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	arm匯編u-boot-nand-spl啟動過
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          arm匯編u-boot-nand-spl啟動過 文章
                  進入arm匯編u-boot-nand-spl啟動過技術社區(qū)  
                  
          
                
          
                                
          
                  

                                
          
                    
          三星150億美元擴大NAND產能：SSD要繼續(xù)降價
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)韓國媒體報道稱，三星已經上調了今明兩年在NAND生產上的投資，總計高達150億美元，這主要用于擴大韓國平澤工廠以及中國西安工廠的3D NAND產能。報道中提到，三星如此投資，只是為了提高NAND產量，所以未來SSD的繼續(xù)降價是基本沒懸念的事。　　全球NAND閃存市場份額中，三星排名第一，占有率達到37%，其一舉一動直接影響整個行業(yè)的發(fā)展，而此番投資NAND領域以擴大產能，也勢必讓競爭對手采用同樣的策略?！　∮袌蟮婪Q，東芝/西數(shù)、美光、SK Hynix及Intel都在大舉投資NAND產能，今年底到明年
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          • 關鍵字：
                        三星  NAND                          
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          NAND閃存景氣回升 CAPEX將增40%至310億美元
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　近日，據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)預測，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出(CAPEX)將比預期產量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來的最大增幅。
　　其中，3D NAND的市場需求，成為驅動NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術采用堆疊的方式處理設備層關系，可以使得每顆芯片的儲存容量增加，從而實現(xiàn)更大的結構和單元間隔，利于增加產品的耐用性、降低生產成本。因此深受NAND閃存廠商的追捧，目前已成為NAND閃存廠商的
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          • 關鍵字：
                        NAND  CAPEX                          
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          美光科技就中國福建省專利訴訟案件的聲明
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美光科技有限公司(納斯達克代碼：MU)宣布，中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司，針對聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡稱“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱“晉華”)提起專利侵權訴訟的案件，該法院已批準向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專利侵權訴訟，實為報復此前臺灣檢察機關針對聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對聯(lián)電和晉華向美國加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起的民事訴訟?！　≡摮醪浇罱姑拦饪萍純芍袊庸驹谥袊圃臁N
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          • 關鍵字：
                        美光科技  DRAM  NAND                           
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          基于AM5728進行U-Boot編譯步驟 
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　操作環(huán)境：　　Ubuntu 14.04.364bit　　本文基于廣州創(chuàng)龍TL5728F-EVM開發(fā)板進行測試。　　TL5728F-EVM開發(fā)板平臺簡介：　　? 基于TI Sitara AM5728(浮點雙DSPC66x+雙ARMCortex-A15)+Xilinx Artix-7FPGA工業(yè)控制及高性能音視頻處理器;　　? TI AM5728為多核異構CPU，集成雙核Cortex-A15、雙核C66x浮點DSP、雙核PRU-ICSS、雙核IPU Cortex-M4、雙核GPU等處理單元，支持OpenC
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          • 關鍵字：
                        AM5728，U-Boot                          
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          2018年Q1全球半導體銷售達1158億美元，無線通訊市場大幅下滑
          
                                                            
            
                    	
          • 　　在2018年第一季度，全球半導體產業(yè)銷售額達到了1158億美元。即使該季度半導體產業(yè)總營收出現(xiàn)些許下滑，然而NAND市場依然創(chuàng)下了有史以來第二高的季度收入，其中，來自企業(yè)和消費性固態(tài)硬盤(SSD)市場的需求最為強勁?！　‰S著企業(yè)和儲存市場對于相關零組件需求的增加，在2018年第一季度，儲存類別增長率為1.7%，達到397億美元。事實上，對于服務器用內存(Server DRAM)的強勁需求將持續(xù)推動該市場。然而，也能看到NAND漲幅在該季度內收入略有下降，IHS Marki內存與儲存市場資深總監(jiān)Crai
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          • 關鍵字：
                        無線通訊  NAND                          
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          紫光對3D NAND閃存芯片的戰(zhàn)略愿景
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在“2018中國半導體市場年會暨IC中國峰會”上，紫光集團有限公司董事長趙偉國作了“自主可控的中國存儲器產業(yè)崛起之路”報告，介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時間，紫光進入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
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          • 關鍵字：
                        存儲器  3D  NAND  自主可控  201807                          
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          96層3D NAND明年量產 群聯(lián)控制器方案準備就緒
          
                                                            
            
                    	
          • 　　為實現(xiàn)更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內能儲存的信息也越來越多。 目前NAND Flash芯片已經進入64層TLC時代，展望2019年，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業(yè)者都將進一步推出96層QLC顆粒。 為了因應即將量產的新一代NAND Flash規(guī)格特性，控制器業(yè)者群聯(lián)已備妥對應的解決方案?！　∪郝?lián)電子發(fā)言人于紹庭表示，3D NAND Flash技術不斷推進，目前64層TLC已經是相當穩(wěn)定的產品。 而為了進一步提升儲存密度，NAND Flash供貨商正
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          • 關鍵字：
                        NAND，芯片                          
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          存儲芯片三巨頭是否合謀操縱市場？
          
                                                            
            
