7nm+ 文章進(jìn)入7nm+技術(shù)社區(qū)

ARM發(fā)力7nm芯片:手機(jī)功耗、性能春天!

　　據(jù)Digitimes報(bào)道，ARM今天宣布與IMEC(歐洲為電子研究中心)深化合作，前者將加入代號(hào)為INSITE的項(xiàng)目。　　INSITE致力于優(yōu)化晶體電路設(shè)計(jì)、系統(tǒng)層面架構(gòu)的功耗表現(xiàn)、提高性能和降低成本。　　報(bào)道特別提到，本次合作的重點(diǎn)是7nm及以上半導(dǎo)體芯片，這點(diǎn)稍有模糊，不知道是說(shuō)5nm級(jí)別，還是10nm級(jí)別，但7nm是肯定的。　　根據(jù)最近一次爆料，今年10~12月，臺(tái)積電會(huì)量產(chǎn)10nm FinFET工藝的聯(lián)發(fā)科Helio X30和華為麒麟970，后者有望用于11月份的Mate 9。
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臺(tái)積電2016年研發(fā)支出將逾720億元為了7nm制程也是拼了

　　臺(tái)積電本周四(14日)將舉行法說(shuō)會(huì)，臺(tái)積電表示，相關(guān)人才招募行動(dòng)已趁近期畢業(yè)生投入職場(chǎng)，積極進(jìn)行中;董事長(zhǎng)張忠謀也將于法說(shuō)會(huì)中，針對(duì)臺(tái)積電如何實(shí)現(xiàn)研發(fā)支出及先進(jìn)制程挑戰(zhàn)目標(biāo)的問(wèn)題來(lái)提出更詳細(xì)說(shuō)明。　　　　臺(tái)積電研發(fā)支出占年度營(yíng)收約8%，以去年?duì)I收8,434.97億元，公司釋出今年挑戰(zhàn)年增5%至10%的目標(biāo)估算，今年?duì)I收將突破9,000億元，換算今年度研發(fā)支出將逾720億元，遠(yuǎn)超越去年的655億元，更是七年前的六倍之多。從這些數(shù)據(jù)來(lái)看足以證明臺(tái)積電為了發(fā)展下了多大的功夫。
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迎7nm制程戰(zhàn) 臺(tái)積電擴(kuò)編研發(fā)大軍

　　臺(tái)積電深耕臺(tái)灣，透過(guò)增加研發(fā)支出與持續(xù)征才、擴(kuò)大研發(fā)團(tuán)隊(duì)編制等方式多管齊下，今年研發(fā)支出與研發(fā)大軍總數(shù)都將創(chuàng)新高，目標(biāo)明年在7奈米關(guān)鍵戰(zhàn)役中勝出，為奪下全球半導(dǎo)體霸主的目標(biāo)全力沖刺。　　臺(tái)積電本周四(14日)將舉行法說(shuō)會(huì)，臺(tái)積電表示，相關(guān)人才招募行動(dòng)已趁近期畢業(yè)生投入職場(chǎng)，積極進(jìn)行中;董事長(zhǎng)張忠謀也將于法說(shuō)會(huì)中，針對(duì)研發(fā)支出及先進(jìn)制程挑戰(zhàn)目標(biāo)，提出更詳細(xì)說(shuō)明。　　臺(tái)積電研發(fā)支出占年度營(yíng)收約8%，以去年?duì)I收8，434.97億元，公司釋出今年挑戰(zhàn)年增5%至10%的目標(biāo)估算，今年?duì)I收將突破9，000
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工藝超10nm后，器件性能還會(huì)繼續(xù)提高

　　在“2016 Symposia on VLSI Technology”(6月13日～17日于美國(guó)檀香山舉辦)上，繼“Plenary Session”(全體會(huì)議)之后，在Session T2“Technology Highlighted Session”上，也涌現(xiàn)出了許多關(guān)于10nm工藝技術(shù)的論文。在本屆Symposium采納的86篇論文中，有12篇被選為焦點(diǎn)論文，其中4篇在 Session T2的Highlighted Sessi
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元件設(shè)計(jì)/新材料整合難度大增　半導(dǎo)體決戰(zhàn)關(guān)鍵7nm

　　7奈米制程節(jié)點(diǎn)將是半導(dǎo)體廠推進(jìn)摩爾定律(Moore’s Law)的下一重要關(guān)卡。半導(dǎo)體進(jìn)入7奈米節(jié)點(diǎn)后，前段與后段制程皆將面臨更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，半導(dǎo)體廠已加緊研發(fā)新的元件設(shè)計(jì)架構(gòu)，以及金屬導(dǎo)線等材料，期兼顧尺寸、功耗及運(yùn)算效能表現(xiàn)。　　臺(tái) 積電預(yù)告2017年第二季10奈米晶片將會(huì)量產(chǎn)，7奈米制程的量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)則將落在2018年上半。反觀英特爾(Intel)，其10奈米制程量產(chǎn)時(shí)間確定將延后到2017下半年。但英特爾高層強(qiáng)調(diào)，7奈米制程才是決勝關(guān)鍵，因?yàn)?奈米的制程技術(shù)與材料將會(huì)有重大改變。
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三星：7nm工藝代工業(yè)務(wù)將采用EUV

