40nm 文章 進入40nm技術(shù)社區(qū)
面向移動設(shè)備:爾必達宣布40nm 2Gb密度 LPDDR2芯片開發(fā)完成
- 日本內(nèi)存芯片廠商爾必達公司最近宣稱公司已經(jīng)開發(fā)出了世界尺寸最小的LPDDR2內(nèi)存芯片，這種芯片的容量密度達2Gb，采用40nm制程技術(shù)制作，芯片 的型號為ECB240ABBCN，芯片數(shù)據(jù)傳輸率達1066Mbps，工作電壓為1.2V，可在-30-85℃條件下工作。LPDDR2是JEDEC組織 認可的低功耗DDR2內(nèi)存標準，支持這種標準的芯片產(chǎn)品專門面向智能手機，平板電腦等移動設(shè)備。 爾必達稱該內(nèi)存芯片產(chǎn)品將于今年8月份開始量產(chǎn)，產(chǎn)品將以Pop型FBGA封裝和134腳FBGA兩種封裝形式供貨，并可以
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中國半導(dǎo)體業(yè)再次發(fā)起沖擊
- 沉寂了一段時間后，中國半導(dǎo)體業(yè)又重新開始沖剌，表現(xiàn)為上海華力12英寸項目啟動及中芯國際擴充北京12英寸生產(chǎn)線產(chǎn)能至4.5萬片，包括可能在北京再建一條12英寸生產(chǎn)線等。 然而，從國外媒體來的訊息表示的觀點有些不同。如美國Information Network認為中國半導(dǎo)體業(yè)在政府資金支持下，在未來的5年內(nèi)將投資250億美元，可能再次掀起高潮。但也不排除，有的市場分析公司對于投資的回報率存有質(zhì)疑，其實這一切才是正常的。因為中國半導(dǎo)體業(yè)是屬于戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)，不是完全可用市場機制，單一的經(jīng)濟規(guī)律來解釋得通。
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“新摩爾時代”的新興應(yīng)用與技術(shù)探尋(上)
- 有人說現(xiàn)在是大公司時代，強者更強，因此電子業(yè)內(nèi)兼并重組現(xiàn)象時有發(fā)生。有人卻說，未來給中小企業(yè)帶來了機會，只要你的技術(shù)或產(chǎn)品在專注的領(lǐng)域里能排在前三，因為發(fā)達的媒體業(yè)鏟平了信息阻隔，為更多的中小企業(yè)創(chuàng)造了貿(mào)易機會。 最近，筆者參加了美國Globalpress公司在硅谷周邊——Santa Cruz舉辦的Electronic Summit2010(電子高峰會議)，有約30家公司參與，大部分是中小企業(yè)。從中感慨到：摩爾定律揭示了半導(dǎo)體業(yè)正向40/32/28nm制程推進的必然過
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Altera開始量產(chǎn)發(fā)售Stratix IV FPGA系列密度最大器件
- Altera公司今天宣布，開始量產(chǎn)發(fā)售40-nm Stratix? IV FPGA系列密度最大的器件。Stratix IV E EP4SE820具有820K邏輯單元(LE)，非常適合需要高密度、高性能和低功耗FPGA的各類高端應(yīng)用，包括ASIC原型開發(fā)和仿真、無線、固網(wǎng)、軍事、計算機和存儲應(yīng)用等。此次發(fā)布后，Altera高端40-nm Stratix IV FPGA系列全部面市，所有器件都已量產(chǎn)發(fā)售。 Stratix IV E器件作為Stratix IV FPGA系列的型號之一，同時實現(xiàn)
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東芝發(fā)布40nm工藝SoC用低電壓SRAM技術(shù)
- 東芝在“2010 Symposium on VLSI Technology”(2010年6月15～17日，美國夏威夷州檀香山)上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時變化，可抑制SRAM的最小驅(qū)動電壓上升。東芝此次證實，單元面積僅為0.24μm2的32Mbit SRAM的驅(qū)動電壓可在確保95%以上成品率的情況下降至0.9V。因此，低功耗SoC的驅(qū)動電壓可從65n
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拆東墻補西墻：AMD芯片組產(chǎn)品缺貨現(xiàn)象將延續(xù)至9月底
- 據(jù)主板業(yè)者透露，AMD公司為了緩解旗下GPU市場供貨緊缺的問題，曾授意其顯卡/芯片組代工廠商臺積電公司將原先用于生產(chǎn)AMD55nm制程芯片組產(chǎn) 品的產(chǎn)線改為生產(chǎn)GPU芯片，業(yè)者預(yù)計此舉有可能導(dǎo)致AMD的芯片組產(chǎn)品出現(xiàn)供貨緊缺現(xiàn)象。 2009年下半年，由于臺積電公司40nm制程良率出現(xiàn)問題，AMD公司的40nm制程HD5000系列顯卡曾一度出現(xiàn)嚴重缺貨，結(jié)果導(dǎo)致顯卡廠商饑不擇食改下55nm Radeon HD4000系列顯卡GPU訂單，不過由于AMD公司此前對55nm GPU芯片的市場需求估計過低
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爾必達宣布全球最小40nm 2Gb移動內(nèi)存顆粒
- 據(jù)報道，日本DRAM大廠爾必達今天宣布已經(jīng)研發(fā)出40nm 2Gb移動(Mobile RAM)內(nèi)存顆粒。該顆粒大小不到50平方毫米，號稱目前能夠使用40nm工藝實現(xiàn)量產(chǎn)的最小顆粒。該2Gb移動內(nèi)存顆?；?0nm CMOS工藝，支持x16-bit、x32-bit位寬，采用60/90-ball FBGA或PoP式FBGA封裝。除JEDEC標準的1.8V電壓外，該顆粒還可支持1.2V的低電壓工作，數(shù)據(jù)傳輸率400Mbps，工作溫度-25到85度。 爾必達稱，新40nm顆粒在使用了爾必達獨家設(shè)計工藝以及
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AMD將使用40nm體硅制程技術(shù)制作Fusion集顯處理器
