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中國產(chǎn)能逐漸開出內(nèi)存價(jià)格2019將下滑

　　內(nèi)存價(jià)格從2016年起一路上揚(yáng)，但自2018下半年起，由于各廠商產(chǎn)能陸續(xù)開出，因此資策會(huì)MIC預(yù)測(cè)內(nèi)存價(jià)格將于開始下滑?！　≠Y策會(huì)MIC資深產(chǎn)業(yè)顧問洪春暉表示，2018年的半導(dǎo)體市場(chǎng)概況是近5年來難得的樂觀，盡管2018年內(nèi)存價(jià)格成長空間有限，但NAND Flash需求仍然持續(xù)增加。因此，預(yù)估2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將成長10.1%，其中最大的原因是各應(yīng)用終端內(nèi)存需求持續(xù)增加，以及車用電子等新興應(yīng)用帶動(dòng)?！　『榇簳熯M(jìn)一步指出，內(nèi)存受惠于市場(chǎng)價(jià)格上揚(yáng)，2018年全年臺(tái)灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長25%，產(chǎn)
關(guān)鍵字：內(nèi)存 NAND

IHS公布二季度半導(dǎo)體銷售排行榜：三星又當(dāng)?shù)谝?/a>

　　由于持續(xù)受益于存儲(chǔ)器芯片熱潮，韓國三星電子(Samsung Electronics)今年第二季仍穩(wěn)坐半導(dǎo)體銷售龍頭地位，再度超越其競(jìng)爭對(duì)手——英特爾(Intel)?！　「鶕?jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS Markit的統(tǒng)計(jì)，三星在今年第二季全球芯片市場(chǎng)占15.9%，英特爾約占7.9%。然而，隨著NAND快閃存儲(chǔ)器(flash)市場(chǎng)顯著降溫，英特爾已自本季開始縮小與三星的差距，其季成長較三星更高3%?！　∫园雽?dǎo)體銷售額來看，三星在第二季的銷售額為192億美元，較第一季成長3.4%，并較2017年第二季成長了33.7

關(guān)鍵字：三星 NAND 英特爾

基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動(dòng)方法

　　1. 引言　　NAND FLASH被廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應(yīng)用。FPGA靈活的硬件邏輯能實(shí)現(xiàn)對(duì)NAND FLASH的讀寫操作。本文中闡述了一種基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動(dòng)方法?！　?. VDNF2T16VP193EE4V25簡介　　歐比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量為2Tb、位寬為16位的NAND FLASH，其內(nèi)部由8片基片拓?fù)涠?，其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下：　　其主要特性如下：　　? 總?cè)萘?/li>
關(guān)鍵字： NAND NIOS II FPGA

全球前15大半導(dǎo)體廠商排名：7家年增20%以上，中國大陸無一上榜

　　8月20日，研究機(jī)構(gòu)ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導(dǎo)體供應(yīng)商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過遺憾的是，中國大陸暫時(shí)沒有公司進(jìn)入這個(gè)榜單的前15名?！　「鶕?jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺(tái)積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內(nèi)存、德州儀器、英偉達(dá)、西數(shù)\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導(dǎo)體和聯(lián)發(fā)科。這里，英偉達(dá)數(shù)據(jù)最為搶眼，相較于去年同期，英偉
關(guān)鍵字： DRAM NAND

如何基于AM5728進(jìn)行U-Boot編譯

　　操作環(huán)境：　　Ubuntu 14.04.364bit　　本文基于廣州創(chuàng)龍TL5728F-EVM開發(fā)板進(jìn)行測(cè)試?！　L5728F-EVM開發(fā)板平臺(tái)簡介：　　? 基于TI Sitara AM5728(浮點(diǎn)雙DSPC66x+雙ARMCortex-A15)+Xilinx Artix-7FPGA工業(yè)控制及高性能音視頻處理器;　　? TI AM5728為多核異構(gòu)CPU，集成雙核Cortex-A15、雙核C66x浮點(diǎn)DSP、雙核PRU-ICSS、雙核IPU Cortex-M4、雙核GPU等處理單元，支持OpenC
關(guān)鍵字： AM5728 U-Boot

