3d-mimo 文章進(jìn)入3d-mimo技術(shù)社區(qū)

MIT研究人員提出了讓W(xué)i-Fi提速10倍的方法

　　雖然百兆以上的4G LTE技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)普及，但它還是比不上免費(fèi)的Wi-Fi技術(shù)。在本周發(fā)表的一篇新研究論文中，麻省理工的工程師們描述了一套能夠在人口聚集區(qū)的無(wú)線路由器更加無(wú)縫地協(xié)同工作、減少干擾的發(fā)生、并讓W(xué)i-Fi提速10倍的系統(tǒng)方法。這篇論文題為《實(shí)時(shí)分布式多輸入/多輸出系統(tǒng)》，研究人員設(shè)計(jì)了一個(gè)名叫MegaMIMO的系統(tǒng)，它能夠讓W(xué)i-Fi“不在同一時(shí)間發(fā)射同一頻率的信號(hào)”。　　　　福布斯指出：　　MegaMIMO 2.0是一套分布式多輸入
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3D NAND風(fēng)暴來(lái)襲，中國(guó)存儲(chǔ)器廠商如何接招?

中國(guó)正在下大力度推進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，3D NAND被認(rèn)為是一個(gè)有利的突破口。
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美光3D NAND將殺到！打破三星獨(dú)霸、大戰(zhàn)一觸即發(fā)

目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝殺入敵營(yíng)，如今美光也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫(huà)下句點(diǎn)，3D NAND flash大戰(zhàn)即將開(kāi)打!
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中國(guó)5G實(shí)力再加碼首個(gè)并行多通道信道測(cè)試平臺(tái)面世

　　通過(guò)3G、4G的不斷突破，在5G研究上，中國(guó)的整體實(shí)力大大增強(qiáng)。日前，記者在上海舉辦的“第三屆中國(guó)信息通信測(cè)試技術(shù)大會(huì)”上，見(jiàn)到了業(yè)界第一個(gè)正式推出的MIMO并行信道采集與信道仿真平臺(tái)(目前實(shí)現(xiàn)八通道)，借助這個(gè)平臺(tái)，業(yè)界能夠?qū)?G關(guān)鍵技術(shù)MIMO的認(rèn)識(shí)提升到新的水平。帶著對(duì)MIMO并行信道采集平臺(tái)研發(fā)難度、作用和目的以及下一步利用計(jì)劃的好奇，記者專(zhuān)訪了研制這一平臺(tái)的上海無(wú)線通信研究中心主任楊旸。　　為何做并行八通道信道平臺(tái) 　　業(yè)界對(duì)多通道技術(shù)(MIMO)已經(jīng)形成基本共
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面對(duì)大陸攻勢(shì)　三星海力士強(qiáng)化3D NAND投資

　　據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強(qiáng)力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國(guó)等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強(qiáng)化投資。　　市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長(zhǎng)率(CARG)47%的速度成長(zhǎng);清華紫光以新成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行武漢新芯的股權(quán)收購(gòu)，成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司，未來(lái)可能引發(fā)NAND Flash市場(chǎng)版圖變化。　　清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈，在社會(huì)上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術(shù)方面
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NI推出全球首個(gè)大規(guī)模MIMO應(yīng)用程序框架，加速5G原型驗(yàn)證創(chuàng)新

　　NI(美國(guó)國(guó)家儀器公司，National Instruments, 簡(jiǎn)稱(chēng)NI) 作為致力于為工程師和科學(xué)家提供解決方案來(lái)幫助他們應(yīng)對(duì)全球最嚴(yán)峻的工程挑戰(zhàn)的供應(yīng)商，今日宣布推出全球首個(gè)MIMO應(yīng)用程序框架。結(jié)合NI軟件無(wú)線電硬件，該軟件參考設(shè)計(jì)提供了一種使用LabVIEW源代碼編寫(xiě)的可重配置參數(shù)化物理層，且提供詳細(xì)的文檔說(shuō)明，可幫助研究人員構(gòu)建傳統(tǒng)的MIMO以及大規(guī)模MIMO原型。　　此MIMO應(yīng)用程序框架可幫助無(wú)線設(shè)計(jì)人員開(kāi)發(fā)算法和評(píng)估自定義IP，以解決實(shí)際應(yīng)用中與多用戶(hù)MIMO部署相關(guān)的諸多挑
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東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成

　　東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲(chǔ)器事業(yè)的副社長(zhǎng)成毛康雄于6日舉行的投資人說(shuō)明會(huì)上表示，將沖刺N(yùn)AND Flash產(chǎn)量，目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴(kuò)增至2015年度的3倍水準(zhǔn)(以容量換算)。　　關(guān)于已在2016年度開(kāi)始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash，成毛康雄指出，將強(qiáng)化3D Flash的生產(chǎn)，目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準(zhǔn)。　　東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。　　日經(jīng)、韓國(guó)先驅(qū)報(bào)(
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Cell on Peri構(gòu)造有利IDM提升3D NAND Flash競(jìng)爭(zhēng)力

