5nm 文章 進(jìn)入5nm技術(shù)社區(qū)
10nm跨三世代 Intel 2020年進(jìn)5nm制程
- 先前證實(shí)采用10nm制程技術(shù)的“Cannonlake”將延后至2017年下半年間推出消息后，相關(guān)消息具體透露Intel計(jì)畫將以10nm制程打造代 號“Icelake”與“Tigerlake”處理器系列，分別將于2018年與2019年揭曉，同時(shí)預(yù)計(jì)在2020年時(shí)進(jìn)入5nm制程發(fā)展，但目前暫時(shí) 尚未透露預(yù)計(jì)推行處理器代號名稱。 根 據(jù)overclock3d.net網(wǎng)站取得資料顯示，Intel將以10nm制程技術(shù)打造代號&ldqu
- 關(guān)鍵字： Intel 5nm
臺積電計(jì)劃在2020年推出5nm芯片生產(chǎn)線
- 芯片制造工藝的提高有助于降低功耗并提升性能，目前三星和臺積電均已經(jīng)可以以14nm/16nm工藝制造芯片，而據(jù)報(bào)道，臺積電正計(jì)劃最早在2020上半年推出5nm工藝制造技術(shù)。此外，7nm工藝的芯片也有望在2018年早些時(shí)候量產(chǎn)。如果他們的進(jìn)度靠譜，就意味著2年間的芯片尺寸縮減會達(dá)到50%。 開發(fā)7nm以下芯片的制造過程是相當(dāng)棘手的，但臺積電將答案寄托在了極紫外光刻(UAV)技術(shù)上。該公司稱，他們已經(jīng)在這方面取得了“重大進(jìn)展”，并預(yù)計(jì)延伸至5nm技術(shù)
- 關(guān)鍵字： 臺積電 5nm
臺積電7納米SRAM打贏三星 要準(zhǔn)備5nm制程
- 臺積電與英特爾、三星的先進(jìn)制程競賽依舊打得火熱，10納米以下制程成為半導(dǎo)體三雄間的競逐場，三星雖于11月中搶先發(fā)表10納米FinFET制程生產(chǎn)的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)，看似搶先臺積電與三星，不過，臺積電3日透露，早已成功以7納米制程產(chǎn)出SRAM，而且預(yù)告5納米也要來了! 臺積電于3日舉辦第十五屆供應(yīng)鏈管理論壇，臺積電總經(jīng)理暨共同執(zhí)行長劉德音表示，庫存調(diào)整已近尾聲，2016有望恢復(fù)成長，臺積明年將比今年更好，與先前自家董事長張忠謀的說法一致，劉德音對臺積電先進(jìn)制程進(jìn)度也透露更多的訊息。 在1
- 關(guān)鍵字： 臺積電 5nm
三星稱5nm工藝芯片制造完全沒有問題
- 就在昨天的 ISSCC(International Solid State Circuit Conference)國際固態(tài)電路會議上，三星的舉動令業(yè)界感 到驚訝，全球首次展示了 10nm FinFET 半導(dǎo)體制程。當(dāng)時(shí)業(yè)內(nèi)人士紛紛表示，三星有望搶在英特爾之前造出全球第一款 10nm 工藝用于移動平臺的處理器。 實(shí) 際上，作為韓國高科技巨頭，三星在半導(dǎo)體制造方面已經(jīng)非常超前，目前僅有三星一家可以正式大規(guī)模量產(chǎn) 14nm FinFET 工藝的移動設(shè)備芯片，而此前在工藝方面
- 關(guān)鍵字： 三星 固態(tài)電路 5nm
28nm以下工藝成本與收益現(xiàn)矛盾
- 三十多年來，半導(dǎo)體工業(yè)繞來繞去都繞不開“摩爾定律”，但是隨著工藝的提升，業(yè)內(nèi)專家表示摩爾定律快要失效了。博通公司CTOHenrySamueli此前就表示過15年后摩爾定律就不管用了，日前他在IEDM國際電子元件會議上同樣做了類似表示，現(xiàn)有半導(dǎo)體工藝將在5nm階段達(dá)到極限，而且28nm工藝之后制造成本已不能從中獲益。 Samueli在接受EETimes采訪時(shí)談到了現(xiàn)在的半導(dǎo)體工藝狀態(tài)，28nm及之后的工藝雖然會繼續(xù)提升芯片的性能、降低功耗，但在成本上已經(jīng)不能繼續(xù)受益，未
- 關(guān)鍵字： 28nm 5nm
Intel已開始研發(fā)7nm及5nm工藝
- Intel CEO Paul Otellini近日對投資者透露，半導(dǎo)體巨頭已經(jīng)開始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作，這也是Intel第一次官方披露后10nm時(shí)代的遠(yuǎn)景規(guī)劃。 他說：“我們的研究和開發(fā)是相當(dāng)深遠(yuǎn)的，我是說(未來)十年。” 按照路線圖，22nm工藝之后，Intel將在2013年進(jìn)入14nm時(shí)代，相應(yīng)產(chǎn)品代號Broadwell。下一站是10nm，目前還在早期研究階段，預(yù)計(jì)2015年左右實(shí)現(xiàn)。 7nm、5nm現(xiàn)在都處于理論研究階段，具體如何去做還遠(yuǎn)未定案
- 關(guān)鍵字： Intel 5nm
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473