IC Insights預(yù)測(cè)：全球IC增長和全球GDP增長關(guān)聯(lián)日益密切

　　在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報(bào)告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預(yù)測(cè)，2018-2022年全球GDP和IC市場(chǎng)相關(guān)系數(shù)將達(dá)到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長與IC市場(chǎng)增長之間日益密切的關(guān)聯(lián)，以及到2022年的最新預(yù)測(cè)?！　∪鐖D所示，在2010-2017年的時(shí)間段內(nèi)，全球GDP增長與IC市場(chǎng)增長的相關(guān)系數(shù)為0.88，這是一個(gè)強(qiáng)勁的數(shù)字，因?yàn)橥耆嚓P(guān)為1.0。在此期間之前的3
關(guān)鍵字： DRAM NAND

NAND閃存價(jià)格還要連跌10% 512GB SSD未來兩年將成主流

　　NAND閃存價(jià)格2018年以來一直在降低，大家也應(yīng)該注意到了今年發(fā)布的智能手機(jī)閃存容量也越來越大了，中高端機(jī)中64GB是起步，128GB已經(jīng)是主流了。NAND閃存降價(jià)的趨勢(shì)在下半年還會(huì)繼續(xù)，因?yàn)橹悄苁謾C(jī)出貨量增長放緩，而3D NAND閃存產(chǎn)能持續(xù)增加，預(yù)計(jì)Q3、Q4兩個(gè)季度中NAND價(jià)格都會(huì)下跌10%，不用過這也加速了大容量SSD硬盤的普及，未來2-3內(nèi)512GB將成為主流之選?！　〖羁萍计煜碌腄RAMeXchange日前發(fā)布了有關(guān)NAND閃存市場(chǎng)下半年趨勢(shì)的報(bào)告，認(rèn)為Q3季度雖然是傳統(tǒng)旺季，但是N
關(guān)鍵字： NAND SSD

中國存儲(chǔ)三大陣營相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話語權(quán)

　　今年下半年，隨著長江存儲(chǔ)、福建晉華、合肥長鑫國內(nèi)三大存儲(chǔ)廠商相繼進(jìn)入試產(chǎn)階段，中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展的關(guān)鍵階段。業(yè)界認(rèn)為，國內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動(dòng)全球版圖，但或?qū)?duì)全球存儲(chǔ)市場(chǎng)價(jià)格走勢(shì)造成影響?！　《S著中美貿(mào)易局勢(shì)的緊張，以及中國監(jiān)管機(jī)構(gòu)正式啟動(dòng)對(duì)三星、美光、SK海力士等存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)的反壟斷調(diào)查，中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關(guān)注?！　∧壳?，中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場(chǎng)的長江存儲(chǔ)、專注于移動(dòng)式內(nèi)存的合肥長鑫，以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營?！　〗趥鞒龊戏书L鑫投產(chǎn)8
關(guān)鍵字： NAND DRAM

三星150億美元擴(kuò)大NAND產(chǎn)能：SSD要繼續(xù)降價(jià)

　　據(jù)韓國媒體報(bào)道稱，三星已經(jīng)上調(diào)了今明兩年在NAND生產(chǎn)上的投資，總計(jì)高達(dá)150億美元，這主要用于擴(kuò)大韓國平澤工廠以及中國西安工廠的3D NAND產(chǎn)能。報(bào)道中提到，三星如此投資，只是為了提高NAND產(chǎn)量，所以未來SSD的繼續(xù)降價(jià)是基本沒懸念的事?！　∪騈AND閃存市場(chǎng)份額中，三星排名第一，占有率達(dá)到37%，其一舉一動(dòng)直接影響整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，而此番投資NAND領(lǐng)域以擴(kuò)大產(chǎn)能，也勢(shì)必讓競(jìng)爭對(duì)手采用同樣的策略?！　∮袌?bào)道稱，東芝/西數(shù)、美光、SK Hynix及Intel都在大舉投資NAND產(chǎn)能，今年底到明年
關(guān)鍵字：三星 NAND

NAND閃存景氣回升 CAPEX將增40%至310億美元

　　近日，據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出(CAPEX)將比預(yù)期產(chǎn)量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來的最大增幅。　　其中，3D NAND的市場(chǎng)需求，成為驅(qū)動(dòng)NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術(shù)采用堆疊的方式處理設(shè)備層關(guān)系，可以使得每顆芯片的儲(chǔ)存容量增加，從而實(shí)現(xiàn)更大的結(jié)構(gòu)和單元間隔，利于增加產(chǎn)品的耐用性、降低生產(chǎn)成本。因此深受NAND閃存廠商的追捧，目前已成為NAND閃存廠商的
關(guān)鍵字： NAND CAPEX