　　Cell on Peripheral Circuit(以下簡(jiǎn)稱(chēng)Cell on Peri)構(gòu)造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營(yíng)開(kāi)發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類(lèi)似此一構(gòu)造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
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2016年下半3D NAND供應(yīng)商上看4家三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢(shì)

　　DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應(yīng)3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲(chǔ)器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨(dú)家供應(yīng)3D NAND Flash的狀況將改變，不過(guò)，三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進(jìn)，短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢(shì)。　　三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
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3D保護(hù)玻璃市場(chǎng)產(chǎn)值將于18年超越2D保護(hù)玻璃

　　觸摸屏的保護(hù)玻璃，又稱(chēng)之為保護(hù)蓋，用來(lái)保護(hù)顯示屏和觸控面板。為了適應(yīng)智能機(jī)的不同設(shè)計(jì)需求，保護(hù)玻璃有不同的形狀。保護(hù)玻璃通常位于顯示器和觸控面板的頂部，再根據(jù)保護(hù)玻璃的形狀分為2D，2.5D和3D等。隨著智能手機(jī)廠商越來(lái)越在外形和時(shí)尚設(shè)計(jì)方面競(jìng)爭(zhēng)，舒適的手感和靈敏的觸控反應(yīng)越來(lái)越重要，這也鼓勵(lì)著觸控面板廠商開(kāi)發(fā)形狀更好的保護(hù)玻璃。　　2016年用于手機(jī)的3D保護(hù)玻璃出貨量預(yù)計(jì)將增至4,900萬(wàn)片，占手機(jī)用保護(hù)玻璃市場(chǎng)總量的3.1%。IHS預(yù)測(cè)2017年其出貨量將飛漲103.9%達(dá)1億片的規(guī)模，
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3D NAND成半導(dǎo)體業(yè)不景氣救世主

　　韓媒NEWSIS報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對(duì)策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進(jìn)入量產(chǎn)的技術(shù)，在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構(gòu)，3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。　　3D NAND比20納米級(jí)產(chǎn)品的容量密度高，讀寫(xiě)速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲(chǔ)器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?；谏鲜鰞?yōu)點(diǎn)，對(duì)于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺(tái)的相關(guān)服務(wù)，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
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是時(shí)候?yàn)?G“競(jìng)賽”設(shè)定一個(gè)新標(biāo)準(zhǔn)了

　　天線設(shè)計(jì)和測(cè)量是挑戰(zhàn)的核心　　在這個(gè)移動(dòng)設(shè)備數(shù)量比人類(lèi)數(shù)量還要多的世界里，人們很容易忘記：15年前我們的生活中還沒(méi)有智能手機(jī)。從1G到4G，每一代移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)都為我們帶來(lái)了更快的通信速度和更多新的應(yīng)用，廣泛影響了人們的個(gè)人和職業(yè)生活。如今，整個(gè)行業(yè)都為有望在2017到2020年到來(lái)的5G而躁動(dòng)。5G引領(lǐng)的新一代網(wǎng)絡(luò)速度高達(dá)10 Gbit/s，超低延遲約1毫秒(比4G快50倍)，給我們的工作和生活帶來(lái)了無(wú)限可能，智慧城市、無(wú)人駕駛、關(guān)鍵醫(yī)療、“物的聯(lián)網(wǎng)”革命都指日可待?！　∥阌怪靡桑谌蛏涎莸目萍几?jìng)賽
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MIMO線性化電路為綠色網(wǎng)絡(luò)部署鋪平道路

　　Maxim Integrated Products, Inc 推出SC2200雙通道RF功率放大器線性化電路(RFPAL)，幫助設(shè)計(jì)者實(shí)現(xiàn)低功耗、低成本、小尺寸RF前端。　　與補(bǔ)償操作相比，線性化電路使功率放大器功耗降低達(dá)70%。此外，器件將物料清單(BOM)成本降低達(dá)50%，尺寸比市場(chǎng)上的其它數(shù)字預(yù)失真(DPD)方案小8倍。SC2200應(yīng)用只需1平方英寸電路板空間，大大提高功率放大器效率，而兩條通道滿載工作時(shí)的功耗小于1.5W。這有助于制造商提高競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，幫助運(yùn)營(yíng)商實(shí)現(xiàn)降低運(yùn)營(yíng)和部署成本的要求。
關(guān)鍵字： MIMO SC2200