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7nm+
7nm+ 文章 進(jìn)入7nm+技術(shù)社區(qū)
精測(cè):10nm為今年主力,7nm需求明年浮現(xiàn)
- 臺(tái)股股后精測(cè)今日舉行在線法說(shuō)會(huì),公司預(yù)期10奈米應(yīng)用處理器(AP)產(chǎn)品將是今年主力,7奈米應(yīng)用需求明年才會(huì)浮現(xiàn)。 而為因應(yīng)未來(lái)7奈米以下測(cè)試需求,公司研發(fā)費(fèi)用及整體營(yíng)業(yè)費(fèi)用率預(yù)期將維持一定比例,以維持整體競(jìng)爭(zhēng)力。 至于營(yíng)運(yùn)總部建置規(guī)畫(huà)部分,精測(cè)預(yù)期7月底、8月初將正式動(dòng)土,興建時(shí)間需花費(fèi)2年,啟用時(shí)間估落于2019年中。 為充實(shí)營(yíng)運(yùn)資金及建廠投資需求,公司規(guī)畫(huà)辦理現(xiàn)增發(fā)行2000張普通股,將提請(qǐng)6月8日股東常會(huì)表決通過(guò)后,再向主管機(jī)關(guān)遞交申請(qǐng)。 精測(cè)目前營(yíng)業(yè)費(fèi)用率約25%,財(cái)務(wù)長(zhǎng)許憶萍說(shuō)明
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臺(tái)積電轉(zhuǎn)攻AI 7nm芯片 估2020年將占25%營(yíng)收
- 隨著智能手機(jī)市場(chǎng)日趨飽和,晶圓代工龍頭臺(tái)積電改攻新興科技,全力開(kāi)發(fā)人工智能(AI)芯片與高效能運(yùn)算芯片,緊跟市場(chǎng)趨勢(shì)。 臺(tái)積電表示,未來(lái)AI需要的制程相當(dāng)先進(jìn),將切入7納米為主要制程,預(yù)估到2020年,將占其近25%營(yíng)收。 報(bào)導(dǎo)指出,臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音4月在法說(shuō)會(huì)上表示,臺(tái)積電預(yù)期2020年起高性能運(yùn)算芯片將成為成長(zhǎng)引擎之一,2020年至2025年市場(chǎng)對(duì)高效能運(yùn)算芯片的需求會(huì)真正升溫。 劉德音說(shuō),在30家預(yù)定臺(tái)積電先進(jìn)7納米芯片的客戶(hù)中,有一半客戶(hù)打算在高效能運(yùn)算相關(guān)應(yīng)用中采用這
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合作北方華創(chuàng)、中微 中芯國(guó)際啟動(dòng)7nm工藝研發(fā)
- 大家都知道智能手機(jī)最核心的硬件當(dāng)屬手機(jī)芯片,以美國(guó)高通驍龍和蘋(píng)果IOS最為著名,其次是臺(tái)灣聯(lián)發(fā)科、三星以及華為海思麒麟,小米的澎湃芯片剛剛推出不久暫列第三,但你是否知道它們僅僅都是芯片的研發(fā)者而非生產(chǎn)者? 由于制造芯片的工藝復(fù)雜,生產(chǎn)線投入過(guò)高,智能機(jī)廠商們大多選擇代工的形式,華為、蘋(píng)果皆是如此,而這又以英特爾、臺(tái)積電的制造水準(zhǔn)最為出色。目前臺(tái)積電10nm芯片制程已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商業(yè)量產(chǎn),7nm芯片制造工藝也已進(jìn)入試制階段,預(yù)計(jì)明年即可投入量產(chǎn)。 反觀中國(guó)內(nèi)地企業(yè)由于起步較晚,因此在制造工藝上
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臺(tái)積電供應(yīng)鏈火力全開(kāi)!7nm下半年試產(chǎn)
- 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電今年成立30周年,公司預(yù)訂今年10月擴(kuò)大舉行慶祝。為了繳出亮眼成績(jī)單,臺(tái)積電已要求供應(yīng)鏈火力全開(kāi),除了蘋(píng)果A11處理將沖出歷年最大出貨佳績(jī);7nm也預(yù)定下半年進(jìn)行試產(chǎn),明年第1季量產(chǎn)。 盡管三星稍早放話將在7nm超越臺(tái)積電,重奪蘋(píng)果下世代處理器大單,但臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀信心十足,強(qiáng)調(diào)7nm制程優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。 不過(guò),臺(tái)積電和三星過(guò)招,一點(diǎn)也不敢馬虎。 稍早臺(tái)積電共同CEO劉德音已趁臺(tái)積電年度供應(yīng)鏈論壇時(shí),要求供應(yīng)鏈火力全開(kāi),支持臺(tái)積電在5nm、3nm等先進(jìn)制程持續(xù)保持領(lǐng)
