EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
600v氮化鎵（gan）功率器件
600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 進(jìn)入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區(qū)
以GaN打造的功率放大器為5G鋪路
- 德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開發(fā)出實(shí)現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的建構(gòu)模組：以氮化鎵(GaN)技術(shù)制造的高功率放大器電晶體... 下一代行動(dòng)無線網(wǎng)路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達(dá)10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng)新應(yīng)用提供平臺(tái)。德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，F(xiàn)raunhofer IAF)近日開發(fā)出實(shí)現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的一種建構(gòu)模組
- 關(guān)鍵字： GaN 5G
GaN、SiC功率元件帶來更輕巧的世界
- 眾人皆知，由于半導(dǎo)體制程的不斷精進(jìn)，數(shù)位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運(yùn)算力不斷增強(qiáng)，使運(yùn)算的取得愈來愈便宜，也愈來愈輕便，運(yùn)算力便宜的代表是微電腦、個(gè)人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機(jī)、平板。 ? GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source：www.nedo.go.jp) 不過，姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去，有些電子系統(tǒng)的輕便度仍待改進(jìn)提升，例如筆電出門經(jīng)常要帶著一個(gè)厚重占體積的電源配接器(Power Ad
- 關(guān)鍵字： GaN SiC
諾貝爾獎(jiǎng)后 日本GaN產(chǎn)學(xué)應(yīng)用新動(dòng)態(tài)
- 當(dāng)諾貝爾獎(jiǎng)委員會(huì)在2014年宣布物理獎(jiǎng)得主是發(fā)明藍(lán)光LED而得獎(jiǎng)的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后，掀起日本人對(duì)LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關(guān)研究單位及研究計(jì)劃獲得更多的支持與關(guān)注。 比方2015年以諾貝爾獎(jiǎng)得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個(gè)技術(shù)研發(fā)基金會(huì)加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導(dǎo)體先進(jìn)零組件開創(chuàng)研究實(shí)驗(yàn)室(GaN-OIL)，都是
- 關(guān)鍵字： GaN LED
諾貝爾獎(jiǎng)后 日本GaN產(chǎn)學(xué)應(yīng)用新動(dòng)態(tài)
- 當(dāng)諾貝爾獎(jiǎng)委員會(huì)在2014年宣布物理獎(jiǎng)得主是發(fā)明藍(lán)光LED而得獎(jiǎng)的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后，掀起日本人對(duì)LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關(guān)研究單位及研究計(jì)劃獲得更多的支持與關(guān)注。 比方2015年以諾貝爾獎(jiǎng)得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個(gè)技術(shù)研發(fā)基金會(huì)加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(Nagoya University)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導(dǎo)體先進(jìn)零組件開創(chuàng)研究實(shí)驗(yàn)室(GaN-OIL)，都
- 關(guān)鍵字： GaN 藍(lán)光LED
三菱電機(jī)展臺(tái)大受歡迎，攜八款功率器件實(shí)力亮相
- 三菱電機(jī)今年繼續(xù)以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為主題， 攜帶八款新型功率器件，在今天正式亮相PCIM Asia 2016(上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì))，受到廣大參觀者的一致好評(píng)，參觀者們紛紛在三菱電機(jī)展臺(tái)拍照留念，三菱電機(jī)再次向公眾展示其在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)上的非凡實(shí)力(三菱電機(jī)展位號(hào)：B15)。 今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越四大領(lǐng)域，包括：變頻家電、軌道牽引及電力傳輸、電動(dòng)汽車、工業(yè)和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。
- 關(guān)鍵字： 三菱電機(jī) 功率器件
臺(tái)積電發(fā)力“硅基氮化鎵”元件受托業(yè)務(wù)
- 臺(tái)灣臺(tái)積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開了受托生產(chǎn)服務(wù)的藍(lán)圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術(shù)生產(chǎn)GaN晶體管。 臺(tái)積電打算開展受托生產(chǎn)的GaN晶體管有三種類型：(1)常開型(Normal On)MISFET、(2)常開型HEMT、(3)常關(guān)型(Normal Off)。按耐壓高低來分有40V、100V和650V產(chǎn)品。 其中，耐壓650V的常關(guān)
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 GaN
三菱電機(jī)攜八款功率器件在PCIM Asia 2016隆重登場(chǎng)
- 三菱電機(jī)今年繼續(xù)以“創(chuàng)新 功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為主題， 攜帶八款新型功率器件，于6月28至30日在上海世博展覽館舉行的 PCIMAsia2016(上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì))中登場(chǎng)，向公眾展示其在功率 半導(dǎo)體市場(chǎng)上的非凡實(shí)力(三菱電機(jī)展位號(hào)：B15)。 今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越四大領(lǐng)域，包括：變頻家電、軌道牽引及電力傳輸、電動(dòng) 汽車、工業(yè)和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。 變頻家電市場(chǎng) 在變頻家電應(yīng)用方面，三菱電機(jī)這次在去
