3d x-dram 文章 進(jìn)入3d x-dram技術(shù)社區(qū)
2017年全球IC市場規(guī)模年增16% 成長幅度創(chuàng)近年新高
- 隨著DRAM與NAND Flash市場規(guī)模大幅成長，調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)估，2017年全球整體IC市場規(guī)模將較2016年大幅成長16%，創(chuàng)下自2010年增33%以來，最佳年增紀(jì)錄。亦為2000年以來，第5度IC市場規(guī)模年增幅度達(dá)到雙位數(shù)百分比。 2017年全球DRAM市場規(guī)模將會年增55%，NAND Flash年增35%。不過該機(jī)構(gòu)亦指出，促使DRAM與NAND Flash市場大幅成長的最主要因素，是來自于DRAM與NAND Flash平均售價(jià)(ASP)的攀升，并不是受到DRAM與N
- 關(guān)鍵字： IC DRAM
半導(dǎo)體行業(yè)競爭激烈 國內(nèi)半導(dǎo)體還需渡過哪些難關(guān)
- 過去兩年來，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用的火熱發(fā)展，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來了新一輪熱潮。中國半導(dǎo)體制造設(shè)備也因此成為全球增速最快的市場，且下游需求良好，前景可期。 通盤來看，全球前十大半導(dǎo)體廠，有 英特爾、三星、SK海力士、美光、博通、高通、德州儀器、東芝、恩智浦、英飛凌。 國外對于中國半導(dǎo)體發(fā)展采取的措施 眾所周知，半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)主要是來自于美日韓半導(dǎo)體廠商的，他們在半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展已有數(shù)十載，技術(shù)成熟，專利頗多，而對于中國近年內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的飛速發(fā)展他們也采取了各種防堵措施，
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM
DRAM 第三季度合約價(jià)持續(xù)攀高，七月漲幅約 4.6%
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示，DRAM價(jià)格從去年下半年起漲至2017年上半年，依然維持強(qiáng)勁上漲力道，今年第一季的PC DRAM合約均價(jià)來到24美元，漲幅逼近四成;第二季均價(jià)亦來到27美元，亦有超過一成的漲幅。7月PC DRAM合約價(jià)持續(xù)上揚(yáng)約4.6%，預(yù)估下半年價(jià)格將會維持小幅上漲態(tài)勢。 旺季需求與七月華亞科氣體事件，DRAM供貨維持吃緊態(tài)勢 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，時序進(jìn)入下半年，DRAM產(chǎn)業(yè)供需也進(jìn)入傳統(tǒng)旺季，原本就呈現(xiàn)吃緊的DRAM市場更
- 關(guān)鍵字： DRAM
存儲器分類匯總，DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎？
- RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍(lán)色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM，random?access?memory(隨機(jī)存取存儲器)的縮寫，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區(qū)別?！ RAM：靜態(tài)隨機(jī)存儲器，就是它不需要刷新電路，不像動態(tài)隨機(jī)存儲器那樣，每隔一段時間就要刷新一次數(shù)據(jù)。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
ICinsights:DRAM、NAND售價(jià)已暴漲一年
- IC Insights的報(bào)告顯示，DRAM及NAND Flash售價(jià)已經(jīng)連續(xù)四個季度上漲。 不過因?yàn)樵瓘S紛紛提出擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，IC Insights稍早憂心忡忡認(rèn)為，未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長江存儲，都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能，大陸還有新建廠商也會加入戰(zhàn)場，3D NAND Flash產(chǎn)能供過于求的可能性相當(dāng)高。 近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進(jìn)行3D NAND Flash和DRAM兩大內(nèi)存
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
存儲芯片銷售飆升：SK海力士第二季度獲利創(chuàng)新高