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Cadence獲得TSMC 7nm工藝技術(shù)認(rèn)證
- 楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ: CDNS)今日正式宣布與臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(TSMC)取得的多項(xiàng)合作成果,進(jìn)一步強(qiáng)化面向移動(dòng)應(yīng)用與高性能計(jì)算(HPC)平臺(tái)的7nm FinFET工藝創(chuàng)新。Cadence? 數(shù)字簽核與定制/模擬電路仿真工具獲得TSMC 7nm工藝 v1.0設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)(DRM)認(rèn)證及SPICE認(rèn)證。合作期間,Cadence開(kāi)發(fā)了包括多種解決方案的全新工藝設(shè)計(jì)包(PDK),進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)功耗、
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TSMC稱(chēng)10nm已進(jìn)入量產(chǎn) 第一代7nm芯片良率達(dá)76%
- 在三星宣布10nm、7nm節(jié)點(diǎn)之外會(huì)推出8nm、6nm優(yōu)化版工藝之后,TSMC日前也公布了該公司的一些工藝進(jìn)展情況,10nm工藝已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段,沒(méi)多少秘密可說(shuō)了,但是未來(lái)的7nm節(jié)點(diǎn)看點(diǎn)就多了。TSMC表示第一代7nm工藝制造出的256Mbit SRAM芯片良率已達(dá)76%,ARM公司據(jù)說(shuō)正在使用新的設(shè)計(jì)制造4GHz ARM處理器了此外,TSMC的7nm也會(huì)發(fā)展多代產(chǎn)品,但是增強(qiáng)版7nm工藝才會(huì)使用EUV工藝,第一代并不會(huì)。 TSMC、三星以及Intel都會(huì)量產(chǎn)10nm工藝,
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華為/ARM力挺 中芯國(guó)際加速自主7nm工藝
- 提起半導(dǎo)體先進(jìn)制程,多數(shù)人首先想到的是Intel、臺(tái)積電、三星、GlobalFoundries等,他們已經(jīng)邁入10nm的節(jié)點(diǎn),繼續(xù)挑戰(zhàn)摩爾定律。 而在內(nèi)地,中芯國(guó)際(SMIC)則是規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè),目前已經(jīng)可以成熟地代工28nm HKMG,量產(chǎn)14nm硅片凸塊。 據(jù)Digitimes報(bào)道,中芯去年的營(yíng)收同比增幅高達(dá)30.3%。 CEO表示,他們不僅將繼續(xù)擴(kuò)產(chǎn)12寸晶圓廠(300mm,目前業(yè)界最大最先進(jìn)),還準(zhǔn)備在7nm時(shí)代走上領(lǐng)導(dǎo)地位。 當(dāng)然,問(wèn)題就是
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三星投近70億美元新建廠 為搶回蘋(píng)果訂單
- 南韓媒體etnews報(bào)導(dǎo),半導(dǎo)體業(yè)界人士透露,三星電子高度期待2018年商業(yè)化7nm制程,目前已在京畿道華城市Line 17廠旁停車(chē)場(chǎng)空地6,開(kāi)始新建專(zhuān)用廠房。 這塊土地面積僅現(xiàn)有Line 17廠的4分之1,但華城廠區(qū)沒(méi)有其他空地可供建廠。 報(bào)導(dǎo)指出,三星希望年底前完成建廠、安裝無(wú)塵室及其他生產(chǎn)設(shè)備,規(guī)劃月產(chǎn)能為3萬(wàn)片晶圓。 三星計(jì)劃投資 69.8 億美元擴(kuò)充先進(jìn)制程,除追加 10 nm預(yù)算,也計(jì)劃開(kāi)設(shè) 7 nm新產(chǎn)線,由于臺(tái)積電領(lǐng)先三星,提前在第 1 季底試產(chǎn) 7 nm,三星此舉令市場(chǎng)聯(lián)
- 關(guān)鍵字: 三星 7nm
三星電子砸近70億美元新建7nm廠