                    	
          • 存儲芯片三巨頭此次遭中國反壟斷機構調查，最終結果究竟如何，人們拭目以待。
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          • 關鍵字：
                        存儲  NAND                          
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          DRAM/NAND存儲器需求持續(xù)增溫 南亞科、旺宏業(yè)績看好
          
                                                            
            
                    	
          • 　　隨物聯(lián)網時代來臨，數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視，研調單位指出，協(xié)助運算處理的DRAM與資訊儲存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫，南亞科(2408)日前表示，今年DRAM市場仍供不應求，帶動存儲器族群行情向上，旺宏(2337)在權證市場同受關注，昨(29)日登上成交金額之首?！　∧蟻喛谱蛉展蓛r雖然收小黑，小跌0.4%，收在98.9元(新臺幣，后同)，但獲外資逆勢敲進逾2,000張，頗有逢低承接意味?！　∧蟻喛平衲晔准久抗捎?EPS)達2.39元，隨著DRAM市場仍持續(xù)供不應求，對今年整體營運表
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          美光科技交付業(yè)界首款QLC NAND固態(tài)硬盤
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元(QLC)NAND 技術的固態(tài)硬盤現(xiàn)已開始供貨。美光? 5210 ION 固態(tài)硬盤在美光 2018年分析師和投資者大會上首次亮相，面向之前由硬盤驅動器 (HDD) 提供服務的細分市場，可提供高出三層單元 (TLC) NAND 33%的位密度。新型 QLC固態(tài)硬盤的推出，奠定了美光在實現(xiàn)更高容量和更低成本方面的領導者地位，可以滿足人工智能、大數(shù)據(jù)、商業(yè)智能、內容傳輸和數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)對讀取密集型且性能敏感的云存儲的需求。　　隨著工作負載的演變以滿足對于實時數(shù)據(jù)的
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          • 關鍵字：
                        美光  NAND                           
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          韓國存儲器產業(yè)銷售額將在2020年減少78億美元
          
                                                            
            
                    	
          • 　　當前，不論DRAM還是NAND Flash等存儲器，中國市場基本上100%依賴進口，這使得產業(yè)發(fā)展需求也最為迫切。因此，現(xiàn)階段在政府的支持下，除了紫光集團旗下的長江存儲已經在武漢建設NAND Flash工廠，預計2018年下半年量產之外，其他包括安徽合肥、福建晉江也有團隊在進行DRAM研發(fā)，這使得未來幾年，中國生產存儲就會逐漸進入市場。
　　對此，韓國企業(yè)也開始關注中國競爭對手的加入。韓國預測，在2022年時會因為中國競爭的影響，韓國企業(yè)將減少78億美元的存儲器的銷售金額。
　　根據(jù)韓國媒體《et
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          • 關鍵字：
                        存儲器  NAND                           
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          內存瘋漲將告一段落 NAND/DRAM降價潮并沒有來
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　根據(jù)Gartner的報告顯示，在過去的2017年中，三星已經成功取代英特爾，搶下了全球最大芯片制造商的寶座。要知道，英特爾從1992年就一直占據(jù)著這一寶座，如今被三星超越實在是無奈，因為沒有人能預料到這兩年內存市場會如此強勁。
　　

 
　　也許大家都快忘記了，兩年前8GB的內存條價格還不到200元，然后8GB內存條的價格一路上漲到300多、500多、700多，甚至一度要突破千元大關，用了幾年的二手內存條都還能大賺一筆。內存價格的飆升也帶動了整個半導體產業(yè)的增長，其中三星獲益匪淺，
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          • 關鍵字：
                        NAND  DRAM                          
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          2017年全球十大半導體廠排名：三星首次登頂
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　IHS Markit研究指出，2017年全球半導體市場營收達到4291億美元，與2016年相較成長了21.7%，年成長率創(chuàng)下近14年新高。 而三星也借著53.6%的年成長率，取代蟬連25年的英特爾成為2017年全球最大半導體廠商。
　　在前20大半導體廠商中，SK海力士(SK Hynix)的營收成長幅度最大，較2016年成長81.2%;美光科技(Micron)居次，營收較2016年成長了79.7%。 對此，IHS Markit半導體供應鏈分析師Teevens表示，強勁的需求以及價格上漲，是企業(yè)營收大
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          • 關鍵字：
                        三星  NAND                          
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          我國首批32層三維NAND閃存芯片年內將量產
          
                                                            
            
                    	
          • 　　位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產機臺11日正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段，我國首批擁有完全自主知識產權的32層三維NAND閃存芯片將于年內量產，從而填補我國主流存儲器領域空白。
　　目前，我國通用存儲器基本全部依賴進口，國家存儲器基地于2017年成功研發(fā)我國首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團隊歷時2年自主研發(fā)的芯片，是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，有望使我國進入全球存儲芯片第
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          • 關鍵字：
                        NAND  存儲器                          
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          14張圖看懂半導體工藝演進對DRAM、邏輯器件、NAND的影響
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • DRAM工藝尺寸的縮減正在面臨基本的物理限制，目前還有沒有明確的解決方案，由于印刷需求的推動，DRAM的清洗復雜度也在增加。
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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