　　三星電子在6月7日該公司與美國(guó)新思科技(Synopsys)聯(lián)合舉辦的會(huì)議上公開(kāi)了該公司代工業(yè)務(wù)的工藝路線圖。此次會(huì)議與第53屆設(shè)計(jì)自動(dòng)化大會(huì)(53rdDesignAutomationConference，DAC2016，2016年6月5日～10日舉行)同在美國(guó)奧斯汀舉行。　　會(huì)議的主題是“ReadytoDesignat10nm!SynopsysandSamsungFoundry10nmEnablementforTapeoutSuccess”。來(lái)自三星的演講嘉賓是Foundr
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臺(tái)積電：7nm工藝已簽下20多個(gè)合同

　　臺(tái)積電(TSMC)在美國(guó)奧斯汀舉行的“Collaborating to Enable Design with the Latest Processors and FinFET Processes, including 7nm”(由美國(guó)新思科技、英國(guó)ARM和臺(tái)積電于6月6日聯(lián)合舉辦)上，介紹了采用10nm FinFET及7nm FinFET工藝的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)進(jìn)展情況。演講人跟上年一樣。　　　　(設(shè)計(jì)暨技術(shù)平臺(tái)副處長(zhǎng)) 　　初次使用三重曝光的10nm工藝
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7nm成下代技術(shù)熱點(diǎn) 三星、臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)日益激烈

　　三星電子(Samsung Electronics)與臺(tái)積電在新一代晶圓代工戰(zhàn)局進(jìn)入白熱化，雙方紛將10納米制程量產(chǎn)目標(biāo)訂在2016年底，近期三星更進(jìn)一步擴(kuò)大投資，向荷蘭微影設(shè)備大廠ASML訂購(gòu)極紫外光微影制程(EUV)掃描機(jī)，提前搶灘7納米制程，最快2017年底可用于量產(chǎn)晶圓，業(yè)界紛關(guān)注臺(tái)積電后續(xù)可能采取的反擊策略，恐將牽動(dòng)雙方未來(lái)在晶圓代工版圖變化。　　業(yè)界認(rèn)為EUV設(shè)備是突破微影制程界限的重要王牌，目前還沒(méi)有半導(dǎo)體業(yè)者真正將EUV設(shè)備導(dǎo)入量產(chǎn)，因?yàn)辇嫶蟮脑O(shè)備投資讓晶圓代工業(yè)者退卻，亦無(wú)法得知使
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臺(tái)積電形勢(shì)大好 16nm產(chǎn)能滿載且7nm將獲驗(yàn)證

　　根據(jù)亞系外資所出具的報(bào)告預(yù)期，在掌握新一代處理器的生產(chǎn)訂單，并且在非蘋訂單的強(qiáng)勁成長(zhǎng)需求下，晶圓代工廠臺(tái)積電16納米產(chǎn)能直至9月都將滿載。而且，未來(lái)臺(tái)積電的7納米將獲驗(yàn)證，有機(jī)會(huì)成為第一家推出相關(guān)產(chǎn)品的廠商下，看好未來(lái)2016年第3季的臺(tái)積電營(yíng)收動(dòng)能。　　亞系外資在新出爐的報(bào)告中表示，目前市場(chǎng)過(guò)度關(guān)注上半年蘋果整體iPhone智能手機(jī)需求疲軟所產(chǎn)生的負(fù)面效應(yīng)。然而在臺(tái)積電掌握新一代蘋果處理器的情況下，加上非蘋陣營(yíng)包括繪圖、移動(dòng)及虛擬現(xiàn)實(shí)等應(yīng)用需求的訂單強(qiáng)勁成長(zhǎng)，2016年合計(jì)將可能占用臺(tái)積電16納
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臺(tái)積電將在7nm制程拉開(kāi)與三星、英特爾差距稱霸半導(dǎo)體

