40nm 文章進(jìn)入40nm技術(shù)社區(qū)

面向移動(dòng)設(shè)備:爾必達(dá)宣布40nm 2Gb密度 LPDDR2芯片開(kāi)發(fā)完成

　　日本內(nèi)存芯片廠(chǎng)商爾必達(dá)公司最近宣稱(chēng)公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了世界尺寸最小的LPDDR2內(nèi)存芯片，這種芯片的容量密度達(dá)2Gb，采用40nm制程技術(shù)制作，芯片的型號(hào)為ECB240ABBCN，芯片數(shù)據(jù)傳輸率達(dá)1066Mbps，工作電壓為1.2V，可在-30-85℃條件下工作。LPDDR2是JEDEC組織認(rèn)可的低功耗DDR2內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，支持這種標(biāo)準(zhǔn)的芯片產(chǎn)品專(zhuān)門(mén)面向智能手機(jī)，平板電腦等移動(dòng)設(shè)備。　　爾必達(dá)稱(chēng)該內(nèi)存芯片產(chǎn)品將于今年8月份開(kāi)始量產(chǎn)，產(chǎn)品將以Pop型FBGA封裝和134腳FBGA兩種封裝形式供貨，并可以
關(guān)鍵字：爾必達(dá) 40nm LPDDR2

中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)再次發(fā)起沖擊

　　沉寂了一段時(shí)間后，中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)又重新開(kāi)始沖剌，表現(xiàn)為上海華力12英寸項(xiàng)目啟動(dòng)及中芯國(guó)際擴(kuò)充北京12英寸生產(chǎn)線(xiàn)產(chǎn)能至4.5萬(wàn)片，包括可能在北京再建一條12英寸生產(chǎn)線(xiàn)等。　　然而，從國(guó)外媒體來(lái)的訊息表示的觀(guān)點(diǎn)有些不同。如美國(guó)Information Network認(rèn)為中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)在政府資金支持下，在未來(lái)的5年內(nèi)將投資250億美元，可能再次掀起高潮。但也不排除，有的市場(chǎng)分析公司對(duì)于投資的回報(bào)率存有質(zhì)疑，其實(shí)這一切才是正常的。因?yàn)橹袊?guó)半導(dǎo)體業(yè)是屬于戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)，不是完全可用市場(chǎng)機(jī)制，單一的經(jīng)濟(jì)規(guī)律來(lái)解釋得通。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 28nm 40nm

“新摩爾時(shí)代”的新興應(yīng)用與技術(shù)探尋(上)

　　有人說(shuō)現(xiàn)在是大公司時(shí)代，強(qiáng)者更強(qiáng)，因此電子業(yè)內(nèi)兼并重組現(xiàn)象時(shí)有發(fā)生。有人卻說(shuō)，未來(lái)給中小企業(yè)帶來(lái)了機(jī)會(huì)，只要你的技術(shù)或產(chǎn)品在專(zhuān)注的領(lǐng)域里能排在前三，因?yàn)榘l(fā)達(dá)的媒體業(yè)鏟平了信息阻隔，為更多的中小企業(yè)創(chuàng)造了貿(mào)易機(jī)會(huì)。　　最近，筆者參加了美國(guó)Globalpress公司在硅谷周邊——Santa Cruz舉辦的Electronic Summit2010(電子高峰會(huì)議)，有約30家公司參與，大部分是中小企業(yè)。從中感慨到：摩爾定律揭示了半導(dǎo)體業(yè)正向40/32/28nm制程推進(jìn)的必然過(guò)
關(guān)鍵字：摩爾定律 40nm 32nm 28nm 201006

