3d-mimo 文章進(jìn)入3d-mimo技術(shù)社區(qū)

移動(dòng)通信發(fā)展與天線技術(shù)的創(chuàng)新

隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的持續(xù)發(fā)展以及物聯(lián)網(wǎng)的高速增長(zhǎng)，移動(dòng)寬帶技術(shù)不斷向前演進(jìn)。移動(dòng)寬帶技術(shù)的發(fā)展刺激了MBB流量的激增。2014年上半年，全球移動(dòng)用戶連接數(shù)預(yù)計(jì)將達(dá)到70億，覆蓋全球96%以上的人口，其中3G和4G移動(dòng)用戶連接數(shù)之和也將達(dá)到24億，占據(jù)全球總量的三分之一以上。這些數(shù)據(jù)表明MBB業(yè) 務(wù)正在快速增長(zhǎng)。
關(guān)鍵字：移動(dòng)通信天線技術(shù) 創(chuàng)新 3D-MIMO 波束智能賦型

5G標(biāo)準(zhǔn)化加速需應(yīng)對(duì)測(cè)試場(chǎng)景復(fù)雜性

　　原計(jì)劃2020年正式商用的第五代移動(dòng)通信技術(shù)有望比設(shè)想更早到來。在3月初召開的3GPP RAN第75次全體大會(huì)上，正式通過了5G加速的提案，這意味著5G標(biāo)準(zhǔn)化時(shí)間點(diǎn)將前移，一些領(lǐng)先運(yùn)營(yíng)商們已宣布將在今年推出預(yù)商用5G服務(wù)。不過，5G產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展與成熟，不僅需要芯片廠商、設(shè)備廠商與電信運(yùn)營(yíng)商的通力合作，其中非常重要的一環(huán)，則是來自于測(cè)試廠商對(duì)5G研發(fā)的參與和推動(dòng)。　　5G商用將提至2019年　　測(cè)試同步跟進(jìn) 　　在3GPP RAN第75次全體大會(huì)上，3GPP正式通過了5G加速的提案。3GPP將
關(guān)鍵字： 5G MIMO

3D NAND延續(xù)摩爾定律電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵

　　DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲(chǔ)存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項(xiàng)重要技術(shù)。　　3D NAND Flash依存儲(chǔ)元件儲(chǔ)存機(jī)制可分浮動(dòng)閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲(chǔ)存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
關(guān)鍵字：摩爾定律 3D NAND

5G：能聽到我的呼喚嗎？　

5G作為未來通訊的又一個(gè)跨越式進(jìn)步，關(guān)于5G的研究和討論一直不斷，其優(yōu)勢(shì)自是很多，雖然第一個(gè)5G芯片已經(jīng)發(fā)布，而其要真正進(jìn)入應(yīng)用仍需要很長(zhǎng)時(shí)間。本文就5G在應(yīng)用中遇到的問題和挑戰(zhàn)進(jìn)行了深入地研究。
關(guān)鍵字： 5G MIMO 物聯(lián)網(wǎng) 無線設(shè)備 201705

三星 3D NAND 快閃存儲(chǔ)器新廠上半年投產(chǎn)

　　三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進(jìn)度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。　　三星新芯片廠于 2015 年動(dòng)土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項(xiàng)目。據(jù)三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。　　新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲(chǔ)器?？扉W存儲(chǔ)器可取代傳統(tǒng)硬盤，并廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)與其他 USB 界面儲(chǔ)存設(shè)備。　　市調(diào)機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲(chǔ)
關(guān)鍵字：三星 3D NAND

發(fā)展3D NAND閃存的意義

“首屆IC咖啡國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會(huì)”于2017年1月14日在上海召開，長(zhǎng)江存儲(chǔ)集團(tuán)公司CEO楊士寧介紹了對(duì)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的看法，及選擇3D NAND閃存作為主打產(chǎn)品的戰(zhàn)略思考。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 3D NAND DRAM 20170203

基于MIMO-OFDM技術(shù)的室內(nèi)可見光通信研究

基于白光發(fā)光二極管的可見光通信技術(shù)，可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)照明和無線通信，是一種綠色節(jié)能、頻譜資源更寬、可移動(dòng)的接入方式，適用于各種場(chǎng)合，綠色環(huán)保而且沒有電磁干擾。因此，本文研究基于MIMO-OFDM技術(shù)的室內(nèi)可見光通信系統(tǒng)的原理，研究MIMO和OFDM技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，通過空分復(fù)用提高系統(tǒng)的傳輸速率和穩(wěn)定性，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的算法仿真，分析了MIMO-OFDM應(yīng)用于可見光通信的前景。1 室內(nèi)可見光通信系統(tǒng)的組成基于白色可見光的無線通信系統(tǒng)主要包括發(fā)射部分、傳輸部分和接收部分。將
關(guān)鍵字： MIMO-OFDM 可見光

