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          三星LPDDR5X DRAM已在高通驍龍移動(dòng)平臺(tái)上驗(yàn)證使用

          • 今日三星宣布,高通技術(shù)公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經(jīng)驗(yàn)證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM,并應(yīng)用于高通技術(shù)公司的驍龍(Snapdragon?)移動(dòng)平臺(tái)。自去年11月開(kāi)發(fā)出三星首款基于14nm的LPDDR5X DRAM以來(lái),三星與高通技術(shù)公司密切合作,優(yōu)化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X,用于驍龍移動(dòng)平臺(tái)。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機(jī)上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍,有
          • 關(guān)鍵字: 三星  LPDDR5X  DRAM  高通  驍龍  

          摩爾定律如何繼續(xù)延續(xù):3D堆疊技術(shù)或許是答案

          • 按照摩爾定律進(jìn)一步縮減晶體管特征尺寸的難度越來(lái)越大,半導(dǎo)體工藝下一步發(fā)展走到了十字路口。在逼近物理極限的情況下,新工藝研發(fā)的難度以及人力和資金的投入,也是呈指數(shù)級(jí)攀升,因此,業(yè)界開(kāi)始向更多方向進(jìn)行探索。
          • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  3D  堆疊技術(shù)  

          雙目立體賦能3D機(jī)器視覺(jué),銀牛攜芯片模組登陸中國(guó)市場(chǎng)

          • 1? ?幾種3D深度感知技術(shù)比較3D深度感知主要有3個(gè)技術(shù)方向:雙目立體,結(jié)構(gòu)光,飛行時(shí)間(ToF),結(jié)構(gòu)光起步比較早,但是技術(shù)的局限性較大,而雙目立體的發(fā)展速度較快,勢(shì)頭迅猛。從物理原理上,雙目立體和結(jié)構(gòu)光二者都用了三角測(cè)距,但是雙目立體是依靠自然的紅外反射在攝像頭上產(chǎn)生特征點(diǎn),來(lái)計(jì)算對(duì)象物深度的數(shù)據(jù)。結(jié)構(gòu)光需要有一個(gè)發(fā)射光的發(fā)射源,帶編碼的光到了對(duì)象物體再反射回來(lái)來(lái)計(jì)算這個(gè)深度。結(jié)構(gòu)光的弱點(diǎn)是在室外時(shí),結(jié)構(gòu)光發(fā)射帶編碼的光經(jīng)常受到環(huán)境的干擾;而雙目立體不容易受到室外光的干擾,因此室
          • 關(guān)鍵字: 3D  雙目  深度  

          微結(jié)構(gòu)不均勻性(負(fù)載效應(yīng))及其對(duì)器件性能的影響:對(duì)先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

          • 隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限,制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能(和良率)的主要因素。而對(duì)于先進(jìn)的DRAM,晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結(jié)構(gòu)中,電容存儲(chǔ)單元的充放電過(guò)程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限,制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能(和良率)的主要因素。而對(duì)于先進(jìn)的DRAM,晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中,我們將為大家呈現(xiàn),如何利用SEMulator3D研究先進(jìn)DR
          • 關(guān)鍵字: DRAM  微結(jié)構(gòu)  

          美光確認(rèn)EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn):1γ節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入

          • 三星、SK海力士及美光確定未來(lái)會(huì)用EUV工藝,其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息,CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后,EUV光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級(jí)別。三星、SK海力士及美光也確定未來(lái)會(huì)用EUV工藝,其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認(rèn),美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍(lán)圖,將由10nm世代中的1γ(gamma)工藝節(jié)點(diǎn)開(kāi)始導(dǎo)入。美光EUV工藝DRAM將會(huì)先在臺(tái)中A3廠生產(chǎn),預(yù)
          • 關(guān)鍵字: 美光  EUV  DRAM  

          TrendForce:第四季PC DRAM合約價(jià)將轉(zhuǎn)跌0~5%

          • 根據(jù)TrendForce調(diào)查,第三季PC DRAM合約價(jià)格的議定大致完成,受惠于DRAM供貨商的庫(kù)存量偏低以及旺季效應(yīng),本季合約價(jià)調(diào)漲3~8%,但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起,DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)已提前出現(xiàn)PC DRAM需求疲弱的態(tài)勢(shì)。賣方積極調(diào)節(jié)手上庫(kù)存,持續(xù)降價(jià)求售。合約市場(chǎng)方面,先前PC OEMs因擔(dān)憂長(zhǎng)短料問(wèn)題而大量備料,使DRAM庫(kù)存已達(dá)高水位,庫(kù)存迭高問(wèn)題成為漲價(jià)的阻力,再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低,進(jìn)而拉低PC DRAM的總需求量。因此,預(yù)估PC DRAM合約價(jià)于第四
          • 關(guān)鍵字: TrendForce  PC DRAM  

