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長江存儲3D閃存各項指標(biāo)已達(dá)預(yù)期 2019年全速量產(chǎn)
- NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷，中國公司在此領(lǐng)域毫無話語權(quán)，甚至連收購、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預(yù)計2020年會在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。 長江存儲科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地，隨后
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手機(jī)廠家紛紛漲價全是因?yàn)樗?/a>
- 3月1日，樂視宣布，對旗下樂Pro 3進(jìn)行價格調(diào)整。在這之前，魅族、紅米、努比亞已先后宣布了漲價措施……手機(jī)廠家紛紛執(zhí)行漲價措施，往常都想用低價策略吸引用戶的廠家們這次都是因?yàn)槭裁茨? 有沒有朋友發(fā)現(xiàn)目前市場上的閃存類產(chǎn)品價格在悄悄增長，包括我們熟悉的U盤、內(nèi)存、硬盤類產(chǎn)品，這些產(chǎn)品和近期紛紛宣布漲價的手機(jī)是否有什么關(guān)系呢? 關(guān)鍵在于它們都使用了一種核心器件：Flash Memory，也就是大家說的“閃存”，而這類器件由于目前生產(chǎn)減少，出現(xiàn)了供不應(yīng)求的狀況，導(dǎo)致其價格上漲，最終
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DRAM與NAND差別這么大，存儲之爭都爭啥？
- 什么是DRAM? DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù)) 工作原理 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復(fù)用來組成的?！ ?nbsp;
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打破市場壟斷 國產(chǎn)32層堆棧3D閃存將于2019年量產(chǎn)
- NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷，中國公司在此領(lǐng)域毫無話語權(quán)，甚至連收購、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預(yù)計2020年會在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。 長江存儲科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地，
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三星穩(wěn)居全球NAND Flash龍頭地位 估供應(yīng)吃緊整年
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)期，今年儲存型快閃存儲器(NAND Flash)整年都將維持供應(yīng)吃緊的情況，NAND Flash廠商業(yè)績可望逐季攀高。 集邦科技調(diào)查，隨著NAND Flash缺貨達(dá)到高峰，產(chǎn)品平均售價走揚(yáng)，加上終端出貨暢旺，去年第4季NANDFlash產(chǎn)值達(dá)120.45億美元，季增達(dá)17.8%，各NANDFlash廠獲利也攀上去年高峰。 集邦科技指出，三星去年第4季市占率37.1%，穩(wěn)居全球NAND Flash龍頭地位;東芝市占率18.3%，居第2大廠;西部數(shù)據(jù)市占率17.7%，居第3大
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各大廠搶進(jìn)3D NAND致存儲器價格大漲
- 據(jù)海外媒體報道，去年下半年以來NANDFlash市場供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2DNANDFlash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3DNAND，但3DNAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2DNAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NANDFlash市場出現(xiàn)貨源不足問題，價格也因此明顯上漲。 不過，隨著3DNAND加速量產(chǎn)，下半年產(chǎn)能若順利開出，將成為NANDFlash市場最大變數(shù)。 2DNANDFlash制程持續(xù)往1y/1z納米進(jìn)行微縮，如三星及SK海力士去年已轉(zhuǎn)進(jìn)14納米，東芝及西部數(shù)據(jù)(WD)進(jìn)入15納米，美光導(dǎo)
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比NAND閃存更快千倍 40nm ReRAM在中芯國際投產(chǎn)