- 關(guān)鍵字： 三菱 功率器件
Qorvo 新款GaN 50V 晶體管可大幅提升系統(tǒng)功率性能
- 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防等應(yīng)用中領(lǐng)先的RF解決方案供應(yīng)商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設(shè)計(jì)用于優(yōu)化商業(yè)用雷達(dá)、通信系統(tǒng)及航空電子應(yīng)用的功率性能。 Qorvo 國(guó)防與航空航天產(chǎn)品總經(jīng)理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶體管系列通過提供更高功率增益和功率附加效率來提升系統(tǒng)性能。Qorvo可以更好地實(shí)現(xiàn)相位陣列雷達(dá)等先進(jìn)設(shè)備的要求，提供
- 關(guān)鍵字： Qorvo GaN
基于GaN FET的CCM圖騰柱無橋PFC
- 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)由于其出色的開關(guān)特性和不斷提升的品質(zhì)，近期逐漸得到了電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復(fù)的安全GaN可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率和效率，從而為全新應(yīng)用和拓?fù)溥x項(xiàng)打開了大門。連續(xù)傳導(dǎo)模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個(gè)得益于GaN優(yōu)點(diǎn)的拓?fù)洹Ｅc通常使用的雙升壓無橋PFC拓?fù)湎啾?，CCM圖騰柱無橋PFC能夠使半導(dǎo)體開關(guān)和升壓電感器的數(shù)量減半，同時(shí)又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)電流尖峰的根本原因，并給出了相應(yīng)的解決方案。一個(gè)750W圖騰柱PFC原型機(jī)被
- 關(guān)鍵字： GaN PFC
TI的600V GaN FET功率級(jí)革命性地提升高性能電力轉(zhuǎn)換效能
- 基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗(yàn)，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)功率級(jí)工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動(dòng)器的GaN解決方案的半導(dǎo)體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級(jí)與TI的模擬與數(shù)字電力轉(zhuǎn)換控制器組合在一起，能使設(shè)計(jì)人員創(chuàng)造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設(shè)計(jì)。而這些優(yōu)勢(shì)在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計(jì)算和可再生能源應(yīng)用中都特別重要。如需了解更多信息
- 關(guān)鍵字： TI GaN
安森美半導(dǎo)體推進(jìn)更快、更智能和更高能效的GaN晶體管
- 氮化鎵(GaN)是一種新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢(shì)，被稱為第三代半導(dǎo)體材料，用于電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)如功率因數(shù)校正(PFC)、軟開關(guān)DC-DC、各種終端應(yīng)用如電源適配器、光伏逆變器或太陽(yáng)能逆變器、服務(wù)器及通信電源等，可實(shí)現(xiàn)硅器件難以達(dá)到的更高電源轉(zhuǎn)換效率和更高的功率密度水平，為開關(guān)電源和其它在能效及功率密度至關(guān)重要的應(yīng)用帶來性能飛躍。 GaN的優(yōu)勢(shì) 從表1可見，GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。GaN提供高電子遷移率，這意味著開關(guān)過程的反向恢復(fù)時(shí)間可忽略不計(jì)
- 關(guān)鍵字： 安森美 GaN
AOS：功率器件市場(chǎng)迎來歷史性變革
- 萬國(guó)半導(dǎo)體?(Alpha?and?Omega?Semiconductor?,AOS)為集設(shè)計(jì)、開發(fā)與銷售為一體的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，提供廣泛的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線，包括完整的功率MOSFET和電源管理IC產(chǎn)品系列?！耙孕履茉醇夹g(shù)的逐漸實(shí)用化為主軸，功率變換市場(chǎng)正經(jīng)歷一場(chǎng)歷史性的變革。新能源的普及過程中電池儲(chǔ)能技術(shù)是關(guān)鍵的一環(huán)。”?AOS?MOSFET全球市場(chǎng)資深總監(jiān)馮雷指出。 那2016年的功率器件市場(chǎng)發(fā)展具體呈現(xiàn)出哪些特點(diǎn)呢?馮雷表示
- 關(guān)鍵字： AOS 功率器件
完全自保護(hù)MOSFET功率器件分析
- 為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計(jì)人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路，以免器件發(fā)生故障，避免對(duì)電子系統(tǒng)造成高代價(jià)的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實(shí)現(xiàn)，但是在更多情況下，設(shè)計(jì)人員使用完全自保護(hù)的MOSFET功率器件來完成?！ D1顯示了完全自保護(hù)MOSFET的一般拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這些器件常見的其他特性包括狀態(tài)指示、數(shù)字輸入、差分輸入和過壓及欠壓切斷。高端配置包括片上電荷泵功能。但是，大多數(shù)器件都具備三個(gè)電路模塊，即電流限制、溫度限制和漏-源過壓箝制，為器件提供大部分的保護(hù)。 &n
- 關(guān)鍵字： MOSFET 功率器件
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條600v氮化鎵（gan）功率器件!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)600v氮化鎵（gan）功率器件的理解，并與今后在此搜索600v氮化鎵（gan）功率器件的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)600v氮化鎵（gan）功率器件的理解，并與今后在此搜索600v氮化鎵（gan）功率器件的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
600v氮化鎵（gan）功率器件電路
600v氮化鎵（gan）功率器件相關(guān)帖子
600v氮化鎵（gan）功率器件資料下載
600v氮化鎵（gan）功率器件專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473