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2016年下半3D NAND供應(yīng)商上看4家 三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢
- DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應(yīng)3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨家供應(yīng)3D NAND Flash的狀況將改變，不過，三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進，短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢。 三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
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3D保護玻璃市場產(chǎn)值將于18年超越2D保護玻璃
- 觸摸屏的保護玻璃，又稱之為保護蓋，用來保護顯示屏和觸控面板。為了適應(yīng)智能機的不同設(shè)計需求，保護玻璃有不同的形狀。保護玻璃通常位于顯示器和觸控面板 的頂部，再根據(jù)保護玻璃的形狀分為2D，2.5D和3D等。隨著智能手機廠商越來越在外形和時尚設(shè)計方面競爭，舒適的手感和靈敏的觸控反應(yīng)越來越重要，這 也鼓勵著觸控面板廠商開發(fā)形狀更好的保護玻璃。 2016年用于手機的3D保護玻璃出貨量預(yù)計將增至4,900萬片，占手機用保護玻璃市場總量的3.1%。IHS預(yù)測2017年其出貨量將飛漲103.9%達(dá)1億片的規(guī)模，
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3D NAND成半導(dǎo)體業(yè)不景氣救世主
- 韓媒NEWSIS報導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進入量產(chǎn)的技術(shù)，在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構(gòu)，3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。 3D NAND比20納米級產(chǎn)品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?；谏鲜鰞?yōu)點，對于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺的相關(guān)服務(wù)，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
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是時候為5G“競賽”設(shè)定一個新標(biāo)準(zhǔn)了
- 天線設(shè)計和測量是挑戰(zhàn)的核心 在這個移動設(shè)備數(shù)量比人類數(shù)量還要多的世界里，人們很容易忘記：15年前我們的生活中還沒有智能手機。從1G到4G，每一代移動網(wǎng)絡(luò)都為我們帶來了更快的通信速度和更多新的應(yīng)用，廣泛影響了人們的個人和職業(yè)生活。如今，整個行業(yè)都為有望在2017到2020年到來的5G而躁動。5G引領(lǐng)的新一代網(wǎng)絡(luò)速度高達(dá)10 Gbit/s，超低延遲約1毫秒(比4G快50倍)，給我們的工作和生活帶來了無限可能， 智慧城市、無人駕駛、關(guān)鍵醫(yī)療、“物的聯(lián)網(wǎng)”革命都指日可待?！ ∥阌怪靡?，正在全球上演的科技競賽
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MIMO線性化電路為綠色網(wǎng)絡(luò)部署鋪平道路
- Maxim Integrated Products, Inc 推出SC2200雙通道RF功率放大器線性化電路(RFPAL)，幫助設(shè)計者實現(xiàn)低功耗、低成本、小尺寸RF前端。 與補償操作相比，線性化電路使功率放大器功耗降低達(dá)70%。此外，器件將物料清單(BOM)成本降低達(dá)50%，尺寸比市場上的其它數(shù)字預(yù)失真(DPD)方案小8倍。SC2200應(yīng)用只需1平方英寸電路板空間，大大提高功率放大器效率，而兩條通道滿載工作時的功耗小于1.5W。這有助于制造商提高競爭優(yōu)勢，幫助運營商實現(xiàn)降低運營和部署成本的要求。
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醫(yī)療新巨頭誕生：6000萬美元的大合并！
- 去年10月，全球3D打印醫(yī)療應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)3D Medical，與頂級醫(yī)學(xué)圖像處理技術(shù)開商Mach7合并。如今，這樁交易已經(jīng)宣布完成，合并后的新公司被稱為Mach7 Technologies，并將在澳大利亞證交所上市，交易代碼M7T。 據(jù)悉，3D Medical原本就以向醫(yī)生提供針對不同病人的3D打印各種定制器官和骨骼模型而知名;而Mach7的主要業(yè)務(wù)則是醫(yī)學(xué)影像技術(shù)。在這筆總額高達(dá)6000萬美元的合并交易完成之后，新公司將會把總部設(shè)在澳洲的墨爾本。 據(jù)了解，3D Medical和Ma
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2016年R&S無線終端測試技術(shù)研討會圓滿落幕
- 隨著移動通信市場蓬勃發(fā)展，LTE網(wǎng)絡(luò)大規(guī)模商用以及各大運營商陸續(xù)加大對移動終端設(shè)備的財政補貼，移動終端設(shè)備的生產(chǎn)、認(rèn)證及運營商入庫測試等已然成為市場中的熱點。 隨著LTE技術(shù)的不斷更新以及相關(guān)測試規(guī)范組織發(fā)布更多的新功能如下行3CC載波聚合以及多階MIMO等，工程師將面臨比以往更大的測試挑戰(zhàn)。為了幫助工程師克服這些挑戰(zhàn)，羅德與施瓦茨公司(R&S公司)于2016年3月14日-19日在北京、上海和深圳三個城市舉辦了“2016年R&S無線終端測試技術(shù)研討會”。 &nb
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投資10nm/3D NAND 晶圓廠設(shè)備支出今年增3.7%
- 國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)最新報告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資，將驅(qū)動2016年晶圓廠設(shè)備支出攀升，預(yù)估2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?In-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出將增長3.7%，達(dá)372億美元;而2017年則可望再成長13%，達(dá)421億美元。 SEMI指出，2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預(yù)測2016年上半年晶圓廠設(shè)備支出可望緩慢提升，下半年則將開始加速，為2017年儲備動能。2017年相關(guān)支出可望回復(fù)兩位數(shù)成
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2016年迎3D NAND技術(shù)拐點，誰輸在起跑線？
- 為了進一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術(shù)導(dǎo)入已迫在眉睫，2016年將真正迎來NAND Flash技術(shù)拐點。 1、積極導(dǎo)入48層3D技術(shù)量產(chǎn)，提高成本競爭力 與2D工藝相比，3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達(dá)128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。
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