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          arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過技術(shù)社區(qū)

          集邦咨詢:供需失衡態(tài)勢(shì)難止,NAND Flash供應(yīng)商2019年資本支出年減2%

          •   根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,2018年NAND Flash市場(chǎng)經(jīng)歷全年供過于求,且2019年筆記本電腦、智能手機(jī)、服務(wù)器等主要需求表現(xiàn)仍難見起色,預(yù)計(jì)產(chǎn)能過剩難解。在此情況下,供應(yīng)商將進(jìn)一步降低資本支出以放緩擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)程,避免位元成長(zhǎng)過多導(dǎo)致過剩狀況加劇?! RAMeXchange調(diào)查指出,2018年因供過于求難以遏制,韓系供應(yīng)商帶頭降低資本支出。NAND Flash總體資本支出下調(diào)近10%,但供需失衡的情形仍無法逆轉(zhuǎn)。2019年美系廠商減少資本支出,使得NAND
          • 關(guān)鍵字: NAND  東芝  

          存儲(chǔ)器行業(yè)的2018:冰與火之歌|盤點(diǎn)2018

          • 存儲(chǔ)器一直被看成是半導(dǎo)體行業(yè)的晴雨表,它的表現(xiàn)也影響著整個(gè)市場(chǎng)的枯榮變換。2018年的存儲(chǔ)器行業(yè)在興奮和失望迷茫的情緒交替中前行,伴隨著技術(shù)上的幾許亮色,邁向了2019年。從熱火朝天到凜冬將至  2017年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)可以用火熱來形容,三大存儲(chǔ)器公司(三星、海力士、美光)的財(cái)報(bào)都非常喜人。
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  NAND  

          中天弘宇:攻克核心設(shè)計(jì)缺陷 重建NOR閃存新生

          • 閃存是當(dāng)今數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的重要介質(zhì)之一,主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導(dǎo)體工藝不斷發(fā)展,相比于NAND技術(shù)的快速演進(jìn),NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前,因?yàn)榇嬖诓糠衷O(shè)計(jì)缺陷而讓NOR閃存無法繼續(xù)跟進(jìn)先進(jìn)工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵。不過,因?yàn)橹袊?guó)企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究,NOR閃存的應(yīng)用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過了近十年的研發(fā)積累,完成了對(duì)原有NOR閃存架構(gòu)的大膽創(chuàng)新,也可以說是一個(gè)完全的顛覆。我們沿用了整個(gè)NOR的架構(gòu),但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
          • 關(guān)鍵字: NOR  NAND  存儲(chǔ)器  

          半導(dǎo)體設(shè)備廠商競(jìng)爭(zhēng)格局生變?

          •   半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商的排名在2016-2017年間沒有發(fā)生太大的變化,但是這種格局正在發(fā)生變化。不僅Lam Research、ASML和東京電子的位次發(fā)生調(diào)轉(zhuǎn),排名第一的應(yīng)用材料公司的寶座位置也岌岌可危?! ∽?990年以來,應(yīng)用材料公司一直是半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者。在此之前的1989年,坐在鐵王座位置上的還是日本的東京電子,該公司2016年排名第四,今年前三季度的新排名則是第二。除了位次的變化,也許更重要的是,領(lǐng)頭羊和第二名的差距正在迅速收窄?! ?016年,應(yīng)用材料公司的市場(chǎng)份額比Lam
          • 關(guān)鍵字: ASML  NAND  

          突破瓶頸,英特爾重塑數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)架構(gòu)

          • 2018年12月11日,以“智數(shù)據(jù)·創(chuàng)未來”為主題的2018中國(guó)存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)峰會(huì)在北京拉開帷幕。作為中國(guó)數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)行業(yè)頂級(jí)的交流平臺(tái),本次峰會(huì)匯集了全球近百位來自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界的專家,就數(shù)據(jù)洪流時(shí)代下,企業(yè)如何實(shí)施數(shù)據(jù)戰(zhàn)略、深挖數(shù)據(jù)價(jià)值,變數(shù)據(jù)資源為實(shí)現(xiàn)更廣泛商業(yè)價(jià)值的數(shù)據(jù)資產(chǎn)等話題展開深入探討。
          • 關(guān)鍵字: 數(shù)據(jù)  存儲(chǔ)  傲騰  QLC 3D NAND  