- 南韓媒體etnews報(bào)導(dǎo),半導(dǎo)體業(yè)界人士透露,三星電子高度期待2018年商業(yè)化7nm制程,目前已在京畿道華城市Line 17廠旁停車(chē)場(chǎng)空地6,開(kāi)始新建專(zhuān)用廠房。 這塊土地面積僅現(xiàn)有Line 17廠的4分之1,但華城廠區(qū)沒(méi)有其他空地可供建廠?! ?bào)導(dǎo)指出,三星希望年底前完成建廠、安裝無(wú)塵室及其他生產(chǎn)設(shè)備,規(guī)劃月產(chǎn)能為3萬(wàn)片晶圓?! ∪怯?jì)劃投資 69.8 億美元擴(kuò)充先進(jìn)制程,除追加 10 nm預(yù)算,也計(jì)劃開(kāi)設(shè) 7
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三星在CSTIC 上解讀7nm芯片解決方案
- 近幾年,由于材料和設(shè)備的限制,電子產(chǎn)業(yè)的金科玉律摩爾定律似乎逐漸走向了瓶頸。尤其是到了14nm之后,以往隨著節(jié)點(diǎn)往前推進(jìn),Die Cost下降而Perforrmance提升的定律被打破,集成電路產(chǎn)業(yè)迎來(lái)了大挑戰(zhàn)。但三星作為一個(gè)全球數(shù)一數(shù)二的IDM,為了繼續(xù)延續(xù)摩爾定律,在由SEMI主辦的中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)(CSTIC2017)上,三星給出了獨(dú)到的見(jiàn)解。 因此廠商們需要針對(duì)不同的應(yīng)用,在相同節(jié)點(diǎn)上開(kāi)發(fā)出不同的方案: 在14
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7nm絕不能輸,英特爾加碼研發(fā)投資
- 英特爾在 14 奈米遭遇困難,目前開(kāi)發(fā) 10 奈米似乎也有類(lèi)似問(wèn)題,雖然英特爾從未說(shuō)明困難之處,但似乎已投入更多資源,試圖克服這個(gè)難纏的技術(shù)瓶頸,務(wù)求避免 7 奈米再度重蹈覆轍。 美國(guó)財(cái)經(jīng)網(wǎng)站 The Motley Fool 分析英特爾 10-K 年報(bào)指出,英特爾 2016 年的技術(shù)研發(fā)(R&D)支出較前年增加 5%,或相當(dāng)于 6.12 億美元,理由之一正是 7 奈米開(kāi)發(fā)成本提高。 英特爾之前投注在開(kāi)發(fā)新芯片制造技術(shù)的資源已非常龐大,或許是業(yè)界之冠,去年又再往上加碼,且明寫(xiě)在年報(bào)上
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AMD未來(lái)產(chǎn)品路線:Zen 2/3推進(jìn) 7nm產(chǎn)品已在研發(fā)中
- 據(jù)外媒報(bào)道,上周AMD公布了2016年Q4季度及全年財(cái)報(bào)。在財(cái)報(bào)會(huì)議網(wǎng)上AMD CEO蘇姿豐就提及了AMD未來(lái)的產(chǎn)品路線,透露將來(lái)還會(huì)有Zen 2及Zen 3產(chǎn)品推出,同時(shí)7nm產(chǎn)品已經(jīng)在研發(fā)當(dāng)中。 據(jù)了解,AMD或?qū)⒃诮衲暌患径日酵瞥鯲ega顯卡和Zen處理器,這兩款產(chǎn)品是AMD重返高性能市場(chǎng)的關(guān)鍵,對(duì)扭轉(zhuǎn)2017年AMD運(yùn)營(yíng)狀況意義重大。同時(shí)AMD CEO蘇姿豐也認(rèn)為Zen處理器會(huì)很有競(jìng)爭(zhēng)力。 蘇姿豐表示,頂級(jí)OME客戶(hù)——特別是服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心客戶(hù),他們
- 關(guān)鍵字: AMD 7nm
鞏固龍頭地位 英特爾今年底導(dǎo)入7nm
- 據(jù)報(bào)導(dǎo),英特爾今年底就將開(kāi)始導(dǎo)入7納米晶圓制程,時(shí)間提前于臺(tái)積電與三星等競(jìng)爭(zhēng)者,鞏固其半導(dǎo)體龍頭的位置。日前,英特爾在盈余電話會(huì)議上宣布,為了進(jìn)一步探索芯片生產(chǎn)工藝,公司將在今年建立一座7nm試驗(yàn)工廠。 臺(tái)積電與三星今年均在努力提高10納米制程良率,不過(guò)一般認(rèn)為10納米只是過(guò)渡,7納米才是主戰(zhàn)場(chǎng),包含AMD、Nvidia等大客戶(hù)此前均曾暗示跳過(guò)10納米、直接晉升7納米,而臺(tái)積電、三星還要等到2018年才會(huì)開(kāi)始試產(chǎn)7納米制程。 英特爾擁有最先進(jìn)的晶圓廠,長(zhǎng)久以來(lái),英特爾一直都是芯片制造技術(shù)的
- 關(guān)鍵字: 英特爾 7nm
7nm+介紹
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