600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 進(jìn)入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區(qū)
IR潘大偉：善用功率器件，為節(jié)能設(shè)計保駕護(hù)航
- 在可以預(yù)見的未來，電能將會成為我們主要的消耗能源。大至高速列車，小至手機(jī)，都不能脫離電能而存在。無論什么類 ...
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揚州：電子制造業(yè)“三分天下”推動經(jīng)濟(jì)發(fā)展
- 揚州電子信息產(chǎn)業(yè)近年來快速發(fā)展，從電線電纜獨大，到新能源和新光源產(chǎn)業(yè)崛起，“三分天下”格局初成。目前，電線電纜約占1/3，新光源和新能源各占20%強(qiáng)，電子信息制造業(yè)結(jié)構(gòu)趨于合理。未來將通過規(guī)劃引導(dǎo)、項目推動、創(chuàng)新突破等3大舉措，促進(jìn)電子制造業(yè)加快發(fā)展。 布局3大產(chǎn)業(yè) 揚州電子制造業(yè)形成電線電纜、新光源、新能源3大產(chǎn)業(yè)齊頭并進(jìn)新格局，結(jié)構(gòu)得到優(yōu)化。 目前，揚州光伏新能源產(chǎn)業(yè)已形成電子級高純度多晶硅、單晶硅、硅片、電池片、組件全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)能力，多晶硅太陽能電池年產(chǎn)
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GaN類功率元件，高耐壓成功率半導(dǎo)體主角
- 采用Si基板降低成本，通過改變構(gòu)造改善特性那么，GaN類功率元件的成本、電氣特性以及周邊技術(shù)方面存在...
- 關(guān)鍵字： GaN類功率半導(dǎo)體 功率半導(dǎo)體 GaN
隔離驅(qū)動IGBT和PowerMOSFET等功率器件所需要的一些技巧
- 功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
- 關(guān)鍵字： 隔離驅(qū)動 PowerMOSFET 功率器件
如何準(zhǔn)確選擇功率器件二
- 第三步：確定熱要求 選擇MOSFET的下一步是計算系統(tǒng)的散熱要求。設(shè)計人員必須考慮兩種不同的情況，即最壞情 ...
- 關(guān)鍵字： 功率器件
如何準(zhǔn)確選擇功率器件一
- 所謂功率半導(dǎo)體器件，以前也被稱為電力電子器件，簡單來說，就是進(jìn)行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導(dǎo)體 ...
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Diodes霍爾開關(guān)有效優(yōu)化敏感度
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出四款全極性霍爾效應(yīng)開關(guān)，其磁場檢測的敏感度適合于多種產(chǎn)品設(shè)計的接近效應(yīng)與位置檢測功能。這些微功率器件也為電池及低功率操作進(jìn)行了優(yōu)化，在3V供電下一般僅消耗24 μW。
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國產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售
- “十二五”規(guī)劃出臺以后，國家對新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時，“節(jié)能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細(xì)化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導(dǎo)體功率器件作為關(guān)鍵部件，受到了國家的重視，近兩年更是列入國家重大科技專項中提供多方位的支持。 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導(dǎo)體分立器件，具有易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高的特點，廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機(jī)
- 關(guān)鍵字： 新能源 功率器件 IGBT
富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)GaN功率器件
- 上海，2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。 與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化
- 關(guān)鍵字： 富士通 功率器件 GaN
富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件
- 富士通半導(dǎo)體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。 與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化，從而可以通過硅晶圓直徑的增加，來實現(xiàn)低成本生產(chǎn)。按照此目標(biāo)，富
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