          AI芯天下丨DRAM價(jià)格將持續(xù)下跌

          •   全球DRAM市場(chǎng)上,三星一家獨(dú)大,接著是SK Hynix及美光,這三家的DRAM份額占到了全球95%左右,而華亞科被美光全資收購之后,Nanya南亞科技也就變成全球第四大內(nèi)存芯片廠商了,雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見大巫。  1  DRAM連漲之后持續(xù)下跌  在DRAM內(nèi)存漲價(jià)超過9個(gè)季度之后,內(nèi)存芯片價(jià)格終于在10月份大跌了一次,DRAMxChange稱10月份DRAM現(xiàn)貨價(jià)格跌了10%,預(yù)計(jì)2019年還會(huì)繼續(xù)跌20%?! ∈艽擞绊?,全球第四大內(nèi)存芯片廠商南亞科
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          存儲(chǔ)領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)加劇,3D NAND蝕刻逐步明朗化

          •   3D NAND的出現(xiàn)也是因?yàn)?D NAND無法滿足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類型之分,為了提高其容量、降低成本,NAND的制造工藝也在不斷進(jìn)步,厚度開始不斷降低,但NAND閃存和處理器還是有很大不同的。雖然先進(jìn)的工藝帶來了更大的容量,但是其可靠性和性能卻在下降,因?yàn)楣に囋较冗M(jìn),NAND的氧化層越薄,其可靠性也就越差,廠商就需要采取額外手段彌補(bǔ)這一問題,這必然會(huì)提高成本,以至于在達(dá)到某個(gè)最高點(diǎn)之后完全抵消掉制造工藝帶來的優(yōu)勢(shì)?!   ?D NAND將思路從提高制造工藝轉(zhuǎn)
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)  NAND  

          晉華事件透視:存儲(chǔ)器壟斷暴利之痛如何終結(jié)?

          • 壟斷加劇供求失衡,導(dǎo)致價(jià)格上漲,壟斷導(dǎo)致的暴利,是目前全球存儲(chǔ)器行業(yè)面臨的最大問題。
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  NAND  

          存儲(chǔ)器原廠Q3業(yè)績(jī)搶眼,但漲價(jià)優(yōu)勢(shì)不再,Q4風(fēng)光難續(xù)

          •   前言:2018年Q3出貨旺季,在存儲(chǔ)器Bit出貨量增加帶動(dòng)下,存儲(chǔ)器原廠業(yè)績(jī)搶眼。然而,存儲(chǔ)器漲價(jià)優(yōu)勢(shì)不再,Q4財(cái)報(bào)恐難抵下滑之勢(shì)?! 〈鎯?chǔ)器原廠Q3財(cái)報(bào)搶眼,但NAND價(jià)格大跌超60%,引原廠產(chǎn)能“緊急制動(dòng)”  2018年以來,F(xiàn)lash原廠持續(xù)擴(kuò)大64層3D TLC NAND供貨,且以256Gb和512Gb供貨為主,再加上美光和英特爾64層1Tb QLC NAND在市場(chǎng)應(yīng)用,導(dǎo)致市場(chǎng)供過于求。即使在Q3出貨旺季,NAND Flash價(jià)格也依然表現(xiàn)跌勢(shì)。據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  NAND  

          產(chǎn)業(yè)高點(diǎn)已過,2019年閃存價(jià)格恐跌40%

          •   CINNOResearch對(duì)閃存供應(yīng)商及其上下游供應(yīng)鏈調(diào)查顯示,在64層的3D-NAND良率更為成熟,需求端受到中美貿(mào)易戰(zhàn)壓縮的情況下,NANDFlash行業(yè)供過于求的情況持續(xù)加劇,各家廠商以更為積極的降價(jià)來刺激出貨成長(zhǎng),也因此第三季度閃存平均銷售單價(jià)普遍較第二季度下滑15-20%,而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關(guān)系,第三季成長(zhǎng)幅度來到20-25%,整體第三季閃存產(chǎn)值達(dá)到172億美元,季成長(zhǎng)約為5%,值得注意的是,也是近三年來在第三季度旺季期間表現(xiàn)最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
          • 關(guān)鍵字: 閃存  3D-NAND  

