chuàng)新”與“國際合作”相結合的發(fā)展路徑,圍繞芯片設計核心業(yè)務,同時開拓了存儲器芯片、智能芯片等集成電路產品相關應用市場。   8月21日晚間,紫光國芯發(fā)布了2017上半年財報,財報顯示,公司上半年實現(xiàn)營收8.01億元,同比增長24.01%;歸
          • 關鍵字: 紫光國芯  DRAM  

          DRAM持續(xù)火爆 再迎創(chuàng)紀錄的營收總值

          • 雖然全球DRAM供應短缺的問題正得到逐步緩解,但供需之間仍存在充足的缺口——至少能夠讓各芯片制造商繼續(xù)迎來創(chuàng)紀錄的營收總值。
          • 關鍵字: DRAM  芯片  

          臺媒:大陸DRAM突破技術障礙還得靠臺灣

          •   據(jù)臺灣經濟日報報道,大陸積極發(fā)展內存產業(yè),但由于仍難突破三DRAM大廠的技術防線,在政策與時間壓力下,反而凸顯臺廠扮演關鍵少數(shù)的重要性,業(yè)界分析臺廠未來勢必成為大陸首要爭取合作的對象。   大陸的內存產業(yè),目前形成紫光集團、合肥睿力及福建晉華等三大勢力,但在美光發(fā)動司法調查,緊盯三大廠竊取專利和營業(yè)秘密行為后,日前紫光已表態(tài)未來將朝自主研發(fā)前進。   另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導的團隊,仍如火如荼進行,并宣示明年要切入19nm生產DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作,委托聯(lián)電開發(fā)DRAM相關制程技
          • 關鍵字: DRAM  聯(lián)電  

          三大內存創(chuàng)最缺且漲勢最久紀錄,手機品牌包產能

          •   DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內存會一直缺貨到明年,許多客戶搶貨,已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產能。 業(yè)界指出,未簽訂長約的客戶,內存供貨將短缺,沖擊產品上市或出貨時程。   集邦、IC Insight等研究機構最近紛紛出具報告,強調DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應在下半年顯現(xiàn),缺貨問題更嚴重。   業(yè)界表示,三大內存應用范圍廣,尤其NOR Flash幾乎是各電子產品儲存程序代碼關鍵組件,雖然單價遠比DRAM
          • 關鍵字: NAND  DRAM  

          臺媒:大陸DRAM突破技術障礙還得靠臺灣

          •   據(jù)臺灣經濟日報報道,大陸積極發(fā)展內存產業(yè),但由于仍難突破三DRAM大廠的技術防線,在政策與時間壓力下,反而凸顯臺廠扮演關鍵少數(shù)的重要性,業(yè)界分析臺廠未來勢必成為大陸首要爭取合作的對象。   大陸的內存產業(yè),目前形成紫光集團、合肥睿力及福建晉華等三大勢力,但在美光發(fā)動司法調查,緊盯三大廠竊取專利和營業(yè)秘密行為后,日前紫光已表態(tài)未來將朝自主研發(fā)前進。   另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導的團隊,仍如火如荼進行,并宣示明年要切入19nm生產DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作,委托聯(lián)電開發(fā)DRAM相關制程技
          • 關鍵字: DRAM  SK海力士  

          3D Touch步入市場應用關鍵期 NDT今年將出貨1000萬片

          •   “3D Touch從今年開始將邁入實質性進展的一年。”自2015年Apple Watch最早采用Force Touch,隨后iPhone 6s/6s Plus問世,帶來了我們熟知的3D Touch,壓力觸控技術開始由平面轉向三維,給人機交互帶來了新風潮。   然而,在iPhone 6s推出前后,包括中興、華為、HTC、小米、金立等手機廠商都有推出支持3D Touch功能的新品,但整個市場依舊涇渭分明,不溫不火。   跟風蘋果3D Touch但受兩大因素限制   自蘋果把3
          • 關鍵字: 3D Touch  NDT  

          第二季PC DRAM合約價漲逾一成,全球DRAM營收季增16.9%

          •   集邦咨詢內存儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示,2017年第二季的DRAM產業(yè)營收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價格方面來看,由于客戶端已經將庫存水位逐步往上提升,第二季供不應求狀況雖不至于像第一季度嚴重,但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標準型內存與服務器用內存第二季價格上漲逾一成,行動式內存則因中國品牌手機廠下修出貨數(shù)量,價格僅小幅上漲5%內。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出,觀察市場面,受惠于平均銷售單價的上揚與新制程的持續(xù)轉進,大規(guī)模的擴張產能至今年年底仍未見,全球DRAM市場第二
          • 關鍵字: DRAM  NOR  

          并購路不易走 中國芯片產業(yè)如何實現(xiàn)自主替代?

