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          羅姆SiC評估板測評:基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術(shù)研究

          • 感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板,有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺就是扎實,評估板四層PCB的板子厚度達到了30mm;高壓區(qū)域也有明顯的標識。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

          SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)解析

          • 本文將對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進行介紹。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  

          碳化硅MOSFET晶體管的特征

          • 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一直在進行各種改良。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  

          SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

          • 本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進行說明。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  SBD  

          SiC-SBD與Si-PND的反向恢復特性比較

          • 反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù),所以不僅要比較trr的數(shù)值,還要理解其波形和溫度特性,這樣有助于有效使用二極管。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  SBD  

          SiC肖特基勢壘二極管的特征,及與Si二極管的比較

          • 繼SiC功率元器件的概述之后,將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  SiC  SBD  肖基特二極管  

          SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

          • SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  

          什么是碳化硅?SiC的特性和特征

          • 碳化硅(SiC)是比較新的半導體材料。本文來了解一下它的物理特性和特征。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  

          ST先進SiC牽引電機逆變器解決方案

          • 意法半導體(ST)作為全球領(lǐng)先的汽車半導體供應(yīng)商之一,多年前就開始布局新能源汽車領(lǐng)域,在2019年正式成立新能源車技術(shù)創(chuàng)新中心,推出了SiC牽引電機逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全IS026262標準流程開發(fā),滿足ASIL D等級。基于AutoSAR的軟件架構(gòu)和模型化的軟件算法,為客戶前期方案評估和后續(xù)開發(fā)提供了便利,大大縮短了整個研發(fā)周期。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  牽引逆變器  

          ST第三代碳化硅技術(shù)問世 瞄準汽車與工業(yè)市場應(yīng)用

          • 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI說明,從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長,我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實現(xiàn)這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標。?圖二圖三顯示的是一些關(guān)于如何利用電力科技實現(xiàn)各種節(jié)能目標的具體數(shù)據(jù),圖中是對全球電力消耗狀況的統(tǒng)計。僅就工業(yè)領(lǐng)域來說,如果能將電力利用效率提升1%,
          • 關(guān)鍵字: ST  碳化硅  汽車  工業(yè)  SiC  

          ST:發(fā)展碳化硅技術(shù) 關(guān)鍵在掌控整套產(chǎn)業(yè)鏈

          • 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI指出,由于全球能源需求正在不斷成長,我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實現(xiàn)這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標。 意法半導體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領(lǐng)域來說,如果能將電力利用效率提升1%,就能節(jié)省95.
          • 關(guān)鍵字: ST  GaN  SiC  

          環(huán)旭電子預計在2022量產(chǎn)電動車用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊

          • 搭配電動車市場的快速成長,近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導體國際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試,近期獲得相當多歐美與日系客戶青睞,預計在2022正式量產(chǎn)電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據(jù)調(diào)研機構(gòu)Canalys的報告指出,2021年上半年全球電動車銷量為260萬輛,與去年同期相比大幅成長160%,成長率遠高于全球整體汽車市場的26%。電動汽車市場成長帶動關(guān)鍵功率半導體組件和模塊需求,其中第三代半導體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
          • 關(guān)鍵字: 環(huán)旭電子  電動車用逆變器  IGBT  SiC  電源模塊  

          環(huán)旭電子預計2022量產(chǎn)電動車用逆變器用IGBT與SiC電源模塊

          • 搭配電動車市場的快速成長,近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導體國際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試,近期獲得相當多歐美與日系客戶青睞,預計在2022正式量產(chǎn)電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據(jù)調(diào)研機構(gòu)Canalys的報告指出,2021年上半年全球電動車銷量為260萬輛,與去年同期相比大幅成長160%,成長率遠高于全球整體汽車市場的26%。電動汽車市場成長帶動關(guān)鍵功率半導體組件和模塊需求,其中第三代半導體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
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          Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列

          • 基礎(chǔ)半導體元器件領(lǐng)域的專家Nexperia,今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管,正式進軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應(yīng)商Nexperia而言是一項戰(zhàn)略性舉措,旨在擴展高壓寬禁帶半導體器件產(chǎn)品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級器件,重復反向峰值電壓為650V(VRRM),持續(xù)正向電流為10A(IF),旨在為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用實現(xiàn)超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝,使該系列
          • 關(guān)鍵字: Nexperia  碳化硅  SiC  二極管  

          Qorvo?收購領(lǐng)先的碳化硅功率半導體供應(yīng)商UnitedSiC公司

          • 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?,Inc.(納斯達克代碼:QRVO)今天宣布,已收購位于新澤西州普林斯頓領(lǐng)先碳化硅(SiC)功率半導體供應(yīng)商UnitedSiC公司。對UnitedSiC的收購擴大了Qorvo在快速增長的電動汽車(EV)、工業(yè)電源、電路保護、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源市場的影響力。UnitedSiC公司將成為Qorvo基礎(chǔ)設(shè)施和國防產(chǎn)品(IDP)業(yè)務(wù)之一,將由Chris Dries博士領(lǐng)導,他曾是UnitedSiC公司的總裁兼首席執(zhí)行官,現(xiàn)任Qorv
          • 關(guān)鍵字: SiC  電源  
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