          兆易創(chuàng)新宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key在閃存產(chǎn)品領(lǐng)域通力合作

          •   日前,業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商兆易創(chuàng)新(GigaDevice)宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key Electronics合作。兆易創(chuàng)新的SPI NOR Flash及NAND Flash等閃存產(chǎn)品可通過Digi-Key實(shí)現(xiàn)全球即時(shí)發(fā)貨,并在交貨周期及產(chǎn)品價(jià)格上更貼近客戶需求?! ≌滓讋?chuàng)新的SPI NOR Flash產(chǎn)品容量目前涵蓋512Kb至512Mb,并即將推出1Gb及2Gb的更高容量產(chǎn)品,以及業(yè)界最小尺寸的1.5x1.5mm USON封裝(容量高達(dá)8Mb)。 NAND Flash產(chǎn)品包含SPI和
          • 關(guān)鍵字: 兆易創(chuàng)新  NAND   

          3D NAND技術(shù)發(fā)展迅速,SSD取代HDD硬盤明年可待

          •   NAND Flash歷經(jīng)兩年的漲價(jià)后,在2018年價(jià)格開始大幅下滑,據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket數(shù)據(jù),截止到10月底,2018年NAND Flash綜合價(jià)格指數(shù)已累積下滑高達(dá)63%,其中主流SSD價(jià)格跌幅也高達(dá)約50%?! lash原廠3D NAND之戰(zhàn)加劇,使得SSD價(jià)格更加親民,據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket最新價(jià)格,消費(fèi)類零售品牌SSD 240GB容量?jī)r(jià)格已下滑至31美金,480GB容量?jī)r(jià)格下探至58美金。低端白牌SSD產(chǎn)品的市場(chǎng)報(bào)價(jià)更是分別低至25美金(24
          • 關(guān)鍵字: NAND  HDD  

          賽普拉斯與海力士攜手組建NAND閃存合資公司

          •   全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Cypress Semiconductor Corp.)(納斯達(dá)克代碼:CY)日前宣布,與海力士半導(dǎo)體公司(SK hynix system ic, Inc.)成立合資公司。協(xié)議約定在前五年中,合資公司將生產(chǎn)及銷售賽普拉斯現(xiàn)有的SLC NAND閃存系列產(chǎn)品,并將繼續(xù)投資于下一代NAND產(chǎn)品。合資公司總部設(shè)立在香港,海力士與賽普拉斯將分別持有60%與40%的股份?! ≠惼绽箍偛眉媸紫瘓?zhí)行官Hassane El-Khoury表示:“合資公司將會(huì)長(zhǎng)期為客戶提
          • 關(guān)鍵字: 海力士  NAND  

          存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)需求隨摩爾定律放緩,價(jià)格持續(xù)上漲

          • 存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)在經(jīng)過長(zhǎng)達(dá)一年半時(shí)間的猛漲后,部分內(nèi)存芯片的價(jià)格突然下跌,加之韓國(guó)三星電子近期發(fā)布的令人失望的2017年盈利報(bào)告,導(dǎo)致那些押注芯片繁榮的投資者感到極度不安。
          • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  NAND  

          國(guó)內(nèi)廠商在存儲(chǔ)行業(yè)緊鑼密鼓,有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”

          • 中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)起步較晚,我國(guó)作為全球最重要的存儲(chǔ)器市場(chǎng),在國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策扶持以及大量資本投入的背景下,通過自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導(dǎo)體巨頭,有望實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的“彎道超車”,在全球競(jìng)爭(zhēng)中占有一席之地。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  存儲(chǔ)器  
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