Altera開(kāi)始量產(chǎn)發(fā)售Stratix IV FPGA系列密度最大器件

　　Altera公司今天宣布，開(kāi)始量產(chǎn)發(fā)售40-nm Stratix? IV FPGA系列密度最大的器件。Stratix IV E EP4SE820具有820K邏輯單元(LE)，非常適合需要高密度、高性能和低功耗FPGA的各類(lèi)高端應(yīng)用，包括ASIC原型開(kāi)發(fā)和仿真、無(wú)線(xiàn)、固網(wǎng)、軍事、計(jì)算機(jī)和存儲(chǔ)應(yīng)用等。此次發(fā)布后，Altera高端40-nm Stratix IV FPGA系列全部面市，所有器件都已量產(chǎn)發(fā)售。　　Stratix IV E器件作為Stratix IV FPGA系列的型號(hào)之一，同時(shí)實(shí)現(xiàn)
關(guān)鍵字： Altera 40nm Stratix

東芝發(fā)布40nm工藝SoC用低電壓SRAM技術(shù)

　　東芝在“2010 Symposium on VLSI Technology”(2010年6月15～17日，美國(guó)夏威夷州檀香山)上，發(fā)布了采用09年開(kāi)始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過(guò)控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化，可抑制SRAM的最小驅(qū)動(dòng)電壓上升。東芝此次證實(shí)，單元面積僅為0.24μm2的32Mbit SRAM的驅(qū)動(dòng)電壓可在確保95%以上成品率的情況下降至0.9V。因此，低功耗SoC的驅(qū)動(dòng)電壓可從65n
關(guān)鍵字：東芝 40nm SoC SRAM

Imec在歐洲提供TSMC 40nm技術(shù)平臺(tái)服務(wù)

　　全球領(lǐng)先的納電子研究中心imec和全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠(chǎng)商TSMC日前宣布拓展imec歐洲基于TSMC 40nm工藝的IC服務(wù)。通過(guò)緊密的合作，imec和TSMC將同時(shí)為歐洲公司和研究機(jī)構(gòu)開(kāi)放Cybershuttle MPW平臺(tái)。
關(guān)鍵字： TSMC 40nm

拆東墻補(bǔ)西墻：AMD芯片組產(chǎn)品缺貨現(xiàn)象將延續(xù)至9月底

　　據(jù)主板業(yè)者透露，AMD公司為了緩解旗下GPU市場(chǎng)供貨緊缺的問(wèn)題，曾授意其顯卡/芯片組代工廠(chǎng)商臺(tái)積電公司將原先用于生產(chǎn)AMD55nm制程芯片組產(chǎn) 品的產(chǎn)線(xiàn)改為生產(chǎn)GPU芯片，業(yè)者預(yù)計(jì)此舉有可能導(dǎo)致AMD的芯片組產(chǎn)品出現(xiàn)供貨緊缺現(xiàn)象。　　2009年下半年，由于臺(tái)積電公司40nm制程良率出現(xiàn)問(wèn)題，AMD公司的40nm制程HD5000系列顯卡曾一度出現(xiàn)嚴(yán)重缺貨，結(jié)果導(dǎo)致顯卡廠(chǎng)商饑不擇食改下55nm Radeon HD4000系列顯卡GPU訂單，不過(guò)由于AMD公司此前對(duì)55nm GPU芯片的市場(chǎng)需求估計(jì)過(guò)低
關(guān)鍵字： AMD 40nm GPU

爾必達(dá)宣布全球最小40nm 2Gb移動(dòng)內(nèi)存顆粒

　　據(jù)報(bào)道，日本DRAM大廠(chǎng)爾必達(dá)今天宣布已經(jīng)研發(fā)出40nm 2Gb移動(dòng)(Mobile RAM)內(nèi)存顆粒。該顆粒大小不到50平方毫米，號(hào)稱(chēng)目前能夠使用40nm工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的最小顆粒。該2Gb移動(dòng)內(nèi)存顆粒基于40nm CMOS工藝，支持x16-bit、x32-bit位寬，采用60/90-ball FBGA或PoP式FBGA封裝。除JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的1.8V電壓外，該顆粒還可支持1.2V的低電壓工作，數(shù)據(jù)傳輸率400Mbps，工作溫度-25到85度。　　爾必達(dá)稱(chēng)，新40nm顆粒在使用了爾必達(dá)獨(dú)家設(shè)計(jì)工藝以及
關(guān)鍵字：爾必達(dá) 40nm 內(nèi)存

