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2017年中國興建晶圓廠支出金額將超40億美元
- 根據(jù) SEMI (國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會) 的最新研究數(shù)據(jù)表示，當(dāng)前中國正掀起興建晶圓廠的熱潮，預(yù)估 2017 年時，中國興建晶圓廠的支出金額將超過 40 億美元，占全球晶圓廠支出總金額的 70%。而來到2018年，中國建造晶圓廠相關(guān)支出更將成長至 100 億美元，而其中又將以晶圓代工占其總支出的一半以上。 SEMI 中國臺灣地區(qū)產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆指出，2017 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)產(chǎn)值可望達(dá)到 7.2% 的年成長率。其中，存儲為其中成長的關(guān)鍵。而未來 5 年之內(nèi)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍將持續(xù)成長，到了 2
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賽普拉斯子公司AgigA Tech宣布推出符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的DDR4 NVDIMM-N解決方案
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司旗下子公司，高速、高容量和免電池非易失性存儲器解決方案領(lǐng)先提供商AgigA Tech公司今日宣布，正式發(fā)布其符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的AGIGARAM? DDR4 NVDIMM-N系列解決方案。該解決方案與AgigA業(yè)界領(lǐng)先的在JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布之前就已量產(chǎn)的傳統(tǒng)DDR4 NVDIMM產(chǎn)品一起，為最新公布的NVDIMM-N解決方案JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD248和JESD245A)提供了一系列完整的交鑰匙式模塊產(chǎn)品和控制器解決方案?！ g
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存儲器國產(chǎn)化為何選3D NAND作為突破口？
- 在上海一場以“匠心獨運，卓越創(chuàng)芯”為主題的IC技術(shù)峰會上，長江存儲CEO楊士寧先生參會并發(fā)表了題為《發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考》的演講。在演講中，他對為什么選擇發(fā)展存儲、為什么選擇3D NAND Flash作為突破口、還有3D NAND Flash將面臨什么樣的挑戰(zhàn)等問題，作了深刻的分析。 為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè) 在詳細(xì)介紹為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)之前，楊士寧首先對存儲產(chǎn)業(yè)的整體狀況作了一個分析。根據(jù)他的說法，在全球的半導(dǎo)體存儲產(chǎn)品中，NAND 和
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中國集成電路擴(kuò)建之后 降低成本是關(guān)鍵
- 或許是巧合!12月30日，長江存儲的國家存儲器基地與華力二期12英寸生產(chǎn)線這兩個持續(xù)受到業(yè)界關(guān)注的重大項目，同日舉行了開工啟動儀式。 長江存儲是國內(nèi)最大的存儲器項目之一，瞄準(zhǔn)3D NAND技術(shù)，建成后將扭轉(zhuǎn)我國存儲器有市場無產(chǎn)品的窘境;華力微電子12英寸生產(chǎn)線建設(shè)項目則是“909工程”的二次升級改造，將建設(shè)邏輯芯片的代工生產(chǎn)線，建成后將使我國擁有從0.5微米到14納米各工藝節(jié)點的生產(chǎn)平臺，追趕國際先進(jìn)水平。 隨著《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》的推進(jìn)，中國IC業(yè)
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紫光3D儲存型快閃記憶體廠武漢動工 總投資超240億美元
- 中國紫光集團(tuán)宣布，投入快閃記憶體戰(zhàn)場，在武漢興建全球規(guī)模最大廠房，總投資金額超過240億美元，引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。 紫光集團(tuán)董事長趙偉國：“我們在武漢投資兩百四十億美金的芯片工廠，已經(jīng)正式動工，昨天我剛剛在成都，和四川省簽下了兩千億的協(xié)議。我們會在那里投資一個，也是一個超過兩百億美金芯片的工廠” 2016年12月，紫光集團(tuán)趙偉國，布局半導(dǎo)體戰(zhàn)略，先是與成都市、新華集團(tuán)共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，要在四川打造百億云計算中心。 12月30日，紫光宣布動工，興建三座全球最大3
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2017年NAND產(chǎn)能成長有限、價格走揚
