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5nm
5nm 文章 進(jìn)入5nm技術(shù)社區(qū)
臺(tái)積電5nm工廠本周破土：2020年開(kāi)工3nm
- 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電將于本周在臺(tái)灣南部科學(xué)工業(yè)園區(qū)(STSP)開(kāi)工建設(shè)新的5nm工廠，并將于2020年啟動(dòng)3nm工廠，而新工藝的快速演進(jìn)將大大鞏固臺(tái)積電一號(hào)代工廠的地位。 臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀會(huì)出席奠基儀式，這也將是他在今年6月份退休之前，最后一次參加這類活動(dòng)。 目前，臺(tái)積電正在積極準(zhǔn)備量產(chǎn)7nm，預(yù)計(jì)第二季度即可實(shí)現(xiàn)、第四季度火力全開(kāi)。 更關(guān)鍵的是，臺(tái)積電已經(jīng)壟斷了7nm代工市場(chǎng)，收獲了100%的訂單，包括高通驍龍855、蘋果A12等重磅大單，徹底擊敗三星。 根據(jù)路線圖，臺(tái)積
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5nm工藝可能無(wú)法實(shí)現(xiàn)？存儲(chǔ)器除了3D NAND還有其他選擇？看這4個(gè)技術(shù)老兵怎么說(shuō)
- 5nm以下的工藝尺寸縮減邏輯;DRAM、3DNAND和新型存儲(chǔ)器的未來(lái);太多可能解決方案帶來(lái)的高成本。 近日，外媒SE組織了一些專家討論工藝尺寸如何繼續(xù)下探、新材料和新工藝的引入帶來(lái)哪些變化和影響，專家團(tuán)成員有LamResearch的首席技術(shù)官RickGottscho、GlobalFoundries先進(jìn)模塊工程副總裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技術(shù)合伙人DavidShortt、ASML計(jì)算光刻產(chǎn)品副總裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
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Imec：下一代 5nm 2D材料可望突破摩爾定律限制
- 根據(jù)比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)Imec指出，設(shè)計(jì)人員可以選擇采用2D非等向性(顆粒狀速度更快)材料(如黑磷單層)，讓摩爾定律(Moore‘s Law)擴(kuò)展到超越5納米(nm)節(jié)點(diǎn)。Imec研究人員在Semicon West期間舉辦的年度Imec技術(shù)論壇(Imec Technology Forum)發(fā)表其最新研究成果。 Imec展示的研究計(jì)劃專注于實(shí)現(xiàn)高性能邏輯應(yīng)用的場(chǎng)效電晶體(FET)，作為其Core CMOS計(jì)劃的一部份。Imec及其合作伙伴分別在材料、元件與電路層級(jí)實(shí)現(xiàn)協(xié)同最佳化，證實(shí)了在傳
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下一代5nm 2D材料可望突破摩爾定律限制？
- Imec 開(kāi)發(fā)下一代 5nm 2D 通道 FET 架構(gòu)，證實(shí)采用 2D 非等向性材料可讓摩爾定律延續(xù)到超越 5nm 節(jié)點(diǎn)… 根據(jù)比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)Imec指出，設(shè)計(jì)人員可以選擇采用2D非等向性(顆粒狀速度更快)材料(如黑磷單層)，讓摩爾定律(Moore's Law)擴(kuò)展到超越5納米(nm)節(jié)點(diǎn)。Imec研究人員在Semicon West期間舉辦的年度Imec技術(shù)論壇(Imec Technology Forum)發(fā)表其最新研究成果。 Imec開(kāi)發(fā)的下一代5nm 2D通道
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IBM和三星推出5nm工藝，為摩爾定律+1s
- 上周，Nvidia CEO黃仁勛在臺(tái)北電腦展上表示摩爾定律已死(黃仁勛說(shuō)摩爾定律已死，Nvidia要用人工智能應(yīng)對(duì))，不過(guò)IBM和三星有不同意見(jiàn)。 雷鋒網(wǎng)消息，日前，IBM聯(lián)合三星宣布了一項(xiàng)名為nanosheets的晶體管制造技術(shù)。該技術(shù)拋棄了標(biāo)準(zhǔn)的 FinFET 架構(gòu)，采用全新的四層堆疊納米材料。這項(xiàng)技術(shù)為研發(fā)5nm芯片奠定了基礎(chǔ)。IBM表示，借助該項(xiàng)技術(shù)，芯片制造商可以在指甲蓋大小的芯片面積里，塞下將近300億個(gè)晶體管。要知道，高通不久前發(fā)布的采用10nm工藝的旗艦芯片驍龍835，也才不過(guò)集
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IBM三星攜手研發(fā)5nm芯片：成本更低、性能更強(qiáng)
- 據(jù)外媒報(bào)道，三星聯(lián)合 IBM 日前宣布了一項(xiàng)名為 nanosheets 的技術(shù)。得益于該技術(shù)，芯片制造商能夠?qū)⒏嗟木w管容納到更小的芯片組里，他們宣稱在 5nm 芯片可以實(shí)現(xiàn)在指甲蓋大小中集成 300 億顆晶體管，而當(dāng)前 10nm 的驍龍 835 僅僅集成的晶體管數(shù)量約為 30 億。 IBM 稱，同樣封裝面積晶體管數(shù)量的增大有非常多的好處，比如降低成本、提高性能，而且非常重要的一點(diǎn)是，5nm 加持下，現(xiàn)有設(shè)備如手機(jī)的電池壽命將提高 2 至 3 倍。早在 2015 年，IBM 就攜手 Glo