- 北京時間7月25日上午消息，韓國芯片制造商SK海力士周二稱，由于存儲芯片需求強(qiáng)勁，其第二季營業(yè)利潤較上年同期飆升574%，創(chuàng)有史以來新高，符合市場預(yù)期。 該財(cái)報(bào)刷新上次在第一季創(chuàng)下的歷史高位，SK海力士因而有望朝分析師所預(yù)估的史上最高年?duì)I業(yè)利潤13萬億韓元(約合786.54億人民幣)邁進(jìn)。 SK海力士表示，4-6月獲利為3.1萬億韓元(約合187.56億人民幣)。營收增長70%至6.7萬億韓元(約合405.37億人民幣)。DRAM芯片出貨量較1-3月增長3%，平均售價(jià)上漲11%;NAND芯
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
SK海力士今年投資規(guī)模上看62億美元 致力于技術(shù)提升
- 以往半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競爭要素在產(chǎn)能擴(kuò)大與降低成本，但制程愈趨于先進(jìn)，研發(fā)難度提高，投資規(guī)模擴(kuò)大不保證能帶來對等獲利。面對產(chǎn)業(yè)環(huán)境改變，SK海力士(SK Hynix)期盼借由技術(shù)創(chuàng)新開拓全球市場。 據(jù)韓媒每日經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，SK海力士計(jì)劃在2017年下半提高10納米級DRAM生產(chǎn)比例，并持續(xù)增加14納米NAND Flash產(chǎn)量，以取得更具優(yōu)勢的成本競爭力，提高事業(yè)獲利性。 SK海力士將持續(xù)以大規(guī)模研發(fā)投資提高技術(shù)競爭力。 資通訊技術(shù)發(fā)達(dá)帶動存儲器需求成長，移動裝置用DRAM及NAND Flash
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
Gartner預(yù)測2017年全球半導(dǎo)體收入將達(dá)到4千億美元
- 根據(jù)全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問公司Gartner的最新預(yù)測，2017年全球半導(dǎo)體總體收入將首度突破4,000億美元大關(guān)，達(dá)到4014億美元，較2016年增加16.8%。2010年全球半導(dǎo)體收入曾創(chuàng)下3000億美元的紀(jì)錄，更早之前則是在2000年超過了2000億美元?！ artner研究副總裁Andrew Norwood表示：“存儲器的短缺正在帶動半導(dǎo)體市場的整體繁榮。由于存儲器廠商抬高DRAM和NAND的價(jià)格，其收入和利潤亦隨之增長?！薄 artner預(yù)計(jì)2017年存儲器市場的收入漲幅
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM
下半年存儲器漲勢迎拐點(diǎn)：2017全年價(jià)格漲幅仍十分可觀
- 市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights表示，2017年DRAM和NAND型閃存銷售額都將創(chuàng)出歷史新高，而DRAM和NAND閃存創(chuàng)新高的原因都是由于價(jià)格瘋漲。該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，2017年DRAM出貨量同比下降，而NAND閃存也僅增長2%，閃存出貨量增長對存儲器銷售額創(chuàng)新高雖然是正面作用，但并非主要原因。 存儲器價(jià)格上漲始于2016年第二季度，到2017年上半年為止，每季度價(jià)格都持續(xù)向上走。如圖所示，從2016年第三季度，到2017年第二季度，DRAM價(jià)格季度平均增長率為16.8%，NAND閃存價(jià)格季度平均增
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM
晉華DRAM制程技術(shù)開發(fā)技術(shù)合同通過評審,交易額4億美元
- 據(jù)科技日報(bào)報(bào)道，記者從福建省晉江科技和知識產(chǎn)權(quán)局獲悉，福建省晉華集成電路有限公司的“DRAM制程技術(shù)開發(fā)”重大技術(shù)合同通過評審，相關(guān)技術(shù)將填補(bǔ)國內(nèi)空白。 合同成交總金額達(dá)7億美元，其中技術(shù)交易額4億美元，折合人民幣26.0984億元，是目前國內(nèi)經(jīng)評審認(rèn)定最大金額的單項(xiàng)技術(shù)合同。 評審會上，合同雙方通過技術(shù)合作開發(fā)的方式，開發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)，推動DRAM生產(chǎn)線的建設(shè)及技術(shù)國產(chǎn)化，將完善我國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。來自福建省內(nèi)外的集成電路制造、技術(shù)合同管理、稅務(wù)及財(cái)務(wù)專家
- 關(guān)鍵字： 晉華 DRAM
3d x-dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d x-dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d x-dram的理解，并與今后在此搜索3d x-dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d x-dram的理解，并與今后在此搜索3d x-dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
3d x-dram電路
3d x-dram相關(guān)帖子
3d x-dram資料下載
3d x-dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473