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          2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情

          •   2017年,整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash,都度過了一個(gè)黃金好年,那么2018年可否持續(xù)榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法,DRAM熱度可望延續(xù),供不應(yīng)求態(tài)勢依舊,但NAND部分,恐怕就不會那么樂觀了,由于大廠3D NAND良率大躍進(jìn),供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆,至少2018年上半年恐怕都不會太理想, 最快2018年第二季供需平衡,第三季再度供給吃緊,屆時(shí)產(chǎn)業(yè)由悲轉(zhuǎn)喜。   DRAM無新增產(chǎn)能   首先就DRAM部分,以大方向來說,2018年在Fab端并無新增產(chǎn)能,頂多就
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND   

          Linux驅(qū)動之Nand Flash四問,原理、工作方式都包含了

          •   Nand Flash 是一個(gè)存儲芯片?! ∧敲矗哼@樣的操作很理“讀地址A的數(shù)據(jù),把數(shù)據(jù)B寫到地址A”  問1:原理圖上的Nand Flash和SC2440之間只有數(shù)據(jù)線,怎么傳輸?shù)刂?  答:在Data0-Data7上既傳輸數(shù)據(jù),又傳輸?shù)刂?,?dāng)ALE為高電平時(shí)傳輸?shù)氖堑刂贰 ?:從Nand Flash芯片手冊可知,要操作Nand Flash需要先發(fā)出命令,怎么傳入命令?! 〈穑涸贒ata0-Data7既傳輸數(shù)據(jù),又傳輸?shù)刂?,也傳輸命令  ?dāng)ALE為高
          • 關(guān)鍵字: Linux  Nand   

          3D NAND存儲助力智能手機(jī)應(yīng)用進(jìn)入新時(shí)代

          •   前言  全球的智能手機(jī)用戶一直在不斷尋求更好的移動體驗(yàn)。他們不僅下載比以往任何時(shí)候都更多的應(yīng)用,而且還使用更為復(fù)雜的應(yīng)用來支持?jǐn)z影、4K Ultra視頻的播放和錄制、電影流式播放、導(dǎo)航、圖像采集以及虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)/增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)等方面更大的技術(shù)進(jìn)步?! ≡谀承┑貐^(qū),智能手機(jī)是唯一與外界聯(lián)系的設(shè)備,因此用戶對它們的依賴程度非常高,已經(jīng)習(xí)慣于讓手機(jī)不間斷地運(yùn)行并管理他們的日常生活。中國擁有全球最大智能手機(jī)用戶群,這些用戶經(jīng)常使用高級在線支付服務(wù)(如Alipay(支付寶)和Tenpay(財(cái)付通
          • 關(guān)鍵字: NAND  存儲  

          美光科技和英特爾發(fā)布NAND存儲聯(lián)合開發(fā)計(jì)劃的最新動態(tài)

          •   美光科技和英特爾今日發(fā)布了雙方 NAND 存儲聯(lián)合開發(fā)計(jì)劃的最新動態(tài)。這段成功的合作關(guān)系已幫助兩家公司開發(fā)出行業(yè)領(lǐng)先的 NAND 技術(shù)并順利推向市場?! 〈舜伟l(fā)布內(nèi)容包括兩家公司商定將各自獨(dú)立開發(fā)新世代 3D NAND 技術(shù)。雙方同意共同完成第三代 3D NAND 技術(shù)的開發(fā),該技術(shù)將在 2018 年末交付,并持續(xù)到 2019 年初。在此技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后,兩家公司將獨(dú)
          • 關(guān)鍵字: 美光科技  NAND   

          存儲器大廠3D NAND良率升 NAND Flash恐過剩

          • 三星、東芝等存儲器大廠已擬定3D NAND擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫,新產(chǎn)能將在2019年后開出,屆時(shí)NAND Flash市場將供過于求。
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  NAND  

          ARM平臺數(shù)據(jù)為何會莫名其妙丟失

          •   Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器,為固態(tài)大容量存儲的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大,改寫速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而越來越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機(jī)、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域。       圖1 Nand-Flash與eMMC芯片  1.1存儲器件使用壽命  使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象,是一個(gè)讓無數(shù)工程師毛骨悚然的
          • 關(guān)鍵字: Nand-Flash  eMMC  

          東芝宣布興建第7座NAND Flash工廠

          •   2017 年是 NAND Flash 閃存廠商豐收的一年,零售價(jià)格的暴漲帶動了廠商的營收,同時(shí)還對獲利有了巨大貢獻(xiàn)。 所以,當(dāng)前全球的 4 大 NAND Flash 廠商,包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來進(jìn)行新一波的投資。 而根據(jù)外電的報(bào)導(dǎo),東芝就最新宣布,將拿出 70 億日圓的金額,準(zhǔn)備興建第 7 座閃存工廠(Fab7),地點(diǎn)就在日本的四日市(Yokkaichi)。   事實(shí)上,目前東芝的第 6 座工廠(Fab 6)正在建設(shè)當(dāng)中,預(yù)計(jì)將于 2018 年第 4 季完工
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

          明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

          • DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài),產(chǎn)品價(jià)格同步高漲,而明年上半年將轉(zhuǎn)為供過于求。
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

          明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

          •   內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào),DRAM市場仍將持續(xù)吃緊,NAND Flash市場則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過于求。   DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài),產(chǎn)品價(jià)格同步高漲,只是業(yè)界普遍預(yù)期,明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。   內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見指出,DRAM 市場供貨持續(xù)吃緊,價(jià)格未見松動跡象。 NAND Flash 方面,隨著 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟,生產(chǎn)良率改善,可望填補(bǔ)供貨缺口。   另一內(nèi)存模塊廠威剛表示,短期內(nèi)全球 DRAM
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          中國反壟斷機(jī)構(gòu)關(guān)注DRAM連漲七個(gè)季度,何處是盡頭?