          三星將在不久后開(kāi)始生產(chǎn)768GB DDR5內(nèi)存條

          •   三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好,其內(nèi)存業(yè)務(wù)也不例外。該公司預(yù)計(jì)該部門(mén)將持續(xù)增長(zhǎng),尤其是針對(duì)高端服務(wù)器和高性能計(jì)算(HPC)市場(chǎng)的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動(dòng)其用于此類用途的高密度內(nèi)存模塊,該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個(gè)512GB DDR5 DRAM模塊,從任何角度看都是一個(gè)真正的高容量解決方案?! 〉聦?shí)證明,這家韓國(guó)巨頭可能還不滿足,因?yàn)樗?jì)劃在不久的將來(lái)的某個(gè)時(shí)候更進(jìn)一步,生產(chǎn)768GB DDR5模塊,也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財(cái)報(bào)電
          • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存  DRAM  DDR5    

          EUV技術(shù)開(kāi)啟DRAM市場(chǎng)新賽程

          • SK海力士公司在7月12日表示,本月已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動(dòng)DRAM —— 他們將在該內(nèi)存芯片生產(chǎn)中應(yīng)用極紫外(EUV)工藝,這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應(yīng)用EUV。根據(jù)SK海力士的說(shuō)法,比起前一代規(guī)格的產(chǎn)品,第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數(shù)量增加了約25%,成本競(jìng)爭(zhēng)力很高。新的芯片將在今年下半年開(kāi)始供應(yīng)給智能手機(jī)制造商,并且還將在2022年初開(kāi)始生產(chǎn)的DDR5芯片中應(yīng)用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明,正式啟用EUV光刻機(jī)閃存內(nèi)存芯片,批量生產(chǎn)采用
          • 關(guān)鍵字: EUV  DRAM  

          SK海力士開(kāi)始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的第四代10納米級(jí)DRAM

          • SK海力士宣布已于7月初開(kāi)始量產(chǎn)適用第四代10納米(1a)級(jí)工藝的?8Gigabit(Gb)?*LPDDR4 移動(dòng)端DRAM產(chǎn)品。* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專為移動(dòng)終端開(kāi)發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格?!癉DR” 為電子工程設(shè)計(jì)發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(huì)(Joint Electron Device Engineering Council,簡(jiǎn)稱JEDEC)規(guī)定的DRAM規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)名稱,DDR1-2-3-4為其順序進(jìn)行換代。?圖1.
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  10納米  DRAM  

          AMD推動(dòng)高效能運(yùn)算產(chǎn)業(yè)發(fā)展 首款3D chiplet應(yīng)用亮相

          • AMD展示了最新的運(yùn)算與繪圖技術(shù)創(chuàng)新成果,以加速推動(dòng)高效能運(yùn)算產(chǎn)業(yè)體系的發(fā)展,涵蓋游戲、PC以及數(shù)據(jù)中心。AMD總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)蘇姿豐博士發(fā)表AMD在高效能運(yùn)算的最新突破,揭示AMD全新3D chiplet技術(shù);與業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠商特斯拉和三星合作,擴(kuò)大了AMD運(yùn)算與繪圖技術(shù)在汽車與手機(jī)市場(chǎng)的應(yīng)用;新款A(yù)MD Ryzen處理器瞄準(zhǔn)狂熱級(jí)玩家與消費(fèi)性PC;最新AMD第3代EPYC處理器所帶來(lái)領(lǐng)先的數(shù)據(jù)中心效能;以及為游戲玩家提供的一系列全新AMD繪圖技術(shù)。 AMD總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)蘇姿豐展示AMD全新3D chi
          • 關(guān)鍵字: AMD  3D chiplet  Ryzen  

