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          2024二季度NAND Flash出貨增長放緩,AI SSD推動營收季增14%

          • 根據TrendForce集邦咨詢最新調查,由于Server(服務器)終端庫存調整接近尾聲,加上AI推動了大容量存儲產品需求,2024年第二季NAND Flash(閃存)價格持續(xù)上漲,但因為PC和智能手機廠商庫存偏高,導致第二季NAND Flash位元出貨量季減1%,平均銷售單價上漲了15%,總營收達167.96億美元,較前一季增長了14.2%。第二季起所有NAND Flash供應商已恢復盈利狀態(tài),并計劃在第三季擴大產能,以滿足AI和服務器的強勁需求,但由于PC和智能手機今年上半年市場表現不佳,
          • 關鍵字: TrendForce  集邦咨詢  NAND Flash  AI SSD  

          TrendForce:今年 Q2 NAND 閃存出貨增長放緩,AI SSD 推動營收環(huán)比增長 14%

          • IT之家 9 月 9 日消息,TrendForce 集邦咨詢今天下午發(fā)布報告指出,由于服務器終端庫存調整接近尾聲,加上 AI 推動了大容量存儲產品需求,今年第二季度 NAND Flash(閃存)價格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機廠商庫存偏高,導致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%,平均銷售單價上漲了 15%,總營收達 167.96 億美元(IT之家備注:當前約 1193.37 億元人民幣),較前一季實現環(huán)比增長 14.2%。各廠商營收情況如下:三星:第二季時積極回應客戶對
          • 關鍵字: 內存  NAND Flash  

          第八代BiCS FLASH厲害在哪里?

          • 第八代BiCS FLASH已然投入量產,意味著基于BiCS FLASH的產品也將得到新一輪升級。全新的BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升,特別是2Tb QLC NAND是當下業(yè)界內最大容量的存儲器。為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲限制,鎧俠通過專有工藝和創(chuàng)新架構,實現了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡,所開發(fā)的CBA(CMOS directly Bonded to Array,外圍電路直接鍵合到存儲陣列)和3.6Gbps接口速度,給AI應用、數據中心、移動設備提供了更多潛在可能。技
          • 關鍵字: BiCS FLASH  閃存  flash  鎧俠  

          消息稱三星電子確認平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內存產線投資,目標明年 6 月投運

          • IT之家 8 月 12 日消息,韓媒 ETNews 報道稱,三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內存產線的投資計劃,該產線目標明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合性半導體生產中心,分為四期。在早前規(guī)劃中,一期為 NAND 閃存,二期為邏輯代工,三期、四期為 DRAM 內存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產設備,但擱置了二期建設。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內存工藝,各家的 1c nm(或對應的 1γ nm)產品目前均尚未正式
          • 關鍵字: NAND  閃存  三星電子  

          1000層3D NAND Flash時代即將到來

          • Lam Research 推出低溫蝕刻新技術,為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
          • 關鍵字: NAND Flash  

          存儲亮劍!NAND技術多點突破

          • 人工智能(AI)市場持續(xù)火熱,新興應用對存儲芯片DRAM和NAND需求飆升的同時,也提出了新的要求。近日恰逢全球存儲會議FMS 2024(the Future of Memory and Storage)舉行,諸多存儲領域議題與前沿技術悉數亮相。其中TrendForce集邦咨詢四位資深分析師針對HBM、NAND、服務器等議題展開了深度討論,廓清存儲行業(yè)未來發(fā)展方向。此外,大會現場,NVM Express組織在會中發(fā)布了 NVMe 2.1 規(guī)范,進一步統(tǒng)一存儲架構、簡化開發(fā)流程。另外包括Kioxia
          • 關鍵字: 存儲  NAND  TrendForce  

          為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路,泛林推出新一代低溫介質蝕刻技術 Lam Cyro 3.0

          • IT之家 8 月 1 日消息,泛林集團 Lam Research 當地時間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質蝕刻技術 Lam Cyro 3.0。泛林集團全球產品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示:Lam Cryo 3.0 為(我們的)客戶實現 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬片晶圓的生產,而我們的最新技術是 3D NAND 生產領域的一項突破。它能以埃米級精度創(chuàng)建高深寬比(IT之家注:High Aspect R
          • 關鍵字: NAND  閃存  泛林集團  

