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          arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區(qū)

          游戲新機(jī)上市填補(bǔ)云端需求空缺 三季度NAND Flash價(jià)格波動(dòng)有限

          • 根據(jù)TrendForce內(nèi)存儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)調(diào)查,盡管消費(fèi)性產(chǎn)品及智能型手機(jī)受到疫情沖擊導(dǎo)致需求下降,但云端服務(wù)、遠(yuǎn)距教學(xué)的需求也同步催生,加上部份客戶(hù)因擔(dān)憂(yōu)供應(yīng)鏈中斷而提前備貨,促使NAND Flash市場(chǎng)在2020年第一季與第二季呈現(xiàn)缺貨。整體而言,目前需求以SSD占最大宗,與手機(jī)、消費(fèi)性較相關(guān)的eMMC、UFS及wafer市場(chǎng)較為冷卻。根據(jù)TrendForce分析師葉茂盛指出,當(dāng)前為NAND Flash第三季議價(jià)的關(guān)鍵時(shí)刻,初步觀(guān)察因新款游戲機(jī)的年底上市計(jì)劃不變,首次轉(zhuǎn)進(jìn)SSD的
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  

          三星電子擬投資8萬(wàn)億韓元在平澤建NAND閃存生產(chǎn)線(xiàn)

          • 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,三星電子日前表示,計(jì)劃投資8萬(wàn)億韓元(約合人民幣466億元)在韓國(guó)平澤工業(yè)園區(qū)建NAND閃存生產(chǎn)線(xiàn)。三星電子生產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)上月已經(jīng)開(kāi)始,預(yù)計(jì)2021年下半年開(kāi)始生產(chǎn)三星最先進(jìn)的V-NAND產(chǎn)品。三星電子表示,此次投資旨在應(yīng)對(duì)隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等第四次工業(yè)革命,以及5G普及而來(lái)的NAND需求。上月,三星電子還透露,已在平澤投資建設(shè)生產(chǎn)線(xiàn),新產(chǎn)線(xiàn)專(zhuān)注于基于極紫外光刻(EUV)技術(shù)的5nm、及以下制程。新產(chǎn)線(xiàn)已開(kāi)始建設(shè),預(yù)計(jì)明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)5nm芯片。三星電子表示,加上平澤生產(chǎn)線(xiàn),韓國(guó)將擁有7條
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  閃存  

          集邦咨詢(xún):數(shù)據(jù)中心需求大增,NAND Flash營(yíng)收成長(zhǎng)8.3%

          • 根據(jù)集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查,2020年第一季NAND Flash(閃存)位元出貨量較前一季大致持平,加上平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲,帶動(dòng)整體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季成長(zhǎng)8.3%,達(dá)136億美元。延續(xù)去年第四季開(kāi)始的數(shù)據(jù)中心強(qiáng)勁采購(gòu)力道,第一季Enterprise SSD仍是供不應(yīng)求。此外,自年初起,各供應(yīng)商當(dāng)時(shí)的庫(kù)存水位多已恢復(fù)至正常,也帶動(dòng)主要產(chǎn)品合約價(jià)呈現(xiàn)上漲。隨后在農(nóng)歷春節(jié)期間爆發(fā)新冠肺炎疫情,根據(jù)集邦咨詢(xún)當(dāng)時(shí)的調(diào)查,服務(wù)器供應(yīng)鏈的恢復(fù)狀況優(yōu)于筆記本電腦及智能手機(jī),也因此對(duì)于數(shù)據(jù)中心需求
          • 關(guān)鍵字: NAND  三星  intel  

          集邦咨詢(xún):數(shù)據(jù)中心需求大增,第一季NAND Flash營(yíng)收成長(zhǎng)8.3%

          • 根據(jù)集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查,2020年第一季NAND Flash(閃存)位元出貨量較前一季大致持平,加上平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲,帶動(dòng)整體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季成長(zhǎng)8.3%,達(dá)136億美元。
          • 關(guān)鍵字: 集邦咨詢(xún)  數(shù)據(jù)中心  NAND Flash  

          英特爾最新發(fā)展藍(lán)圖:明年或全面轉(zhuǎn)向144層堆疊NAND

          • 處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃存儲(chǔ)器的發(fā)展上也隨著其他各家廠(chǎng)商的腳步,開(kāi)始有了新的進(jìn)度。根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo),英特爾的快閃存儲(chǔ)器部門(mén)最近公布了發(fā)展藍(lán)圖,在目前其他各家NAND快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)商都已經(jīng)開(kāi)始向1xx層堆疊的發(fā)展當(dāng)下,作為主要NAND制造商之一的英特爾也預(yù)計(jì)在2021年全面轉(zhuǎn)向144層堆疊的產(chǎn)品發(fā)展。
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  144層  NAND  

          群聯(lián)全系列控制芯片支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND

          • 電子醫(yī)療設(shè)備、電競(jìng)游戲機(jī)、NB筆記本電腦、電視機(jī)頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因?yàn)樾鹿诜窝?(COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護(hù)或宅經(jīng)濟(jì)需求上升,不僅刺激了閃存儲(chǔ)存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長(zhǎng)動(dòng)能,更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長(zhǎng)亮點(diǎn)之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長(zhǎng)江存儲(chǔ) (YMTC),在2016年加入NAND Flash設(shè)計(jì)生產(chǎn)后,也為市場(chǎng)添增了一股活力。
          • 關(guān)鍵字: 群聯(lián)  控制芯片  長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND  

