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英飛凌與聯(lián)華電子簽署40納米eNVM微控制器制造長(zhǎng)期協(xié)議,擴(kuò)大汽車合作伙伴關(guān)系

英飛凌科技股份有限公司與聯(lián)華電子近日宣布，雙方就汽車微控制器（MCU) 簽署長(zhǎng)期合作協(xié)議，擴(kuò)大英飛凌在MCU的產(chǎn)能，以服務(wù)正迅速擴(kuò)展的汽車市場(chǎng)。該高性能微控制器產(chǎn)品采用英飛凌專有的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（eNVM) 技術(shù)，于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠以40納米制程技術(shù)制造。MCU是控制汽車各項(xiàng)功能的關(guān)鍵零部件，隨著汽車向更環(huán)保、更安全和更智能的方向發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)MCU的需求也日益增加。今年，英飛凌汽車微控制器的銷售量已攀升至每日近百萬(wàn)顆。英飛凌科技首席運(yùn)營(yíng)官Rutger Wijburg表示：“面對(duì)快速增長(zhǎng)的汽
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中國(guó)首顆40納米級(jí)導(dǎo)航芯片“航芯一號(hào)”問(wèn)世

昨日，中國(guó)首顆40納米級(jí)系統(tǒng)芯片在滬問(wèn)世。上海北伽導(dǎo)航科技有限公司27日正式發(fā)布40納米級(jí)射頻基帶一體化芯片“航芯一號(hào)”。上海北伽導(dǎo)航科
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北斗導(dǎo)航系統(tǒng)關(guān)鍵設(shè)備全面進(jìn)入消費(fèi)電子領(lǐng)域

　　據(jù)新華社上海11月28日電28日，一批具有市場(chǎng)前景的民技軍用、軍轉(zhuǎn)民用的創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)，在上海舉行的“2014第三屆上海軍民兩用技術(shù)促進(jìn)大會(huì)暨項(xiàng)目對(duì)接會(huì)”上集中展示。一枚僅5毫米見方的北斗射頻芯片“航芯一號(hào)”備受關(guān)注，這一最新研發(fā)成功的40納米級(jí)“中國(guó)芯”，將裝入國(guó)產(chǎn)手機(jī)等設(shè)備，為百姓日常生活精準(zhǔn)導(dǎo)航。　　據(jù)悉，2015年裝有這款芯片的國(guó)產(chǎn)手機(jī)將量產(chǎn)，宣告我國(guó)自主建設(shè)、獨(dú)立運(yùn)行的北斗導(dǎo)航系統(tǒng)的關(guān)鍵設(shè)備，全面進(jìn)入消費(fèi)電子領(lǐng)域。
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中國(guó)首顆40納米級(jí)導(dǎo)航芯片“航芯一號(hào)”問(wèn)世

　　中國(guó)首顆40納米級(jí)系統(tǒng)芯片在滬問(wèn)世。上海北伽導(dǎo)航科技有限公司27日正式發(fā)布40納米級(jí)射頻基帶一體化芯片“航芯一號(hào)”。上海北伽導(dǎo)航科技有限公司總經(jīng)理王永平表示，目前，該芯片正在和中國(guó)手機(jī)廠商進(jìn)行聯(lián)合測(cè)試，已完成50臺(tái)樣機(jī)，明年將在國(guó)產(chǎn)品牌手機(jī)上展開百萬(wàn)級(jí)示范應(yīng)用，“預(yù)計(jì)2016年，這款芯片將實(shí)現(xiàn)超過(guò)千萬(wàn)級(jí)的大規(guī)模應(yīng)用”。　　未來(lái)，這枚只有5毫米見方的芯片將被廣泛應(yīng)用于平板電腦、可穿戴設(shè)備、車載導(dǎo)航等各個(gè)領(lǐng)域，全面進(jìn)入大眾消費(fèi)電子市場(chǎng)。此前，導(dǎo)航設(shè)備
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聯(lián)電在廈門建12寸廠被業(yè)界看空?

