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3D Systems總部大樓以860萬美元的價格出售給3D Fields LLC
- 3D Systems突然賣掉了他們的總部!3D打印行業(yè)巨頭3D Systems全球總部位于Rock Hill SC的工業(yè)園區(qū)，緊鄰夏洛特附近的NC邊界南部，并已在那里辦公多年。 該8萬平方米的巨型建筑設(shè)施不僅包括制造和管理，還包括一個大型(完全秘密)的研究實驗室，而在前面是一個顯著的示范展覽區(qū)。 根據(jù)夏洛特商業(yè)雜志：最近交易之后，全球工業(yè)設(shè)備供應(yīng)商3D Systems的總部都處于新的所有權(quán)位置。位于Rock Hill的3D Systems的8028平方英尺的建筑物以860萬美元的價格向
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3D Systems總部大樓以860萬美元的價格出售給3D Fields LLC
- 3D Systems突然賣掉了他們的總部!3D打印行業(yè)巨頭3D Systems全球總部位于Rock Hill SC的工業(yè)園區(qū)，緊鄰夏洛特附近的NC邊界南部，并已在那里辦公多年。 該8萬平方米的巨型建筑設(shè)施不僅包括制造和管理，還包括一個大型(完全秘密)的研究實驗室，而在前面是一個顯著的示范展覽區(qū)。 根據(jù)夏洛特商業(yè)雜志：最近交易之后，全球工業(yè)設(shè)備供應(yīng)商3D Systems的總部都處于新的所有權(quán)位置。位于Rock Hill的3D Systems的8028平方英尺的建筑
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東芝宣布出售予美日聯(lián)盟，加速提升3D NAND產(chǎn)能追趕三星
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，東芝公司已正式在9月20日決定將旗下半導體事業(yè)以2兆日圓出售給由美國私募股權(quán)業(yè)者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯(lián)盟，，由于此出售案較預期延宕，對于NAND Flash市場的產(chǎn)能影響，預期要到明年上半年才會趨于明顯;中長期而言，在資金到位的情況下，將有助東芝在3D-NAND產(chǎn)能與技術(shù)上力拼三星。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，此次出售案的收購對象日美韓聯(lián)盟成員中包括日本政府支持的產(chǎn)業(yè)革新機構(gòu)(INCJ)財團、
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基于3D全息投影技術(shù)助力遠程醫(yī)療
- 加拿大皇后大學人類媒體實驗室研究員研發(fā)成功的“TeleHuman”3D全息投影設(shè)備，能將科幻片中經(jīng)常出現(xiàn)的3D虛擬投影變成現(xiàn)實。這款設(shè)備開發(fā)本意就是用3D全息影像來代替現(xiàn)有的平面視頻會議.
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基于3D帽舌助宇航員進行太空手術(shù)
- 近日科學家為身在國際空間站或者執(zhí)行火星任務(wù)的宇航員研發(fā)了一種虛擬現(xiàn)實3D帽舌。佩戴該帽舌的宇航員可以看到覆蓋在現(xiàn)實世界之上的虛擬圖像，后者能夠輔助宇航員獨自進行外科手術(shù)治療疾病。
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移動通信發(fā)展與天線技術(shù)的創(chuàng)新
- 隨著移動互聯(lián)網(wǎng)的持續(xù)發(fā)展以及物聯(lián)網(wǎng)的高速增長，移動寬帶技術(shù)不斷向前演進。移動寬帶技術(shù)的發(fā)展刺激了MBB流量的激增。2014年上半年，全球移動用戶連 接數(shù)預計將達到70億，覆蓋全球96%以上的人口，其中3G和4G移動用戶連接數(shù)之和也將達到24億，占據(jù)全球總量的三分之一以上。這些數(shù)據(jù)表明MBB業(yè) 務(wù)正在快速增長。
- 關(guān)鍵字： 移動通信 天線技術(shù) 創(chuàng)新 3D-MIMO 波束智能賦型
3D NAND延續(xù)摩爾定律 電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵
- DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項重要技術(shù)。 3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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三星 3D NAND 快閃存儲器新廠上半年投產(chǎn)
- 三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。 三星新芯片廠于 2015 年動土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項目。據(jù)三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。 新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器。快閃存儲器可取代傳統(tǒng)硬盤，并廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機、智能手機與其他 USB 界面儲存設(shè)備。 市調(diào)機構(gòu) DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲
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