AMD將使用40nm體硅制程技術(shù)制作Fusion集顯處理器

　　據(jù)Digitimes網(wǎng)站報(bào)道，AMD公司計(jì)劃將其集顯處理器產(chǎn)品Fusion外包給臺(tái)積電公司代工生產(chǎn)，而臺(tái)積電公司則將使用40nm體硅制程技術(shù)來(lái)生產(chǎn)這款產(chǎn)品，另外這款處理器的后端封裝等則將外包給矽品願(yuàn)景( Siliconware Precision Industries：(SPIL)公司。而與AMD關(guān)系緊密的Globalfoundries也將獲得Fusion集顯處理器的一部分訂單，據(jù) TechEye網(wǎng)站最近的一篇報(bào)道顯示， Globalfoundries公司目前正在使用32nm SOI制程技術(shù)為AMD
關(guān)鍵字： AMD 40nm 集顯處理器

三星將加大40nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)能

　　頂級(jí)內(nèi)存/閃存芯片廠(chǎng)商三星公司近日宣布由于Intel至強(qiáng)5600系列新處理器的出爐，刺激服務(wù)器廠(chǎng)商對(duì)DDR3內(nèi)存的需求量大增，因此公司將增加 40nm制程DDR3內(nèi)存芯片的產(chǎn)能。三星表示其40nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的耗電量將比60nm制程產(chǎn)品低40%左右，目前其40nm制程 DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的型號(hào)主要有1Gb/2Gb/4Gb幾種，可用于制作1GB/2GB/4GB/8GB/16GB以及32GB registed內(nèi)存條。　　三星半導(dǎo)體公司的副總裁Jim Elliott表示：“當(dāng)與
關(guān)鍵字：三星內(nèi)存芯片 40nm DDR3

Altera公布第一季度業(yè)績(jī)

　　Altera公司今天發(fā)布宣布，第一季度銷(xiāo)售額達(dá)到4.023億美元，比2009年第四季度增長(zhǎng)10%，比2009年第一季度增長(zhǎng)52%。新產(chǎn)品銷(xiāo)售持續(xù)增長(zhǎng)29%。今年第一季度凈收入達(dá)到1.532億美元，每股攤薄后收益為0.5美元，而2009年第四季度凈收入為1.03億美元，每股攤薄后收益0.34美元，2009年第一季度凈收入為0.44億美元，每股攤薄后收益0.15美元。　　運(yùn)營(yíng)現(xiàn)金流為1.327億美元。Altera本季度末流動(dòng)資金和短期投入達(dá)到17億美元。　　Altera董事會(huì)宣布，每股0.05美元
關(guān)鍵字： Altera FPGA 65nm 40nm

全球最大容量爾必達(dá)4Gb DDR3顆粒開(kāi)發(fā)完成

　　日本DRAM大廠(chǎng)爾必達(dá)今天宣布，已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出4Gbit容量DDR3內(nèi)存顆粒。這是目前市場(chǎng)上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量?jī)?nèi)存條，雙面16顆即可構(gòu)成單條8GB內(nèi)存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆?？晒?jié)能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產(chǎn)品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標(biāo)準(zhǔn)的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標(biāo)準(zhǔn)。　　爾必達(dá)計(jì)劃將該顆粒使用在單條32
關(guān)鍵字：爾必達(dá) 40nm CMOS DDR3

