位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產機臺11日正式進場安裝,這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段,我國首批擁有完全自主知識產權的32層三維NAND閃存芯片將于年內量產,從而填補我國主流存儲器領域空白。
目前,我國通用存儲器基本全部依賴進口,國家存儲器基地于2017年成功研發(fā)我國首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團隊歷時2年自主研發(fā)的芯片,是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片,有望使我國進入全球存儲芯片第
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NAND 存儲器
DRAM工藝尺寸的縮減正在面臨基本的物理限制,目前還有沒有明確的解決方案,由于印刷需求的推動,DRAM的清洗復雜度也在增加。
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DRAM NAND
近年來,全球信息技術創(chuàng)新進入密集發(fā)生期,呈現(xiàn)多方向、寬前沿、集群式等特征,有望引發(fā)產業(yè)格局重大調整。這有助于我國電子信息產業(yè)打破因核心關鍵技術缺失帶來的低端鎖定,加快邁向全球價值鏈中高端,迎來從跟跑到并跑乃至領跑的歷史契機。
工業(yè)和信息化部副部長羅文8日在深圳舉行的全國電子信息行業(yè)工作座談會上透露,2017年我國規(guī)模以上電子信息產業(yè)整體規(guī)模達18.5萬億元,手機、計算機和彩電產量穩(wěn)居全球第一,在通信設備、互聯(lián)網等領域涌現(xiàn)了一批具有全球競爭力的龍頭企業(yè)。
據前瞻產業(yè)研究院《電子信息制造業(yè)發(fā)展
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AMOLED NAND
全球半導體行業(yè)在2017年創(chuàng)下了10年以來的最好成績,年收入比2016年增長了22%,達到4291億美元。
這是根據英國分析公司IHS Markit的新統(tǒng)計數(shù)據得出的,HIS認為市場對內存芯片處理能力需求的大幅增加歸因于新興應用如大數(shù)據、物聯(lián)網和機器學習。
這一需求的增長使得三星電子作為全球領先芯片制造商占據第一位置,領先于競爭對手英特爾,而英特爾已經占據第一的位置有25年之久。2017年,三星的收入增長了54%。
IHS表示,動態(tài)隨機存取存儲器芯片的銷售總額增長了77%,而閃存芯片
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內存 NAND
中國已經提出,提高從美國進口半導體芯片的比例,取代來自韓國和中國臺灣的產品。
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DRAM NAND
在當前NandFlash存儲器仍舊供不應求,市場價格依舊居高不下的情況下,日前全球NandFlash存儲器龍頭企業(yè)的韓國三星,日前宣布將在本月底正式動工的中國西安NandFlash存儲器廠的擴建計劃,28日正式動工,預計將在2019年完工啟用。
據了解,該項總金額高達70億美元,工程期間達到3年的擴廠計劃,是三星在2017年的8月間所宣布。目前三星西安廠的第一期產線是在2014年所建置,月產能為12萬片。如今,新的產線動工建置,未來完成之后將可再為三星增加每月20萬片的產能。
只是,該新的
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三星 NAND
美光科技嵌入式產品事業(yè)部市場副總裁Kris Baxter在2018年“慕尼黑上海電子展”期間,介紹了美光及多家行業(yè)分析師對存儲器尤其是嵌入式存儲器市場的預測,重點是DRAM和NAND在汽車和工業(yè)領域的趨勢。
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存儲器 DRAM NAND 汽車 攝像頭 201804
美光科技有限公司今日宣布推出三種全新 64 層第二代 3D NAND 存儲產品,這三種產品均支持高速通用閃存存儲 (UFS) 2.1 標準。全新美光移動 3D NAND 產品提供 256GB、128GB 和 64GB 三種容量選擇?! ≡撊乱苿咏鉀Q方案基于美光業(yè)界領先的三級單元 (TLC) 3D NAND 技術,
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美光 NAND