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臺(tái)積電2019年上半年試產(chǎn)5nm制程
- 晶圓代工龍頭臺(tái)積電年度股東常會(huì)將于6月8日登場(chǎng)，并于今(24)日上傳致股東報(bào)告書，當(dāng)中揭露先進(jìn)制程技術(shù)最新進(jìn)展，其中，7納米已在今年4月開(kāi)始試產(chǎn)，預(yù)期良率改善將相當(dāng)快速，5納米則維持原先計(jì)劃，預(yù)計(jì)2019年上半年試產(chǎn)。 臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀指出，去年間與主要客戶及硅智財(cái)供應(yīng)商攜手合作完成7納米技術(shù)硅智財(cái)設(shè)計(jì)，并開(kāi)始進(jìn)行硅晶驗(yàn)證，按照計(jì)劃在今年4月試產(chǎn)。 5納米部分，張忠謀表示，規(guī)劃使用極紫外光(EUV)微影技術(shù)，以降低制程復(fù)雜度，制程技術(shù)預(yù)計(jì)2019年上半年試產(chǎn)。 10納米部分則是已在
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臺(tái)積電5nm 估2019年完成技術(shù)驗(yàn)證
- 臺(tái)積電物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)處資深處長(zhǎng)王耀東表示，未來(lái)臺(tái)積電成長(zhǎng)動(dòng)能來(lái)自于高階智慧型手機(jī)、高效運(yùn)算晶片、物聯(lián)網(wǎng)及車用電子。而臺(tái)積電在10奈米技術(shù)開(kāi)發(fā)如預(yù)期，今年底可以進(jìn)入量產(chǎn)，第一個(gè)采用10奈米產(chǎn)品已達(dá)到滿意良率，目前已經(jīng)有三個(gè)客戶產(chǎn)品完成設(shè)計(jì)定案，預(yù)期今年底前還有更多客戶會(huì)完成設(shè)計(jì)定案，該產(chǎn)品在明年第1季開(kāi)始貢獻(xiàn)營(yíng)收，且在2017年快速提升量產(chǎn)。 7奈米部分，臺(tái)積電該部分進(jìn)度優(yōu)異，7奈米在PPA及進(jìn)展時(shí)程均領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，兩個(gè)應(yīng)用平臺(tái)高階智慧型手機(jī)及高效運(yùn)算晶片客戶都積極采用臺(tái)積電7奈米先進(jìn)制程技術(shù)，且
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【IITC/AMC 2016】5nm工藝IC布線技術(shù)發(fā)展方向明確
- 由IEEEElectronDeviceSociety主辦的半導(dǎo)體互連(布線)技術(shù)相關(guān)國(guó)際會(huì)議“IEEEInternationalInterconnectTechnologyConference(IITC)2016”于5月23～26日在美國(guó)圣荷西舉辦。這是該會(huì)議時(shí)隔兩年再次回到美國(guó)，共有超過(guò)230人參加，展開(kāi)了積極的討論。 IITC2016的論文數(shù)量為一般口頭演講(包括主題演講)45件，展板發(fā)表33件。一般演講按領(lǐng)域劃分，涵蓋硅化物的“MUP(Materials
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英特爾第三款10nm CPU架構(gòu)曝光 5nm芯片2022年推出
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- The Motley Fool談?wù)摿擞⑻貭栍?jì)劃推出的三個(gè)10nm節(jié)點(diǎn)架構(gòu)，而不是此前預(yù)期的兩種：“管理層向投資者表示，他們正試圖回到2年/低于10nm的節(jié)奏(此話或意味著2年內(nèi)從10nm轉(zhuǎn)到7nm)。不過(guò)根據(jù)剛從熟知英特爾計(jì)劃的消息人士那獲得的信息，該公司正致力于三款、而不是兩款10nm節(jié)點(diǎn)架構(gòu)”。 此前有消息稱，Kaby Lake會(huì)停留在當(dāng)前的14nm節(jié)點(diǎn)，并打亂英特爾每2年一升級(jí)的制造技術(shù)步伐。該公司首款10nm處理器架構(gòu)被稱作“Cannonlake&rd
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10nm跨三世代 Intel 2020年進(jìn)5nm制程
- 先前證實(shí)采用10nm制程技術(shù)的“Cannonlake”將延后至2017年下半年間推出消息后，相關(guān)消息具體透露Intel計(jì)畫將以10nm制程打造代 號(hào)“Icelake”與“Tigerlake”處理器系列，分別將于2018年與2019年揭曉，同時(shí)預(yù)計(jì)在2020年時(shí)進(jìn)入5nm制程發(fā)展，但目前暫時(shí) 尚未透露預(yù)計(jì)推行處理器代號(hào)名稱。 根 據(jù)overclock3d.net網(wǎng)站取得資料顯示，Intel將以10nm制程技術(shù)打造代號(hào)&ldqu
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