          群聯(lián)全系列控制芯片支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND

          • 電子醫(yī)療設(shè)備、電競(jìng)游戲機(jī)、NB筆記本電腦、電視機(jī)頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因?yàn)樾鹿诜窝?(COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護(hù)或宅經(jīng)濟(jì)需求上升,不僅刺激了閃存儲(chǔ)存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長(zhǎng)動(dòng)能,更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長(zhǎng)亮點(diǎn)之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長(zhǎng)江存儲(chǔ) (YMTC),在2016年加入NAND Flash設(shè)計(jì)生產(chǎn)后,也為市場(chǎng)添增了一股活力。
          • 關(guān)鍵字: 群聯(lián)  3D NAND  長(zhǎng)江存儲(chǔ)  

          長(zhǎng)江存儲(chǔ):128層3D NAND技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在今年推出

          • 據(jù)證券時(shí)報(bào)消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪(fǎng)時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示,128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工,從中長(zhǎng)期來(lái)看,這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。今年早些時(shí)候,長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷(xiāo)售資深副總裁龔翔表示,接下來(lái),長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過(guò)如今業(yè)界常見(jiàn)的96層,直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。▲長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存晶圓了解到,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月,總
          • 關(guān)鍵字: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)  3D NAND  

          集邦咨詢(xún):受新冠肺炎疫情擴(kuò)大沖擊,NAND Flash均價(jià)可能提前于下半年反轉(zhuǎn)向下

          • 根據(jù)集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查,雖然新冠肺炎疫情延燒,使得2020年第一季的終端產(chǎn)品出貨動(dòng)能格外疲弱,但在NAND Flash領(lǐng)域,因?yàn)?020年全年供給位元產(chǎn)出年成長(zhǎng)收斂至三成,加上各大供應(yīng)商資本支出保守,第一季NAND Flash均價(jià)在淡季仍上漲約5%。
          • 關(guān)鍵字: 集邦咨詢(xún)  新冠肺炎  NAND Flash  

          華邦電進(jìn)軍車(chē)用、工業(yè)領(lǐng)域

          • 存儲(chǔ)器大廠(chǎng)華邦電近日宣布,開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款新型高速Octal NAND Flash產(chǎn)品,可望使高容量序列(Serial)介面NAND Flash成為當(dāng)前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案,解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問(wèn)題。華邦電表示,Octal NAND Flash可望于1Gb以上儲(chǔ)存容量級(jí)別,提供車(chē)用與工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域穩(wěn)健可靠的儲(chǔ)存存儲(chǔ)器。
          • 關(guān)鍵字: 華邦電  NAND Flash  車(chē)用與工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域  

          存儲(chǔ)器行業(yè)的冰與火之歌:凜冬是否已經(jīng)結(jié)束 ?

          • 據(jù)IDC預(yù)測(cè),2025年全球數(shù)據(jù)將有175 ZettaBytes的總量,如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器將具有極大的市場(chǎng)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為易失存儲(chǔ)器和非易失存儲(chǔ)器兩種,具體類(lèi)型如下:“凜冬將至”:這兩年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)2017年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)可以用火熱來(lái)形容,三大存儲(chǔ)器公司(三星、海力士、美光)的財(cái)報(bào)都非常喜人,SK海力士、美光的營(yíng)收規(guī)模均成長(zhǎng)近8成,而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導(dǎo)體營(yíng)收頭把交椅。整體來(lái)說(shuō),2017年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模比2016年成長(zhǎng)22.2%,達(dá)4197.2億美元,存儲(chǔ)器的
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器、NAND、DRAM  

          引領(lǐng)存儲(chǔ)新架構(gòu) 構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔 英特爾通過(guò)傲騰和QLC NAND技術(shù)變革存儲(chǔ)未來(lái)

          • 近日,以“數(shù)智·未來(lái)”為主題的2019中國(guó)數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)峰會(huì)在北京成功舉辦。匯聚全球數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域知名的專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)軍人物與代表性企業(yè)用戶(hù),本次峰會(huì)旨在幫助企業(yè)和社會(huì)提升數(shù)據(jù)智能水平,推動(dòng)全球存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國(guó)區(qū)非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會(huì)并發(fā)表演講,不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過(guò)傲騰?技術(shù)和QLC NAND?技術(shù)填補(bǔ)當(dāng)前存儲(chǔ)層級(jí)中的巨大鴻溝,還通過(guò)諸多用戶(hù)案例進(jìn)一步展示英特爾如何通過(guò)內(nèi)存與存儲(chǔ)的產(chǎn)品、技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)存儲(chǔ)新架構(gòu),構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔。英特爾公司中國(guó)區(qū)非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部
          • 關(guān)鍵字: QLC  NAND  內(nèi)存  

          SK海力士128層4D NAND出樣

          • 近日消息 根據(jù)guru3D的報(bào)道,隨著NAND閃存技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展,固態(tài)硬盤(pán)TB內(nèi)存時(shí)代即將到來(lái),SK海力士現(xiàn)已推出了第一批基于其128層4D NAND產(chǎn)品樣品。
          • 關(guān)鍵字: SK  4D NAND  128層  

          中國(guó)首款!長(zhǎng)江存儲(chǔ)啟動(dòng)64層3D NAND閃存量產(chǎn)

          • 網(wǎng)易科技訊 9月2日消息 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)在IC China 2019前夕宣布,公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  

          NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場(chǎng)暗潮洶涌 各家布局蓄勢(shì)待發(fā)

          • 受到東芝工廠(chǎng)停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)契機(jī)出現(xiàn),NAND Flash價(jià)格調(diào)漲從7月開(kāi)始顯現(xiàn),而國(guó)際大廠(chǎng)之間的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)更是暗潮洶涌。
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  東芝存儲(chǔ)器  NAND Flash  3D XPoint  Z-NAND  
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          arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)介紹

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