arm匯編u-boot-nand-spl啟動過 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動過技術(shù)社區(qū)
傳三星今年資本支出較去年增長85.6%達(dá)219.5億美元
- 三星登上全球半導(dǎo)體龍頭，不惜砸重金投入研發(fā)，傳今年資本支出將大幅增加逾 10 兆韓圜。 新韓投資(Shinhan Investment Corp)日前發(fā)布報告預(yù)測，三星今年半導(dǎo)體資本支出將擴增至 24.5 兆韓圜(約 219.5 億美元)，較 2016 年成長 85.6%，且將超越 2015 年的 14.7 兆韓圜成為三星史上新高。 存儲器目前供不應(yīng)求，也是三星今年布局的重點，預(yù)料將占據(jù)資本支出的一半左右。據(jù)新韓分析師預(yù)測，光是 NAND 快閃存儲器，三星就將砸下 12.05 兆韓圜(約
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3D NAND延續(xù)摩爾定律 電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵
- DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項重要技術(shù)。 3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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2019量產(chǎn)64層NAND閃存 紫光絕不讓員工竊取前公司機密
- 國產(chǎn)手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國內(nèi)市場份額)，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。為了讓國產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展，不少公司都在努力。挖來臺灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長江存儲開始全速狂飆。 近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。對于目前行業(yè)的現(xiàn)狀，高啟全強調(diào)國內(nèi)公司應(yīng)該臺灣公司在存儲芯片上應(yīng)該合作，因為大家的最大
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紫光2019年要量產(chǎn)64層NAND閃存 打破韓企壟斷
- 國產(chǎn)手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國內(nèi)市場份額)，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。為了讓國產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展，不少公司都在努力。挖來臺灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長江存儲開始全速狂飆。 近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。 對于目前行業(yè)的現(xiàn)狀，高啟全強調(diào)國內(nèi)公司應(yīng)該臺灣公司在存儲芯片上應(yīng)該合作，因為大
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韓國3D NAND閃存三季度有望占全球一半市場
- 市場調(diào)查機構(gòu)DRAMeXchange近日發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。 閃存是指在斷電情況下仍能存儲數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體，主要用于智能手機等移動終端的周邊裝置。3D NAND在2D NAND的基礎(chǔ)上，增加了回路垂直排列，大大提高了性能和容量。新一代韓產(chǎn)3D NAND將陸續(xù)上市，三星電子和美光科技(Micron)等企業(yè)于今年二季度起量產(chǎn)64層3D NAND，SK海力士將于三季度在全球最先推出72層的3
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新世代內(nèi)存陸續(xù)小量產(chǎn) 商品化指日可待
- 內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產(chǎn)品。 不過，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數(shù)相對有限的先天限制，因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu)，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性 根據(jù)研究機構(gòu)Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存，都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不過
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全球3D NAND大軍技術(shù)對決 下半年產(chǎn)出可望大增
- 2017年將是3D NAND Flash應(yīng)用市場快速崛起的關(guān)鍵年，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)等陸續(xù)推出具競爭力的64層3D NAND Flash加入競局，SK海力士(SK Hynix)更一舉跳到72層3D NAND Flash技術(shù)以求突圍，由于新舊技術(shù)轉(zhuǎn)換，良率仍不穩(wěn)定，加上固態(tài)硬碟(SSD)需求起飛，造成NAND Flash市場大缺貨，業(yè)者預(yù)期2017年下半產(chǎn)出可望大增，全面開啟3D NAND Flash時代。 三星在2
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機構(gòu):DRAM與NAND FLASH價格下半年將下降
- Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn)，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價格會在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個相對低點。 Gartner 表示，自 2016 年中期以來，隨著 NAND Flash 的漲價，SSD 的每字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。 不過，這種上漲趨勢將在本季達(dá)到頂峰。 其原因在于中國廠商大量投入生產(chǎn)的結(jié)果，在產(chǎn)能陸續(xù)開出后，市場價格就一反過去的漲勢，開始出現(xiàn)下跌的情況。 Gart
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乘上存儲芯片漲價潮 美光Q2業(yè)績超預(yù)期
- 北京時間3月24日上午消息，由于供應(yīng)趨緊和需求旺盛導(dǎo)致存儲芯片價格上升，美光科技預(yù)計當(dāng)前季度的營收和利潤遠(yuǎn)超分析師預(yù)期。該公司第二財季利潤也超出分析師預(yù)期，促使其股價在周四盤后交易中大漲9.4%。 由于各大企業(yè)都在爭相開發(fā)體積更小、效率更高的芯片，引發(fā)了供應(yīng)瓶頸，但與此同時，智能手機、人工智能、無人駕駛汽車和物聯(lián)網(wǎng)的數(shù)據(jù)存儲需求卻在飆升，導(dǎo)致全球存儲芯片制造商正在經(jīng)歷分析師所謂的“超級周期”。 美光科技周四表示，該公司的DRAM芯片第二季度漲價21%，此前一個季度已
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三星 3D NAND 快閃存儲器新廠上半年投產(chǎn)
- 三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進(jìn)度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。 三星新芯片廠于 2015 年動土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項目。據(jù)三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。 新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器?？扉W存儲器可取代傳統(tǒng)硬盤，并廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機、智能手機與其他 USB 界面儲存設(shè)備。 市調(diào)機構(gòu) DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲
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