　　臺(tái)積電法說(shuō)會(huì)本周四(14日)登場(chǎng)，揭開(kāi)半導(dǎo)體族群法說(shuō)會(huì)序幕。半導(dǎo)體設(shè)備廠透露，臺(tái)積電在16納米拉開(kāi)與三星差距，10納米超車英特爾之后，預(yù)料本次法說(shuō)會(huì)，將宣告加速7納米制程腳步，向全球展現(xiàn)其半導(dǎo)體先進(jìn)制程領(lǐng)先群倫的氣勢(shì)。　　相較英特爾宣布2020年才產(chǎn)出7納米制程產(chǎn)品，凸顯臺(tái)積電將在于今年下半年以10納米制程試產(chǎn)聯(lián)發(fā)科等相關(guān)產(chǎn)品之后，未來(lái)在7納米一舉拉開(kāi)與兩只700磅大猩猩(指三星與英特爾)差距，稱霸全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。　　臺(tái)積電近期已指示相關(guān)設(shè)備廠，加速7納米生產(chǎn)線建置。從臺(tái)積電罕見(jiàn)在3月初于美西
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Mentor增強(qiáng)7nm制程初期設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)

　　MentorGraphics藉由完成臺(tái)積電(TSMC)10奈米FinFETV1.0認(rèn)證，進(jìn)一步增強(qiáng)和優(yōu)化Calibre平臺(tái)和AnalogFastSPICE(AFS)平臺(tái)。除此之外，Calibre和AnalogFastSPICE平臺(tái)已可應(yīng)用在基于TSMC7奈米FinFET制程最新設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)(DRM)和SPICE模型的初期設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)和IP設(shè)計(jì)。　　為協(xié)助共同客戶能準(zhǔn)備好使用先進(jìn)制程做設(shè)計(jì)，Mentor為TSMC10奈米制程改進(jìn)物理驗(yàn)證工具，加速CalibrenmDRCsign-off工具的執(zhí)行時(shí)間，使
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7nm制程將成臺(tái)積電力壓英特爾主戰(zhàn)場(chǎng)

　　安謀(ARM)與臺(tái)積電共同宣布一項(xiàng)為期多年的協(xié)議，針對(duì)7納米FinFET制程技術(shù)進(jìn)行合作，包括支援未來(lái)低功耗、高效能運(yùn)算系統(tǒng)單晶片(SoC)的設(shè)計(jì)解決方案。這項(xiàng)協(xié)議延續(xù)先前采用ARM Artisan 基礎(chǔ)實(shí)體IP之16納米與10納米FinFET的合作。　　事實(shí)上，以臺(tái)積電目前先進(jìn)制程之生產(chǎn)時(shí)程來(lái)看，屬于同一世代的10納米、7納米進(jìn)度已經(jīng)追上，甚至超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾(Intel)。　　臺(tái)積電先進(jìn)制程10納米、7納米、5納米等部分，所有制程皆on schedule10納米制程2016第1季完成產(chǎn)
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臺(tái)積電為何想要在2018年量產(chǎn)7nm工藝？

在14/16nm工藝上落后于三星著實(shí)讓臺(tái)積電吃了悶虧，雖然三星的14nm工藝并沒(méi)有臺(tái)積電的16nmFF+工藝強(qiáng)悍，但半年的時(shí)間領(lǐng)先已經(jīng)足夠讓三星去游說(shuō)很多客戶了。好在蘋果的A9芯片沒(méi)有給臺(tái)積電丟臉，從各種續(xù)航測(cè)試來(lái)看的確將三星甩在身后。過(guò)去半年一直被壓著打的臺(tái)積電總算是翻身吐氣了，為了不重蹈覆轍，臺(tái)積電似乎要加速推送7nm工藝量產(chǎn)。　　　　10nm還沒(méi)出來(lái)就要推動(dòng)7nm了？實(shí)際上臺(tái)積電準(zhǔn)備在2017年量產(chǎn)10nm工藝，然后在2018年下半年量產(chǎn)7nm。目前的進(jìn)度來(lái)看，臺(tái)積電已經(jīng)完成了10nm工藝的
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收購(gòu)Atmle后格羅方德宣布閉門自研7nm/10nm

剛收購(gòu)了Atmel，然后又宣布自研7nm/10nm。。。。
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英特爾：7nm芯片仍適用摩爾定律

　　據(jù)PCWorld網(wǎng)站報(bào)道稱，制造處理器、圖形芯片和其他芯片的傳統(tǒng)方法最終將“失去動(dòng)力”。據(jù)本周在ISSCC(國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議)上發(fā)言的英特爾研究人員稱，未來(lái)數(shù)年芯片產(chǎn)業(yè)仍然有上升空間。　　英特爾高級(jí)研究員馬克·玻爾(Mark Bohr)將于周一晚上在一次研討會(huì)上討論把制造工藝由當(dāng)前的14納米提高到10納米或更先進(jìn)工藝所面臨的挑戰(zhàn)。　　PCWorld指出，玻爾在與記者舉行的電話會(huì)議上表示，英特爾認(rèn)為，當(dāng)前半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展速度能維持到10納米(預(yù)計(jì)2016年)
關(guān)鍵字：英特爾 7nm 摩爾定律

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