          • 在海外并購道路障礙重重的情況下,我們通過培養(yǎng)積蓄人才來為中國創(chuàng)“芯”積攢力量,向2020年實現(xiàn)芯片自給率40%、2025年自給率70%的目標前進,是更為有效地打破“缺芯”現(xiàn)狀實現(xiàn)自主替代的路徑。
          • 關鍵字: 芯片  DRAM  

          IC Insights:今年全球IC分類增長排行,DRAM達55%

          •   根據(jù)市場研究調查機構 IC Insights 的預估,2017 年全球 IC 市場可望成長約 16%。 其中,在DRAM將成長更將達 55%,將是 2017 年中成長幅度最大的 IC 產品。    ?   IC Insights 表示,DRAM 市場 2013 年與 2014 年分別成長 32% 及 34%,也都是當年成長最大的 IC 產品領域。 統(tǒng)計過去 5 年,DRAM 市場經常是成長最大,或者衰退最大的 IC 產品項目,顯示 DRAM 市場變化極端的特性。 不過,DRAM 市
          • 關鍵字: DRAM  IC  

          背靠聯(lián)電的技術,晉華存儲DRAM實力能否殺出重圍?

          •   在2016年7月16日,投資370億元人民幣、月產6萬片12吋內存晶圓、年產值達12億美元的晉華存儲器集成電路生產線一期項目開工儀式。        據(jù)資料顯示,晉華存儲器集成電路生產項目由福建省電子信息集團和泉州、晉江兩級政府共同投建,總規(guī)劃面積594畝,預計于2018年9月達產。作為國家重點支持的DRAM存儲器生產項目,晉華項目已納入國家“十三五”集成電路重大生產力布局規(guī)劃重大項目清單,并獲得首筆30億元國家專項建設基金支持。   此項目堪稱晉江所有重
          • 關鍵字: 晉華存儲  DRAM  

          全球半導體2017年增速將達16%,其中10種產品增速可達兩位數(shù)

          • ,世界半導體貿易統(tǒng)計組織(WSTS)將半導體分為33個大類。近日,市場調研機構IC Insights給出了這33類產品在2017年市場狀況的預期。   33種IC產品2017年增速排名(預計)如下圖所示。增速最快的是DRAM,這并不意外,2017年上半年DRAM價格異常出色,IC Insights預計2017年DRAM總銷售額同比增長55%,從而成為半導體細分市場增長率冠軍。問鼎增長率冠軍對DRAM市場而言并不是新鮮事,2013年和2014年DRAM同樣引領整個產業(yè)增長。在過去5年,DRAM要么是增長率
          • 關鍵字: 半導體  DRAM  

          3D NAND究竟出了什么問題?

          • 3D NAND比平面NAND更昂貴,但大家都期待它將有助于快速地降低NAND的成本,以及取代平面NAND,這是為什么呢?
          • 關鍵字: 3D NAND  存儲器  

          三星計劃調整Q4Mobile DRAM合約價 漲幅約10%

          •   全球DRAM龍頭韓國三星電子近期通知相關電子委托制造廠,計劃調漲第4季行動式存儲器(Mobile DRAM)合約價,漲幅近一成,反映DRAM供貨短缺仍未紓解,漲勢可望延續(xù)至今年第4季,南亞科和華邦電等同步受惠。   存儲器業(yè)者強調,DRAM從去年起漲,主要受惠資料中心的服務器用DRAM需求強勁,加上網通類產品的需求隨導入嵌入式多芯片封裝存儲器的整合架構,帶動DRAM需求增加,但供給端因DRAM產業(yè)制程已接近極限,前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠,造成供貨緊縮,使平均銷售單價居高不下,
          • 關鍵字: 三星  DRAM  

          三大內存罕見同時缺貨,三星DRAM再漲10%

          •   DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內存持續(xù)供貨短缺,創(chuàng)下史上罕見同缺記錄。 其中DRAM和NAND內存,更寫下史上最長漲勢。   內存業(yè)界表示,2008及2015年都出現(xiàn)過DRAM大漲,但多是因跌深或供貨商發(fā)生爆炸意外所造成的供需失衡,且DRAM和NAND Flash產能會排擠,很少看到兩大內存同漲。   這次DRAM和NAND內存兩大內存缺貨超乎預期且價格上漲,主要來自數(shù)據(jù)中心、移動設備及計算機三大領域應用需求強,前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠,造成供貨緊縮
          • 關鍵字: 三星  DRAM  
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          3d x-dram介紹

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