供給有限、需求強(qiáng)勁　DRAM產(chǎn)業(yè)可連賺三年

　　根據(jù)DRAMeXchange的預(yù)測(cè)，從今年到2012年，DRAM產(chǎn)業(yè)供給方面在產(chǎn)能擴(kuò)充、資本支出、浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)供給有限，以及40nm以下制程轉(zhuǎn)進(jìn)難度高影響下，位成長(zhǎng)有限。而DRAM需求在全球景氣復(fù)蘇，帶動(dòng)消費(fèi)者及企業(yè)換機(jī)潮，以及智能型手機(jī)帶動(dòng)行動(dòng)內(nèi)存需求大幅成長(zhǎng)下則將動(dòng)力強(qiáng)勁，預(yù)期未來(lái)三年DRAM產(chǎn)業(yè)有機(jī)會(huì)連續(xù)獲利。　　DRAMeXchange指出，DRAM產(chǎn)業(yè)過(guò)去十幾年來(lái)，幾乎每三年為一景氣循環(huán)周期，以DRAM廠(chǎng)的營(yíng)業(yè)獲利率分析，2001至2003年DRAM產(chǎn)業(yè)連續(xù)三年虧損，2004至2006年轉(zhuǎn)
關(guān)鍵字：智能手機(jī) DRAM 40nm

IMEC、瑞薩、M4S聯(lián)手推出單芯片無(wú)線(xiàn)收發(fā)器

　　在2010年2月10日召開(kāi)的國(guó)際固態(tài)電子電路大會(huì)上，IMEC、株式會(huì)社瑞薩科技(以下簡(jiǎn)稱(chēng)瑞薩)、M4S聯(lián)手推出了利用40nm低功耗CMOS工藝制造而成、帶有RF、基帶和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器電路的完整收發(fā)器。這款完全可重配置的收發(fā)器符合各種無(wú)線(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)和應(yīng)用要求，并且符合即將推出的移動(dòng)寬帶3GPP-LTE標(biāo)準(zhǔn)。　　可隨時(shí)隨地為用戶(hù)提供大量服務(wù)的無(wú)線(xiàn)通信終端發(fā)展趨勢(shì)，推動(dòng)了利用深亞微米CMOS工藝制造而成的可重配置無(wú)線(xiàn)電的發(fā)展。就3GPP-LTE標(biāo)準(zhǔn)自身非常靈活的特性而言，可重配置無(wú)線(xiàn)電就成為其最經(jīng)濟(jì)的實(shí)現(xiàn)方式。并
關(guān)鍵字：瑞薩 40nm CMOS 無(wú)線(xiàn)收發(fā)器

臺(tái)積電計(jì)劃于2012年Q3開(kāi)始試產(chǎn)22nm HP制程芯片

　　據(jù)臺(tái)積電公司負(fù)責(zé)開(kāi)發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義透露，他們計(jì)劃于2012年第三季度開(kāi)始試產(chǎn)22nm HP(高性能)制程的芯片產(chǎn)品，并將于2013年第一季度開(kāi)始試產(chǎn)22nm LP(低功耗)制程的芯片產(chǎn)品。蔣尚義是在日前于日本橫濱召開(kāi)的一次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)論壇會(huì)議上透露這些信息的。　　會(huì)上蔣尚義還透露了臺(tái)積電28nm制程推進(jìn)計(jì)劃的細(xì)節(jié)，據(jù)他表示，臺(tái)積電將于今年6月底前開(kāi)始試產(chǎn)28nm低功耗制程(LP)產(chǎn)品，基于這種制程產(chǎn)品將采用SiON+多晶硅材料制作管子的柵極絕緣層和柵極;隨后的9月份臺(tái)積電計(jì)劃啟動(dòng)首款基于HKMG
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 40nm 芯片

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40nm介紹

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40nm資料下載

適用于廣播視頻應(yīng)用的Altera 28-nm FPGA
采用FPGA實(shí)現(xiàn)100G光傳送網(wǎng)
采用帶有收發(fā)器的全系列40-nm FPGA 和ASIC 實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新設(shè)計(jì)
評(píng)估40 nm FPGA DSP基準(zhǔn)測(cè)試
簡(jiǎn)化同時(shí)多模式RRH設(shè)計(jì)
在40-nm工藝節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)世界上最先進(jìn)的定制邏輯器件
40-nm FPGA：體系結(jié)構(gòu)和性能對(duì)比
40-nm FPGA：體系結(jié)構(gòu)和性能對(duì)比

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