迎需求熱潮！三星或追投西安3D NAND廠43億美元

　　據(jù)海外媒體報(bào)道，傳三星電子于2017～2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲(chǔ)器市場(chǎng)史上最大需求熱潮。　　Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出，三星與大陸政府正針對(duì)西安廠第二期投資進(jìn)行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設(shè)備及人力費(fèi)用。　　三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的2
關(guān)鍵字：三星 3D NAND

TD-LTE獲國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)特等獎(jiǎng)

　　今日，國務(wù)院發(fā)布《關(guān)于2016年度國家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)的決定》國發(fā)〔2017〕2號(hào)，授予“第四代移動(dòng)通信系統(tǒng)(TD-LTE)關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用”等2項(xiàng)成果國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)特等獎(jiǎng)?！　?jù)悉，2016年，工業(yè)和信息化部推薦，由中國移動(dòng)通信集團(tuán)公司聯(lián)合中國信通院等14個(gè)單位合作申報(bào)的《第四代移動(dòng)通信系統(tǒng)(TD-LTE)關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用》項(xiàng)目已經(jīng)通過專家組評(píng)審。同時(shí)，國家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)辦公室在“國家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)網(wǎng)站”發(fā)布第84號(hào)公告，公布了2016年度國家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)初評(píng)結(jié)果。《第四代移動(dòng)通信系統(tǒng)(TD-LTE)關(guān)鍵技術(shù)
關(guān)鍵字： TD-LTE MIMO

技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場(chǎng)主流

容量更大、價(jià)格更低、壽命更長(zhǎng)、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價(jià)格性能比，預(yù)期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場(chǎng)的規(guī)模差距，兩種儲(chǔ)存裝置已逐漸接近黃金交叉點(diǎn)，高速大容量SSD將成為各式系統(tǒng)設(shè)備及消費(fèi)者的優(yōu)先選擇。
關(guān)鍵字： 3D NAND SSD

5G WiFi 2X2 MIMO能否為智能手機(jī)用戶帶來期望中的性能？

不管你喜不喜歡，智能手機(jī)正迅速變得無處不在。事實(shí)上，據(jù)分析家預(yù)測(cè)，到2019年，智能手機(jī)用戶將會(huì)達(dá)到56億。但是，正是因?yàn)橹悄苁謾C(jī)(及其所有的特性與功能)已經(jīng)成為我們數(shù)字生活的中心，所以，當(dāng)我們期待智能手機(jī)性
關(guān)鍵字： 5G WiFi 2X2 MIMO 智能手機(jī)

汽車車載3D技術(shù)應(yīng)用助力實(shí)現(xiàn)安全駕駛

3D并不是什么新技術(shù)，在消費(fèi)電子領(lǐng)域已有廣泛的應(yīng)用，但在汽車應(yīng)用中卻處于起步階段，仍需要相關(guān)技術(shù)和解決方案有所突破。以汽車安全駕駛應(yīng)用為
關(guān)鍵字：車載 3D 安全駕駛

英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲

　　去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場(chǎng)。新的非易失性芯片據(jù)稱會(huì)從根本上改變計(jì)算，但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。　　根據(jù)英特爾自己的營(yíng)銷材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲(chǔ)器速度，而且還提供了出色的存儲(chǔ)密度。這使得存儲(chǔ)設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號(hào)。英特爾當(dāng)時(shí)宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
關(guān)鍵字：英特爾 3D XPoint

英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲

　　去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場(chǎng)。新的非易失性芯片據(jù)稱會(huì)從根本上改變計(jì)算，但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。　　根據(jù)英特爾自己的營(yíng)銷材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲(chǔ)器速度，而且還提供了出色的存儲(chǔ)密度。這使得存儲(chǔ)設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號(hào)。英特爾當(dāng)時(shí)宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
關(guān)鍵字：英特爾 3D XPoint

2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧

　　摘要：由于智能手機(jī)、SSD市場(chǎng)需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國公司介入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的機(jī)遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭(zhēng)著上馬的項(xiàng)目，其中國家級(jí)的存儲(chǔ)芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。　　2015年中，國家級(jí)存儲(chǔ)芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓廠正式動(dòng)工，整個(gè)項(xiàng)目預(yù)
關(guān)鍵字： SSD 3D NAND