          消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā),400+ 層閃存明年末量產就緒

          • IT之家 8 月 1 日消息,韓媒 ETNews 報道稱,SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發(fā),計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產準備,2026 年二季度正式啟動大規(guī)模生產。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品,并稱這一顆粒計劃于 2025 上半年實現量產?!?SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法,SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年,明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注:從代際發(fā)布間隔
          • 關鍵字: SK海力士  內存  NAND  

          消息稱 SK 海力士考慮推動 NAND 業(yè)務子公司 Solidigm 在美 IPO

          • IT之家 7 月 29 日消息,綜合外媒《韓國經濟日報》(Hankyung)與 Blocks & Files 報道,SK 海力士考慮推動 NAND 閃存與固態(tài)硬盤子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務,而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購第一階段后成立的獨立美國子公司?!?Solidigm D5-P5336,E1.L 規(guī)格,61.44TB由于內外部因素的共同影響,Sol
          • 關鍵字: SK海力士  內存  NAND  

          長江存儲再度“亮劍”,在美國起訴美光侵犯其 11 項專利

          • IT之家 7 月 22 日消息,據外媒 Tomshardware 報道,中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲,日前再次將美光告上法院,在美國加州北區(qū)指控美光侵犯了長江存儲的 11 項專利,涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產品。長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權的存儲產品,并支付專利使用費。長江存儲指控稱,美光的 96 層(B27A)、128 層(B37R)、176 層(B47R)和 232 層(B58R)3D NAND Flash,以及美光的一些 DDR5 SDRA
          • 關鍵字: 長江存儲  NAND  美光  內存  

          為什么QLC可能是NAND閃存的絕唱?

          • NAND 閃存已經達到了一定的密度極限,無法再進一步擴展。
          • 關鍵字: NAND  

          三星發(fā)布了其首款60TB固態(tài)硬盤,能否搶占先機?

          • 內存和存儲芯片制造商三星發(fā)布了其首款容量高達60TB的企業(yè)級固態(tài)硬盤(SSD),專為滿足企業(yè)用戶的需求而設計。得益于全新主控,三星表示未來甚至可以制造120TB的固態(tài)硬盤。對比2020年發(fā)布的上一代BM1733,BM1733采用了第5代V-NAND技術的QLC閃存、堆疊層數為96層、最大容量為15.36TB,顯然BM1743的存儲密度有了大幅度提升。三星以往的固態(tài)硬盤容量上限為32TB,此次推出的BM1743固態(tài)硬盤則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是,目前三星在該細分市場將面臨的競爭相對較少,因
          • 關鍵字: 三星  固態(tài)硬盤  V-NAND  

          鎧俠產能滿載 傳7月量產最先進NAND Flash產品

          • 《科創(chuàng)板日報》4日訊,鎧俠產線稼動率據悉已在6月回升至100%水準、且將在7月內量產最先進存儲芯片(NAND Flash)產品,借此開拓因生成式AI普及而急增的數據存儲需求。據悉,鎧俠將開始量產的NAND Flash產品堆疊218層數據存儲元件,和現行產品相比,存儲容量提高約50%,寫入數據時所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ)
          • 關鍵字: 鎧俠  NAND Flash  

          NAND市場,激戰(zhàn)打響

          • 隨著人工智能(AI)相關半導體對高帶寬存儲(HBM)需求的推動,NAND 閃存市場也感受到了這一趨勢的影響。目前,NAND 閃存市場的競爭正在加劇,存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力,以提升 NAND 產品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產第九代 V-NAND 閃存今年 4 月,三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產品開始量產,這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢?眾所周知,平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分,
          • 關鍵字: 三星  第九代 V-NAND  

          鎧俠結束減產?兩座NAND工廠開工率提高至100%

          • 據日經新聞報道,鑒于市場正在復蘇,日本存儲芯片廠商鎧俠已結束持續(xù)20個月的減產行動,且貸方同意提供新的信貸額度。報道稱,鎧俠于6月份將位于三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND工廠的生產線開工率提高至100%。而隨著業(yè)務好轉,債權銀行已同意為6月份到期的5,400億日元(34.3億美元)貸款進行再融資。他們還將設立總額為2,100億日元的新信貸額度。2022年10月,為應對需求低迷的市場環(huán)境,鎧俠發(fā)布聲明稱,將調整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠的生產,將晶圓生產量減少約30%,并表示會繼續(xù)根據
          • 關鍵字: 鎧俠  NAND  
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          nand-flash介紹

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