          • 圍繞著此輪DRAM產(chǎn)業(yè)的上漲行情,無論是“供需論”還是“壟斷說”,在DRAM一路瘋漲的背后,展現(xiàn)的是耐人尋味的眾生相,有需求者的無奈,領(lǐng)軍者的得意,入局者的尷尬以及監(jiān)管者的警覺。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          成本節(jié)省高達(dá)50%:Stratasys在中國市場推出全新經(jīng)濟(jì)型材料

          •   3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者 Stratasys中國(以下簡稱Stratasys)宣布,專門為本地市場推出的兩款高性比新材料VeroDraft? 和FullCure 700?正式發(fā)布,即刻上市?! tratasys此次推出的兩款材料為本地市場帶來了高價(jià)值的新選擇,大大降低了專業(yè)3D打印應(yīng)用的門檻。這兩種材料均經(jīng)過優(yōu)化,可用于一般用途的原型制作。VeroDraft是一種剛性不透明光敏聚合物,可為形狀、匹配度與功能測試提供卓越的可視化效果和光滑表面。F
          • 關(guān)鍵字: Stratasys  3D 打印  

          DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長

          •   DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求,三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后,SK海力士 下季也將漲價(jià)約5%,全球DRAM價(jià)格連續(xù)七季上揚(yáng),是歷來漲勢最久的一次。   業(yè)界解讀,三星、海力士下季漲價(jià)態(tài)度堅(jiān)決,等于向全球宣告,韓系大廠決定維持DRAM價(jià)格持穩(wěn)不墜的決心,消除外界認(rèn)為兩大韓廠打算調(diào)降售價(jià)格,防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。   手機(jī)中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認(rèn)為,有人說三星瘋狂擴(kuò)產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽,有點(diǎn)太看得起自己,雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開始進(jìn)入試產(chǎn)階段,要與三星、海力士抗衡,至少還需要
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          費(fèi)恩格爾:全面屏?xí)r代的3D—TOF

          •   談到生物識別,有兩點(diǎn)不得不談,其中一個(gè)是算法,另一個(gè)便是傳感器。在費(fèi)恩格爾CEO黃昊看來,生物識別的關(guān)鍵在于算法,算法是提供今天生物識別行業(yè)的基礎(chǔ)。   細(xì)細(xì)看來,從光學(xué)指紋到電容指紋,從各種方案的支撐到小面陣的縮減再至屏下指紋、屏內(nèi)指紋,這是整個(gè)指紋識別技術(shù)更新的方向。2017年iPhone X發(fā)布的Face ID把生物識別在手機(jī)端的應(yīng)用提高到一個(gè)新高度,出現(xiàn)了人臉識別算法。不變的是,人臉識別在智能手機(jī)的出現(xiàn),它最重要的一個(gè)前提就是自學(xué)算法對傳統(tǒng)人臉識別算法的支撐。   指紋傳感器也被堪稱為生物
          • 關(guān)鍵字: 全面屏  3D-TOF  

          潘健成:明年3D NAND進(jìn)入96層 群聯(lián)準(zhǔn)備好了

          •   今年全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)成功轉(zhuǎn)換至64/72層3D NAND規(guī)格,隨著制程轉(zhuǎn)換完成,全球缺貨問題也逐漸紓解,群聯(lián)董事長潘健成指出,2018年底將進(jìn)入96層的3D NAND技術(shù)世代,帶動單一芯片的容量提升至256Gb/512Gb,SSD控制芯片技術(shù)也全面提升至新層次,群聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)準(zhǔn)備好了,呈現(xiàn)蓄勢待發(fā)的姿態(tài)!   今年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到技術(shù)轉(zhuǎn)換不順、數(shù)據(jù)中心對于儲存容量需求快速攀升之故,導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)供需失衡,芯片價(jià)格一直高居不下,但這樣的狀況停留太久后,導(dǎo)致終端產(chǎn)品的需求被抑制,
          • 關(guān)鍵字: SSD  NAND   

          美光任命Derek Dicker為存儲產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理

          •   美光科技有限公司今日宣布任命 Derek Dicker 為存儲產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理。  在此職位上,Dicker 將負(fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)和拓展美光的固態(tài)存儲業(yè)務(wù),包括打造世界領(lǐng)先的存儲解決方案,從而把握云端、企業(yè)級和客戶端計(jì)算等大型細(xì)分市場中日漸增多的機(jī)遇。他將向美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana 匯報(bào)?! icker 在半導(dǎo)體行業(yè)擁有 20 年的從業(yè)經(jīng)驗(yàn),包括在 Intel、
          • 關(guān)鍵字: 美光  NAND  
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