600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 進(jìn)入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區(qū)
力特主攻傳感器、功率器件
- *貴公司所關(guān)注的智能制造(傳感、控制或安全等)方面，相關(guān)的技術(shù)及發(fā)展趨勢如何? Littelfuse目前致力于消費(fèi)類電子產(chǎn)品的市場推進(jìn)，利用我們在電路保護(hù)領(lǐng)域取得的優(yōu)勢進(jìn)一步的拓寬傳感器和電源控制的產(chǎn)品。這些都是我們的未來的產(chǎn)品的方向，智能化的穿戴設(shè)備智能家居都離不開傳感器的存在，例如我們的位置開關(guān)，門禁開關(guān)都是我們的傳感器的產(chǎn)品。電源控制產(chǎn)品是基于我們傳統(tǒng)的半導(dǎo)體的技術(shù)的進(jìn)一步的創(chuàng)新，例如我們的開發(fā)的碳化硅的開關(guān)器件可以很好地降低開關(guān)的損耗，提高開關(guān)頻率更好的適應(yīng)電力電子產(chǎn)品對器件的高性能的需求。
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英國專家用半極性GaN生長高效益LED
- 英國雪菲爾大學(xué)(SheffieldUniversity)的一支研究團(tuán)隊(duì)最近在《應(yīng)用物理學(xué)快報(bào)》(AppliedPhysicsLetter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍(lán)寶石基材上生長LED的最新成果。 利用在M-Plane藍(lán)寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED。 相較于在C-Plane藍(lán)寶石基板上生長的商用LED，該研究團(tuán)隊(duì)在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發(fā)光波長的藍(lán)位移隨著驅(qū)動電流增加而
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英國專家用半極性GaN生長高效益LED
- 英國雪菲爾大學(xué)(Sheffield University)的一支研究團(tuán)隊(duì)最近在《應(yīng)用物理學(xué)快報(bào)》(Applied Physics Letter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍(lán)寶石基材上生長LED的最新成果?！ ±迷贛-Plane藍(lán)寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED?！ ∠噍^于在C-Plane藍(lán)寶石基板上生長的商用LED，該研究團(tuán)隊(duì)在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發(fā)光波
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波音和通用實(shí)驗(yàn)室研發(fā)出GaN CMOS場效應(yīng)晶體管
- 由美國波音公司和通用汽車公司擁有的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室-HRL實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)宣布其實(shí)現(xiàn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)FET技術(shù)的首次展示。該研究結(jié)果發(fā)表于2016年1月6日的inieee電子器件快報(bào)上。 在此過程中，該實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)確定半導(dǎo)體的卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用。這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉(zhuǎn)換電路的備選技術(shù)鋪平了道路。 氮化鎵晶體管在電源開關(guān)和微波/毫米波應(yīng)用中有出色的表現(xiàn)，但該潛力還未用于集成功率轉(zhuǎn)換。“除非快速切換GaN功率晶體管在電源電路中故意放緩，否
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新型GaN功率器件的市場應(yīng)用趨勢
- 第五屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2016產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會 時間：2016.01.14 下午 地點(diǎn)：深圳南山軟件創(chuàng)業(yè)基地 IC咖啡 演講主題: 新型GaN功率器件的市場應(yīng)用趨勢 演講嘉賓: 蔡振宇 富士通電子元器件市場部高級經(jīng)理 主持人：接下來開始第三場演講。大家知道無論消費(fèi)電子產(chǎn)品還是通訊硬件、電動車以及家用電器，提升電源的轉(zhuǎn)換能效、功率密度、延長電池使用的時間，這已經(jīng)是比較大的挑戰(zhàn)了。所有這一切都意味著電子產(chǎn)業(yè)會越來越依賴新型功
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物聯(lián)網(wǎng)將如何影響半導(dǎo)體芯片廠商？
- 未來虛擬現(xiàn)實(shí)和智能汽車成為焦點(diǎn)，VR將會引發(fā)的變革成了全產(chǎn)業(yè)鏈熱議的話題，VR也必會給物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)帶來變革，而對于IoT可能帶來的更多變化，半導(dǎo)體廠商該如何應(yīng)對?