打造萬億級產業(yè)集群,推動武漢經濟高質量發(fā)展。春節(jié)闔家團圓之時,仍有大量建設者、生產者堅守崗位,為城市發(fā)展貢獻“加速度”。過年期間,分布在譽為“黃金大道”的8公里左嶺大道上的多個重大產業(yè)項目上,有超過2000多人堅守崗位過大年,光谷“芯片—顯示—智能終端”萬億級產業(yè)集群正在“加速度”中加快鍛造。
在國家存儲器基地,有600多人在建設工地上忙碌。據了解,目前,他們正在進行廠內潔凈室
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存儲器 NAND
全球領先的工業(yè)氣體供應商——空氣產品公司 (Air Products,紐約證券交易所代碼:APD) 今天宣布將為三星電子位于西安市的第二座半導體工廠供應工業(yè)氣體?! ∥挥谖靼哺咝录夹g開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項目之一,也是中國最先進的半導體工廠之一。其生產的3D V-NAND閃存芯片廣泛應用于嵌入式NAND存儲、固態(tài)硬盤、移動設備和其它消費電子產品?! 】諝猱a品公司西安工廠自2014年起開始服務于這一項目,目前運作兩座大型空氣分離裝置、一座氫氣生產裝
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三星 V-NAND
現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質,就是各類移動終端及手機的主要存儲介質。兩者有何區(qū)別,存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關系呢? 我們總是在說手機內存,那到底是用什么介質存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質。eMMC是近幾年智能手機興起后,為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的,是NAND Flash的升級版,他的結構如下:
我們接觸到的16G、32G等手機,為何實際
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eMMC NAND
旺宏昨日召開財報會表示,2017年在NOR型快閃存儲器的市占率約30%,為全球霸主。另外,小于75納米制程產品占2017年第四季NOR營收60%,旺宏并預計NOR型快閃存儲器2018年成長動力將來自于數(shù)據中心、電信與車用產品等。NOR型快閃存儲器占上季旺宏營收48%為最大產品線。
旺宏電子總經理盧志遠表示,預期今年高品質的NOR型快閃存儲器價格仍穩(wěn)定微揚,旺宏不做低階產品,也仍看好SLC NAND市況,因此對今年營運看法樂觀。
就短期來看,盧志遠表示,本季整體需求預估會比去年第四季緩和;雖
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NOR NAND
由于人們對周遭環(huán)境(住宅、建筑、工廠、企業(yè)或基礎設施的內外環(huán)境)的視覺感知需求不斷增長,全球范圍的視頻監(jiān)控市場都在飛速發(fā)展。然而,所部署系統(tǒng)的數(shù)量和部署位置更多地受限于視頻攝像頭供應方的經濟狀況,以及用于部署、管理和監(jiān)控這些系統(tǒng)的基礎設施的復雜性?! ?nbsp;
上一次視頻監(jiān)控行業(yè)的重大突破得益于圖像傳感器和數(shù)字化技術的一些重大改進,以及互聯(lián)網協(xié)議(IP) 網絡的廣泛應用。當下,一些強大的新技術趨勢——例如使用諸如美光科技提供的基于 3D
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NAND microSD
大廠3D NAND良率大躍進,供給過剩問題已經提前在2017年第四季引爆,至少2018年上半年恐怕都不會太理想。
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DRAM NAND
美光科技有限公司今日推出 Micron® 5200 系列 SATA 固態(tài)硬盤 (SSD),該產品可提供業(yè)界領先的性能、一致性、容量、可靠性和整體基礎設施價值。美光 5200 系列固態(tài)硬盤基于美光科技業(yè)界領先的全新 64 層 3D NAND 技術構建,對于OLTP、BI/DSS、VDI、塊/對象和媒體流等在硬盤上無法一展身手的業(yè)務關鍵型虛擬化工作負載,可為其提供經濟實惠的 SATA 平臺。
利用廣受好評的 5100 SATA 固態(tài)硬盤的成熟架構和業(yè)界領先的性能及容量,美光 5200 系列提
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