美光科技就中國福建省專利訴訟案件的聲明

　　美光科技有限公司(納斯達(dá)克代碼：MU)宣布，中國福建省福州市中級(jí)人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司，針對(duì)聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡稱“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱“晉華”)提起專利侵權(quán)訴訟的案件，該法院已批準(zhǔn)向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專利侵權(quán)訴訟，實(shí)為報(bào)復(fù)此前臺(tái)灣檢察機(jī)關(guān)針對(duì)聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機(jī)密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對(duì)聯(lián)電和晉華向美國加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起的民事訴訟?！　≡摮醪浇罱姑拦饪萍純芍袊庸驹谥袊圃?、銷
關(guān)鍵字：美光科技 DRAM NAND

基于AM5728進(jìn)行U-Boot編譯步驟

　　操作環(huán)境：　　Ubuntu 14.04.364bit　　本文基于廣州創(chuàng)龍TL5728F-EVM開發(fā)板進(jìn)行測(cè)試?！　L5728F-EVM開發(fā)板平臺(tái)簡介：　　? 基于TI Sitara AM5728(浮點(diǎn)雙DSPC66x+雙ARMCortex-A15)+Xilinx Artix-7FPGA工業(yè)控制及高性能音視頻處理器;　　? TI AM5728為多核異構(gòu)CPU，集成雙核Cortex-A15、雙核C66x浮點(diǎn)DSP、雙核PRU-ICSS、雙核IPU Cortex-M4、雙核GPU等處理單元，支持OpenC
關(guān)鍵字： AM5728，U-Boot

2018年Q1全球半導(dǎo)體銷售達(dá)1158億美元，無線通訊市場(chǎng)大幅下滑

　　在2018年第一季度，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額達(dá)到了1158億美元。即使該季度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總營收出現(xiàn)些許下滑，然而NAND市場(chǎng)依然創(chuàng)下了有史以來第二高的季度收入，其中，來自企業(yè)和消費(fèi)性固態(tài)硬盤(SSD)市場(chǎng)的需求最為強(qiáng)勁?！　‰S著企業(yè)和儲(chǔ)存市場(chǎng)對(duì)于相關(guān)零組件需求的增加，在2018年第一季度，儲(chǔ)存類別增長率為1.7%，達(dá)到397億美元。事實(shí)上，對(duì)于服務(wù)器用內(nèi)存(Server DRAM)的強(qiáng)勁需求將持續(xù)推動(dòng)該市場(chǎng)。然而，也能看到NAND漲幅在該季度內(nèi)收入略有下降，IHS Marki內(nèi)存與儲(chǔ)存市場(chǎng)資深總監(jiān)Crai
關(guān)鍵字：無線通訊 NAND

紫光對(duì)3D NAND閃存芯片的戰(zhàn)略愿景

在“2018中國半導(dǎo)體市場(chǎng)年會(huì)暨IC中國峰會(huì)”上，紫光集團(tuán)有限公司董事長趙偉國作了“自主可控的中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)崛起之路”報(bào)告，介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時(shí)間，紫光進(jìn)入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 3D NAND 自主可控 201807

96層3D NAND明年量產(chǎn) 群聯(lián)控制器方案準(zhǔn)備就緒

　　為實(shí)現(xiàn)更高儲(chǔ)存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲(chǔ)存的信息也越來越多。目前NAND Flash芯片已經(jīng)進(jìn)入64層TLC時(shí)代，展望2019年，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業(yè)者都將進(jìn)一步推出96層QLC顆粒。為了因應(yīng)即將量產(chǎn)的新一代NAND Flash規(guī)格特性，控制器業(yè)者群聯(lián)已備妥對(duì)應(yīng)的解決方案?！　∪郝?lián)電子發(fā)言人于紹庭表示，3D NAND Flash技術(shù)不斷推進(jìn)，目前64層TLC已經(jīng)是相當(dāng)穩(wěn)定的產(chǎn)品。而為了進(jìn)一步提升儲(chǔ)存密度，NAND Flash供貨商正
關(guān)鍵字： NAND，芯片

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