- 據(jù)Digitimes網(wǎng)站報道，AMD公司計劃將其集顯處理器產(chǎn)品Fusion外包給臺積電公司代工生產(chǎn)，而臺積電公司則將使用40nm體硅制程技術(shù)來生 產(chǎn)這款產(chǎn)品，另外這款處理器的后端封裝等則將外包給矽品願景( Siliconware Precision Industries：(SPIL)公司。而與AMD關(guān)系緊密的Globalfoundries也將獲得Fusion集顯處理器的一部分訂單，據(jù) TechEye網(wǎng)站最近的一篇報道顯示， Globalfoundries公司目前正在使用32nm SOI制程技術(shù)為AMD
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三星將加大40nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)能
- 頂級內(nèi)存/閃存芯片廠商三星公司近日宣布由于Intel至強5600系列新處理器的出爐，刺激服務(wù)器廠商對DDR3內(nèi)存的需求量大增，因此公司將增加 40nm制程DDR3內(nèi)存芯片的產(chǎn)能。三星表示其40nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的耗電量將比60nm制程產(chǎn)品低40%左右，目前其40nm制程 DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的型號主要有1Gb/2Gb/4Gb幾種，可用于制作1GB/2GB/4GB/8GB/16GB以及32GB registed內(nèi)存條。 三星半導(dǎo)體公司的副總裁Jim Elliott表示：“當(dāng)與
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Altera公布第一季度業(yè)績
- Altera公司今天發(fā)布宣布，第一季度銷售額達到4.023億美元，比2009年第四季度增長10%，比2009年第一季度增長52%。新產(chǎn)品銷售持續(xù)增長29%。今年第一季度凈收入達到1.532億美元，每股攤薄后收益為0.5美元，而2009年第四季度凈收入為1.03億美元，每股攤薄后收益0.34美元，2009年第一季度凈收入為0.44億美元，每股攤薄后收益0.15美元。 運營現(xiàn)金流為1.327億美元。Altera本季度末流動資金和短期投入達到17億美元。 Altera董事會宣布，每股0.05美元
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全球最大容量 爾必達4Gb DDR3顆粒開發(fā)完成
- 日本DRAM大廠爾必達今天宣布，已經(jīng)成功開發(fā)出4Gbit容量DDR3內(nèi)存顆粒。這是目前市場上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量內(nèi)存條，雙面16顆即可構(gòu)成單條8GB內(nèi)存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆?？晒?jié)能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產(chǎn)品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標準的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標準。 爾必達計劃將該顆粒使用在單條32
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供給有限、需求強勁 DRAM產(chǎn)業(yè)可連賺三年
- 根據(jù)DRAMeXchange的預(yù)測，從今年到2012年，DRAM產(chǎn)業(yè)供給方面在產(chǎn)能擴充、資本支出、浸潤式機臺供給有限，以及40nm以下制程轉(zhuǎn)進難度高影響下，位成長有限。而DRAM需求在全球景氣復(fù)蘇，帶動消費者及企業(yè)換機潮，以及智能型手機帶動行動內(nèi)存需求大幅成長下則將動力強勁，預(yù)期未來三年DRAM產(chǎn)業(yè)有機會連續(xù)獲利。 DRAMeXchange指出，DRAM產(chǎn)業(yè)過去十幾年來，幾乎每三年為一景氣循環(huán)周期，以DRAM廠的營業(yè)獲利率分析，2001至2003年DRAM產(chǎn)業(yè)連續(xù)三年虧損，2004至2006年轉(zhuǎn)
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IMEC、瑞薩、M4S聯(lián)手推出單芯片無線收發(fā)器
- 在2010年2月10日召開的國際固態(tài)電子電路大會上，IMEC、株式會社瑞薩科技(以下簡稱瑞薩)、M4S聯(lián)手推出了利用40nm低功耗CMOS工藝制造而成、帶有RF、基帶和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器電路的完整收發(fā)器。這款完全可重配置的收發(fā)器符合各種無線標準和應(yīng)用要求，并且符合即將推出的移動寬帶3GPP-LTE標準。 可隨時隨地為用戶提供大量服務(wù)的無線通信終端發(fā)展趨勢，推動了利用深亞微米CMOS工藝制造而成的可重配置無線電的發(fā)展。就3GPP-LTE標準自身非常靈活的特性而言，可重配置無線電就成為其最經(jīng)濟的實現(xiàn)方式。并
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臺積電計劃于2012年Q3開始試產(chǎn)22nm HP制程芯片
- 據(jù)臺積電公司負責(zé)開發(fā)的高級副總裁蔣尚義透露，他們計劃于2012年第三季度開始試產(chǎn)22nm HP(高性能)制程的芯片產(chǎn)品，并將于2013年第一季度開始試產(chǎn)22nm LP(低功耗)制程的芯片產(chǎn)品。蔣尚義是在日前于日本橫濱召開的一次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)論壇會議上透露這些信息的。 會上蔣尚義還透露了臺積電28nm制程推進計劃的細節(jié)，據(jù)他表示，臺積電將于今年6月底前開始試產(chǎn)28nm低功耗制程(LP)產(chǎn)品，基于這種制程產(chǎn)品將采用SiON+多晶硅材料制作管子的柵極絕緣層和柵極;隨后的9月份臺積電計劃啟動首款基于HKMG
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