          美光力推業(yè)界首款176層NAND與 1α DRAM 技術(shù)創(chuàng)新

          • 近日,在一年一度的COMPUTEX 2021線上主題演講中,美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra代表美光發(fā)布多項(xiàng)產(chǎn)品創(chuàng)新,涵蓋基于其業(yè)界領(lǐng)先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內(nèi)存和存儲(chǔ)創(chuàng)新產(chǎn)品,并推出業(yè)界首款面向汽車應(yīng)用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創(chuàng)新產(chǎn)品和創(chuàng)新技術(shù)體現(xiàn)了美光通過(guò)內(nèi)存和存儲(chǔ)創(chuàng)新加速數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)洞察的愿景,從而助力數(shù)據(jù)中心和智能邊緣的創(chuàng)新,突出了內(nèi)存和存儲(chǔ)在幫助企業(yè)充分發(fā)揮數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)潛能方面的核心作用。在新的數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)背后,有一
          • 關(guān)鍵字: 美光  176層NAND  1α DRAM   

          什么是3D XPoint?為什么它無(wú)人能敵卻又前景堪憂?

          • 3D Xpoint技術(shù)是美光與英特爾共同開(kāi)發(fā)的一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。據(jù)悉,3D Xpoint的延遲速度僅以納秒計(jì)算,比NAND閃存速度提升1000倍,耐用性也更高,使得在靠近處理器的位置存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)成為可能,可填補(bǔ)DRAM和NAND閃存之間的存儲(chǔ)空白。
          • 關(guān)鍵字: 3D XPoint  美光  英特爾  

          基于天脈1型嵌入式操作系統(tǒng)光纖航姿軟件開(kāi)發(fā)

          • 本文介紹了基于國(guó)產(chǎn)天脈1型操作系統(tǒng)的光纖航姿軟件開(kāi)發(fā)。在充分分析國(guó)產(chǎn)天脈1型操作系統(tǒng)特點(diǎn)、開(kāi)發(fā)環(huán)境和任務(wù)調(diào)度方式的基礎(chǔ)上,結(jié)合光纖航姿軟件的功能需求和結(jié)構(gòu)組成,重點(diǎn)進(jìn)行了軟件周期的劃分、設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)。測(cè)試和試驗(yàn)結(jié)果表明,基于國(guó)產(chǎn)天脈1型操作系統(tǒng)的光纖航姿軟件具備強(qiáng)實(shí)時(shí)、穩(wěn)定性高并支持多任務(wù)的特點(diǎn)。
          • 關(guān)鍵字: 光纖航姿軟件  天脈1  ACoreOS1.X  202103  

          美光專家對(duì)1α節(jié)點(diǎn)DRAM的解答

          • 2021 年1 月,美光科技宣布批量出貨基于1α(1-alpha) 節(jié)點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品,是目前世界上最為先進(jìn)的DRAM 技術(shù),在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。為此,《電子產(chǎn)品世界》記者采訪了公司DRAM 制程集成副總裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副總裁Thy Tran1? ?1α節(jié)點(diǎn)技術(shù)1α 節(jié)點(diǎn)DRAM 相當(dāng)于10 nm 的第四代,其最小特征尺寸(通常是指內(nèi)存陣列激活區(qū)半間距)在(10~19) nm之間。要做到這一點(diǎn),需要大幅縮小位線和字線間距——可以說(shuō)是收縮
          • 關(guān)鍵字: 202104  DRAM  

          ams攜手ArcSoft 力推3D dToF走進(jìn)安卓手機(jī)

          •  作為傳感器領(lǐng)域風(fēng)頭最勁的企業(yè),ams(艾邁斯半導(dǎo)體)通過(guò)技術(shù)積累和持續(xù)的并購(gòu)戰(zhàn)略逐漸成為各類傳感器領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,特別是經(jīng)過(guò)收購(gòu)歐司朗之后,進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了公司業(yè)務(wù)規(guī)模的擴(kuò)大和業(yè)務(wù)領(lǐng)域的平衡,使得ams在各個(gè)核心領(lǐng)域上都有非常好的市場(chǎng)地位。 經(jīng)過(guò)對(duì)歐司朗的收購(gòu)之后,ams聚焦在三大核心技術(shù)領(lǐng)域,主要包括傳感、照明(光源)以及可視化,即visualization、illumination和Sensing。ams大中華區(qū)銷售和市場(chǎng)高級(jí)副總裁陳平路表示,隨著5G時(shí)代帶來(lái)的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的革新非??春胕ToF、
          • 關(guān)鍵字: ams  ArcSoft  3D dToF  安卓手機(jī)  
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          3d x-dram介紹

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