　　臺(tái)灣大型半導(dǎo)體代工生產(chǎn)企業(yè)聯(lián)華電子(UMC)日前宣布，將出資13.5億美元，于2016年第4季度在福建省廈門市啟動(dòng)半導(dǎo)體合資生產(chǎn)。將攜手福建省電子信息集團(tuán)和廈門市政府組建合資公司，建立總投資額62億美元的新工廠。將向合資公司提供生產(chǎn)技術(shù)，以滿足中國(guó)大陸急劇擴(kuò)大的智能手機(jī)和汽車用半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。　　將采用直徑300毫米的硅晶圓代工生產(chǎn)半導(dǎo)體。月產(chǎn)能最多5萬(wàn)枚。計(jì)劃從2015年起分階段向合資公司出資，到2016年持股30%。聯(lián)華電子2013年的半導(dǎo)體代工生產(chǎn)占全球的約9%份額，位居第三。　
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2014年國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模將超3000億元

　　據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)預(yù)計(jì)，2014年國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額增幅將達(dá)到20%，規(guī)模將超過(guò)3000億元。據(jù)科技部網(wǎng)站消息稱，我國(guó)極大規(guī)模集成電路制造工藝獲突破，一批65-28納米高端設(shè)備通過(guò)量產(chǎn)驗(yàn)證，而部分實(shí)現(xiàn)批量采購(gòu)，40納米成套工藝成功量產(chǎn)。　　此前，科技部曹健林副部長(zhǎng)在“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”專項(xiàng)2014年工作務(wù)虛會(huì)上指出，專項(xiàng)自實(shí)施以來(lái)，我國(guó)已經(jīng)在集成電路高端裝備、成套工藝、關(guān)鍵材料、封裝測(cè)試等領(lǐng)域取得了部分突破。除了上述制造工藝突破，光刻機(jī)整機(jī)集成及
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北京戰(zhàn)略加碼中芯國(guó)際組新公司加快二期建設(shè)

　　中芯國(guó)際總部6月3日發(fā)布消息稱，與中芯北京、北京工業(yè)發(fā)展投資管理及中關(guān)村發(fā)展集團(tuán)成立合資公司，加快二期項(xiàng)目建設(shè)。　　中芯國(guó)際二期項(xiàng)目于去年9月在開發(fā)區(qū)奠基，將建設(shè)2條產(chǎn)能各為3.5萬(wàn)片的生產(chǎn)線，技術(shù)水平為45-40納米、32-28納米的12英寸集成電路生產(chǎn)線，第一階段將建設(shè)兩個(gè)廠房和一條生產(chǎn)線。項(xiàng)目總建設(shè)期約6年，投資35.9億美元。　　據(jù)業(yè)內(nèi)人士介紹，作為芯片代工廠來(lái)說(shuō)，45納米已屬相對(duì)先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)，更高端的28納米、20納米芯片只有英特爾等巨頭才能量產(chǎn)。　　中芯國(guó)際眼下能提供0.35
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英飛凌與GLOBALFOUNDRIES宣布展開合作

　　英飛凌科技與GLOBALFOUNDRIES 公司宣布，雙方圍繞40納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)工藝，簽訂一份合作技術(shù)開發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。雙方合作的重點(diǎn)是立足于英飛凌的嵌入式閃存單元設(shè)計(jì)以及采用40納米工藝制造汽車單片機(jī)和安全微控制器(MCU)的經(jīng)驗(yàn)，進(jìn)行相關(guān)技術(shù)的開發(fā)。GLOBALFOUNDRIES 公司旗下的多家晶圓廠將生產(chǎn)新一代40納米嵌入式閃存MCU，其中新加坡的晶圓廠將成為第一個(gè)生產(chǎn)該類器件的晶圓廠，緊隨其后的是公司位于德國(guó)德累斯頓的晶圓廠。　　英飛凌科技管理委員會(huì)成員Arunjai
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聯(lián)發(fā)科對(duì)陣高通稱“歡迎價(jià)格戰(zhàn)”

　　當(dāng)“交鑰匙”戰(zhàn)略不再是獨(dú)家秘技，面對(duì)高通咄咄逼人的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)，聯(lián)發(fā)科如何保持增長(zhǎng)? 　　“這是我們熟悉的戰(zhàn)場(chǎng)。”聯(lián)發(fā)科總經(jīng)理謝清江在接受《第一財(cái)經(jīng)日?qǐng)?bào)》專訪時(shí)表示，聯(lián)發(fā)科很高興看到這種競(jìng)爭(zhēng)，從財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)來(lái)看，聯(lián)發(fā)科的毛利率不僅沒有受價(jià)格戰(zhàn)的影響走低，反而逆勢(shì)攀升，這與聯(lián)發(fā)科的產(chǎn)品組合，以及成本毛利率有很大的關(guān)系。如果競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手選擇“價(jià)格戰(zhàn)”來(lái)?yè)屓胧袌?chǎng)，聯(lián)發(fā)科是歡迎的。　　如今，聯(lián)發(fā)科已不再是山寨功能機(jī)的標(biāo)簽。有數(shù)據(jù)顯示，2012年
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燦芯半導(dǎo)體40納米項(xiàng)目累計(jì)達(dá)兩位數(shù)