- 2017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。 TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究報告顯示，2017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年，而3D-NAND在64層堆疊順利導(dǎo)入OEM系統(tǒng)產(chǎn)品前，也將持續(xù)缺貨，價格有望穩(wěn)健走揚，使NAND Flash原廠營運表現(xiàn)持續(xù)往上。 DRAMeXch
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為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠
- SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設(shè)計外部的建設(shè)，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達(dá)2.2兆韓元(18.4億美金)。 SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長，以及引導(dǎo)向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個半導(dǎo)體工廠需要超過2年，所以提前做好準(zhǔn)備。 SK海力士曾在20
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美光：3D NAND產(chǎn)能總?cè)萘恳迅哂?D 二代3D NAND將進(jìn)入大批量產(chǎn)
- 美國記憶體晶片大廠美光科技(Micron)財務(wù)長Ernie Maddock日前出席Barclays Technology Conference時表示，該公司在3D NAND記憶體生產(chǎn)上已取得重要歷程碑。 科技網(wǎng)站AnandTech報導(dǎo)，Maddock表示，雖然目前2D NAND晶片生產(chǎn)數(shù)量仍高于3D，但就記憶體總?cè)萘慷裕?D NAND產(chǎn)能的總?cè)萘恳迅哂?D產(chǎn)品。 據(jù)悉，美光2D和3D NAND生產(chǎn)采用完全不同的技術(shù)。 2D NAND生產(chǎn)依賴于光刻(lithography)技術(shù)，3D NA
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美光第二代3D NAND年底大規(guī)模量產(chǎn)
- 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存，第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期，堆棧層數(shù)達(dá)到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。 對于3D NAND閃存，我們并不陌生，現(xiàn)在市場上很多SSD都轉(zhuǎn)向了3D NAND閃存，不論是性能還是容量或者是寫入壽命，3D NAND閃存都要比傳統(tǒng)2
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
?NAND缺口達(dá)顛峰 推升SSD價漲逾10%
- DRAMeXchange最新研究顯示，受惠于強(qiáng)勁的智慧型手機(jī)出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩(wěn)健成長，第四季NAND Flash缺貨情況達(dá)今年最高峰，各產(chǎn)品別價格續(xù)創(chuàng)年度新高，預(yù)估缺貨態(tài)勢將持續(xù)至2017年第1季，屆時企業(yè)級與用戶級SSD合約價漲幅將超過10%，行動式相關(guān)產(chǎn)品的eMMC/UFS價格漲幅將更高。 今年第四季NAND Flash通路端顆粒與wafer價格創(chuàng)下年度新高、eMMC/UFS合約價季漲幅9～13%，企業(yè)級與用戶級SSD合約價也上漲5～10%。 DRAM
- 關(guān)鍵字： ?NAND SSD
不甘心三星拿下NAND市場最大份額 Intel推出市場最低價產(chǎn)品
- 三星在手機(jī)市場遭遇一定挫折，不過由于全球手機(jī)的出貨量成長以及對更大容量的內(nèi)存和存儲的需求卻讓它在NAND Flash市場成為大贏家，據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示營收同比增長20.6%，市占率提升到36.6%創(chuàng)下新高。 目前3D NAND技術(shù)正日益受到各方的歡迎，由于它相較2D NAND技術(shù)可以提供提高存儲器的容量及寬度，在采用更低工藝的情況下卻可以提供遠(yuǎn)比工藝更高2D NAND技術(shù)數(shù)倍容量，例如采用16nm工藝的2D NAND存儲器容量為64GB，而采用21nm工藝的三星 48層3D NAN
- 關(guān)鍵字： Intel NAND
三星Q3穩(wěn)居全球NAND市占王，東芝開倒車、被遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩開
- 三星憑藉著技術(shù)優(yōu)勢，NAND快閃存儲器市占率逐季甩開東芝等競爭者的糾纏，龍頭位置越座越穩(wěn)。 市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新數(shù)據(jù)顯示，三星第三季NAND存儲器營收來到37.44億美元，市占率較前季進(jìn)步0.3個百分點至36.6%。(韓國經(jīng)濟(jì)日報) 同期間，東芝NAND存儲器營收為20.26億美元，市占率較前季下滑0.3個百分點成為19.6%，落后三星幅度從前季的16.2%擴(kuò)大至16.8%，此為歷史新高水平。 剛完成并購SanDisk的Western Digital市占率達(dá)17.1%
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
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