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第三代半導(dǎo)體崛起 中國照明能否彎道超車？
- 近年，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料在引發(fā)全球矚目，成為全球半導(dǎo)體研究前沿和熱點(diǎn)，中國也不例外地快馬加鞭進(jìn)行部署。有專家指出，第三代半導(dǎo)體材料是以低碳和智能為特征的現(xiàn)代人類信息化社會發(fā)展的基石，是推動節(jié)能減排、轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式，提升新一代信息技術(shù)核心競爭力的決定性因素之一，有著不可替代的支撐作用。那么，這一迅速崛起的第三代半導(dǎo)體材料，能否讓中國掌控新一輪半導(dǎo)體照明發(fā)展的話語權(quán)? 第三代半導(dǎo)體材料雙雄：SiC和GaN 半
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Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導(dǎo)體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)
- DIGITIMES Research觀察，傳統(tǒng)以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體逐漸難提升其技術(shù)表現(xiàn)，業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術(shù)最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢，預(yù)計(jì)未來功率半導(dǎo)體市場將三分天下。 更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運(yùn)作頻率，分別適用在不同的應(yīng)用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，或資料中心機(jī)房設(shè)備而言
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用結(jié)點(diǎn)溫度評估器件可靠性的案例分析
- 摘要：工程師在設(shè)計(jì)一款產(chǎn)品時用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高，經(jīng)重新計(jì)算分析后，換成了一顆5A的MOS管，問題解決。為什么用電流裕量更小的器件，卻能提高可靠性呢? 工程師在設(shè)計(jì)的過程中非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設(shè)計(jì)，案例分析我們放到最后說，為了幫助理解，我們先引入一個概念： 其中Tc為芯片的外殼溫度，P D為芯片在該環(huán)境中的耗散功率，Tj表示芯片的結(jié)點(diǎn)溫度，目前大多數(shù)芯片的結(jié)點(diǎn)溫度為150℃，Rjc表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻，Rcs
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實(shí)時功率GaN波形監(jiān)視的設(shè)計(jì)方案
- 簡介 功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設(shè)計(jì)人員工具箱內(nèi)令人激動的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開關(guān)頻率如何能夠?qū)е赂哳l率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項(xiàng)已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)證技術(shù)，由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢，這項(xiàng)技術(shù)用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機(jī)制，并討論波形監(jiān)視的必要性。 使用壽命預(yù)測指標(biāo) 功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執(zhí)行數(shù)個供貨商所使
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氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來選擇
- 當(dāng)人們思考電力電子應(yīng)用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料時，都會不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因?yàn)榈壔蛱蓟枋请娏﹄娮討?yīng)用中最先進(jìn)的寬禁帶技術(shù)。市場研究公司Yole Développement在其報(bào)告中指出，電力電子應(yīng)用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個更大的帶隙，可以進(jìn)一步提高功率器件性能。 n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元 由碳化硅電力設(shè)備市場驅(qū)動，n型碳化硅基
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一種無采樣電阻的功率器件保護(hù)方法
- MOSFET或IGBT保護(hù)方法有很多，有專門帶保護(hù)的驅(qū)動電路，也有用康銅絲做電流采樣的保護(hù)電路。專門帶保護(hù)的驅(qū)動電路一般成本較高，用康銅絲做電流采樣+比較器容易產(chǎn)生振蕩。下面介紹一種無采樣電阻的方法。 下面介紹一種無采樣電阻的方法： 上圖中，Q1是功率管MOSFET或IGBT，R1是負(fù)載，D1是采樣二極管，R2是上拉電阻。在Q1導(dǎo)通時D1的K極電壓就是Q1壓降，D1的A極電壓在其基礎(chǔ)上高了D1壓降(Q1壓降+D1壓降)。D1壓降是恒定值，當(dāng)過載時Q1壓降增大，從
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電源模塊并聯(lián)應(yīng)用的方法和注意事項(xiàng)
- 摘要：在電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，當(dāng)一個電源模塊的功率無法滿足系統(tǒng)的設(shè)計(jì)要求時，我們往往會考慮多個模塊的并聯(lián)使用。如果并聯(lián)設(shè)計(jì)不合理，就會導(dǎo)致并聯(lián)模塊輸出均流失效，會有燒壞電源模塊、甚至損壞后級系統(tǒng)的風(fēng)險(xiǎn)。今天跟大家簡單分享一些造成電源模塊并聯(lián)失效的真正原因。 目前電源系統(tǒng)的發(fā)展趨勢采用新型的功率器件實(shí)現(xiàn)小型、輕量、高效率的電源模塊化，通過并聯(lián)進(jìn)行擴(kuò)容。電源并聯(lián)運(yùn)行是電源產(chǎn)品模塊化、大容量化的一個有效方案，是電源技術(shù)發(fā)展的趨勢之一，是實(shí)現(xiàn)組合大功率電源系統(tǒng)的重點(diǎn)。 1.不
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600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條600v氮化鎵（gan）功率器件!
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