　　燦芯半導(dǎo)體宣布與客戶合作開發(fā)的40納米芯片設(shè)計(jì)項(xiàng)目數(shù)量累計(jì)達(dá)到十個(gè)，這些項(xiàng)目均基于中芯國(guó)際的40納米制造工藝。　　燦芯半導(dǎo)體開發(fā)的先進(jìn)技術(shù)芯片廣泛應(yīng)用于高成長(zhǎng)的移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域，如智能手機(jī)。燦芯半導(dǎo)體的40納米項(xiàng)目大多采用了先進(jìn)的ARMCortex?系列內(nèi)核，包括A5、A7、A9,以確保芯片高性能和低功耗的要求。　　燦芯半導(dǎo)體致力于先進(jìn)技術(shù)的芯片設(shè)計(jì)開發(fā)，截止到2012年第三季度，線寬小于65納米的項(xiàng)目累計(jì)數(shù)量已占到總數(shù)的一半。燦芯半導(dǎo)體還積極投入研發(fā)28納米的芯片設(shè)計(jì)技術(shù)，以滿足客戶將來(lái)的需求。
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聯(lián)華電子與美商Spansion合作技術(shù)研發(fā)與授權(quán)協(xié)議

　　雙方將共同開發(fā)整合邏輯與閃存技術(shù)，以推動(dòng)高效能低功耗電子產(chǎn)品的問(wèn)世　　聯(lián)華電子與閃存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商Spansion 4日共同宣布，將展開40納米工藝研發(fā)合作，整合聯(lián)華電子40納米LP邏輯工藝，以及Spansion eCTTM (embedded Charge Trap, eCT)嵌入式電荷擷取閃存技術(shù)。此份非專屬授權(quán)協(xié)議包含了授權(quán)聯(lián)華電子采用此技術(shù)為Spansion制造產(chǎn)品。　　Spansion嵌入式電荷擷取技術(shù)是兼具高效能、低功耗及成本效益的NOR閃存技術(shù)，且此項(xiàng)新技術(shù)可與先進(jìn)邏輯工藝相整
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燦芯半導(dǎo)體40納米項(xiàng)目累計(jì)達(dá)兩位數(shù)

　　上海，2013年1月9日-- 國(guó)際領(lǐng)先的ASIC設(shè)計(jì)公司及一站式服務(wù)供應(yīng)商，燦芯半導(dǎo)體(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“燦芯半導(dǎo)體”)今日宣布與客戶合作開發(fā)的40納米芯片設(shè)計(jì)項(xiàng)目數(shù)量累計(jì)達(dá)到十個(gè)，這些項(xiàng)目均基于中芯國(guó)際(紐約證交所代碼：SMI，香港聯(lián)交所代碼：981)的40納米制造工藝。　　燦芯半導(dǎo)體開發(fā)的先進(jìn)技術(shù)芯片廣泛應(yīng)用于高成長(zhǎng)的移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域，如智能手機(jī)。燦芯半導(dǎo)體的40納米項(xiàng)目大多采用了先進(jìn)的ARM® Cortex™系列內(nèi)核，包括A5、A7
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臺(tái)積電獨(dú)家代工生產(chǎn)甲骨文T4處理器

　　臺(tái)積電宣布，獲得甲骨文超級(jí)處理器T4的獨(dú)家代工權(quán)，T4處理器將采用40納米工藝，預(yù)計(jì)年底前開始投入量產(chǎn)。Sun在被甲骨文收購(gòu)前，就已經(jīng)推出了代號(hào)為RainbowFalls的SPARC架構(gòu)T3處理器，由德州儀器獨(dú)家代工。2007年德儀宣布停止開發(fā)45納米以下工藝，轉(zhuǎn)向與晶圓代工廠合作，Sun就將SPARC處理器移轉(zhuǎn)到臺(tái)積電及富士通生產(chǎn)。　
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TSMC2011年第二季每股盈余新臺(tái)幣1.39元

TSMC今(28)日公布2011年第二季財(cái)務(wù)報(bào)告，合并營(yíng)收為新臺(tái)幣1,105.1億元，稅后純益為新臺(tái)幣359.5億元，每股盈余為新臺(tái)幣1.39元（換算成美國(guó)存托憑證每單位為0.24美元）。
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世芯董事長(zhǎng)關(guān)建英：下一季9成以上都是先進(jìn)制程

　　2003年由一群硅谷和日本工程師創(chuàng)立的世芯電子(Alchip)，2011年7月6日于內(nèi)湖科技園區(qū)舉行營(yíng)運(yùn)總部喬遷開幕茶會(huì)，世芯的后端供應(yīng)商、客戶和合作伙伴都齊聚共襄盛舉。
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