- 非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存(ReRAM)開發(fā)商CrossbarInc.利用非導(dǎo)電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料，并透過電場轉(zhuǎn)換機(jī)制，開發(fā)出號稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件，同時就像先前在2016年所承諾地如期實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 根據(jù)Crossbar策略營銷與業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁SylvainDubois表示，專為嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存(eNVM)應(yīng)用而打造的CrossbarReRAM提供了更高性能，密度比DRAM更高40倍，耐久度與寫入速度更高1，000倍，單芯片尺寸約200mm2左右，即可實(shí)現(xiàn)高達(dá)
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迎需求熱潮！三星或追投西安3D NAND廠43億美元
- 據(jù)海外媒體報道，傳三星電子于2017～2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。 Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出，三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進(jìn)行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設(shè)備及人力費(fèi)用。 三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的2
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DSP技術(shù)在EMIF接口中的BOOT方法簡析
- DSP技術(shù)在目前的芯片研發(fā)過程中得到了廣泛應(yīng)用，在之前的文章中，我們曾經(jīng)就DSP在EMIF接口中的應(yīng)用進(jìn)行過簡要分析和探討。今天我們將會接著上一次的討論結(jié)果，來看一下DSP技術(shù)在EMIF接口中的系統(tǒng)BOOT是如何實(shí)現(xiàn)的，下面就讓我們一起來看看吧?！ ≡谶@里我們依舊以TMS320C6722型DSP芯片為例子，來進(jìn)行討論。這種的TMS320C6722型DSP內(nèi)部沒有可寫的ROM，DSP的程序必須存放在外部器件中。當(dāng)TMS320C6722型DSP芯片上電后，必須首先從外部芯片下載程序。本款DSP可以通過SP
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東芝分拆半導(dǎo)體業(yè)務(wù) 提升東芝/西數(shù)陣營的NAND Flash競爭力
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查顯示，東芝公司為提升半導(dǎo)體業(yè)務(wù)競爭力，已正式宣布將在今年三月三十一日前將完成分拆內(nèi)存業(yè)務(wù)。預(yù)期分拆出來的新公司將有更多經(jīng)營彈性及更佳的籌資能力，長期而言對東芝/西數(shù)(Western Digital)電子陣營在NAND Flash產(chǎn)能提升、產(chǎn)品開發(fā)均有所幫助。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，東芝公司這一做法，一方面為的是應(yīng)付日漸沉重的產(chǎn)業(yè)競爭環(huán)境，另一方面是為緩解經(jīng)營壓力，并滿足籌措營運(yùn)資金的需求。從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來看，DRAMeX
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傳SK海力士有意投資東芝新存儲器公司
- 據(jù)報道，東芝(Toshiba)慘虧，將分拆旗下賺錢的半導(dǎo)體部門，成立新公司，賣股籌錢。由于東芝是全球NAND Flash二哥，各方都興趣濃厚。據(jù)傳韓國存儲器大廠SK海力士(SK Hynix)有意投資，借此強(qiáng)化NAND Flash布局。 韓媒BusinessKorea 24日報導(dǎo)，業(yè)界專家表示，SK海力士可能會投資東芝獨(dú)立出來的存儲器公司，取得決定NAND Flash表現(xiàn)的控制器技術(shù)。東芝在NAND市場表現(xiàn)出色，去年第三季市占率為19.8%，僅次于龍頭三星電子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
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新興市場智能手機(jī)需求增 2017年NAND供貨仍吃緊
- 隨著全球?qū)τ谑謾C(jī)、電腦、汽車等消費(fèi)性產(chǎn)品需求持續(xù)增強(qiáng)，NAND FLASH始終處于供不應(yīng)求的情況，特別是印度、印尼及越南等新興智慧手機(jī)市場，當(dāng)?shù)叵M(fèi)者智慧手機(jī)持有率大增，進(jìn)而使得NAND FLASH需求大幅攀升。因此，預(yù)計2017年NAND FLASH全年供貨仍將持續(xù)吃緊，特別是在第2、3季最為嚴(yán)重。 群聯(lián)董事長潘建成表示，預(yù)計NAND FLASH今年將持續(xù)缺貨，特別是在第2、第3季最為明顯，原因在于手機(jī)、電腦、汽車等終端消費(fèi)性產(chǎn)品需求仍舊強(qiáng)勁。因應(yīng)此一情況，有些記憶體業(yè)者將部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)去做3D
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