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SiC: 為何被稱為是新一代功率半導(dǎo)體?
- 王?瑩?(《電子產(chǎn)品世界》編輯,北京?100036) SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體,以耐高壓、高溫和高頻,在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢(shì)。據(jù)SiC廠商羅姆基于IHS的調(diào)查顯示,2025年整個(gè)市場規(guī)模將達(dá)到約23億美元。在應(yīng)用中,在光伏和服務(wù)器市場最大,正處于發(fā)展中的市場是xEV(電動(dòng)與混動(dòng)汽車)。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好,在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會(huì)得到更多的應(yīng)用。 不過,制約SiC發(fā)展的關(guān)鍵是價(jià)格,主要原因有兩個(gè):襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大,成本也會(huì)相應(yīng)地下降,羅姆等公司已經(jīng)有6英
- 關(guān)鍵字: 201909 新一代功率半導(dǎo)體 SiC
SiC將達(dá)23億美元規(guī)模,技術(shù)精進(jìn)是主攻方向
- ? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體,以耐高壓、高溫和高頻,在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢(shì)。在應(yīng)用中,在光伏和服務(wù)器市場最大,正處于發(fā)展中的市場是xEV(電動(dòng)與混動(dòng)汽車)。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好,在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會(huì)得到更多的應(yīng)用。? ? ? 不過,制約SiC發(fā)展的,最主要的是價(jià)格,主要原因有兩個(gè),一個(gè)是襯底,一個(gè)是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大,成本也會(huì)相應(yīng)地下降,ROHM等公司已經(jīng)有6英寸的晶圓片。在技術(shù)方面,眾廠商競爭
- 關(guān)鍵字: SiC MOSFET
德州儀器推出業(yè)界新款集成了CAN FD控制器和收發(fā)器的系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片
- CAN FD通信協(xié)議是基于原始CAN總線標(biāo)準(zhǔn)(又稱為“經(jīng)典CAN”)而設(shè)計(jì)的,有助于確保多種車載網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)傳輸率和吞吐量在繼續(xù)演進(jìn)的同時(shí),汽車微控制器和連接的系統(tǒng)能夠以各種速率高效通信。
- 關(guān)鍵字: 德州儀器 CAN FD控制器 系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片
看好CAN FD車載網(wǎng)絡(luò)前景,TI發(fā)布系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片
- ? ? ? CAN FD是一種通信協(xié)議,主要用于車載網(wǎng)絡(luò),是CAN總線標(biāo)準(zhǔn)的升級(jí)版。自2019年以來,包括中國在內(nèi)的車廠、一級(jí)經(jīng)銷商(Tier 1)等,紛紛提出了對(duì)CAN FD芯片的需求。而在2019年以前,CAN FD幾乎無人問津。究其原因,新能源汽車和自動(dòng)駕駛汽車對(duì)總線帶寬的需求不斷上升。照片:TI接口產(chǎn)品部門產(chǎn)品線經(jīng)理Charles Sanna? ? ? CAN FD的芯片用量非??捎^,如果一輛汽車全部采用CAN FD,可能傳統(tǒng)車需要二十個(gè)
- 關(guān)鍵字: CAN FD
CAN總線冷知識(shí)-邊沿臺(tái)階是怎么來的?
- 你了解CAN總線波形嗎?你知道是什么因素造成CAN信號(hào)不穩(wěn)定的嗎?本文將帶你探究影響CAN波形穩(wěn)定的罪魁禍?zhǔn)住呇嘏_(tái)階。阻抗匹配是指信號(hào)源或者傳輸線跟負(fù)載之間達(dá)到一種適合的搭配,阻抗匹配主要為了調(diào)整負(fù)載功率和抑制信號(hào)反射;然而,阻抗不匹配的現(xiàn)象在CAN總線網(wǎng)絡(luò)中隨處可見;如圖1所示,阻抗不匹配的將造成7個(gè)現(xiàn)象,其中最受關(guān)注的為上升沿和下降沿的臺(tái)階;下文將針對(duì)邊沿臺(tái)階的現(xiàn)象做詳細(xì)介紹。圖1 阻抗不匹配波形解釋邊沿臺(tái)階是怎么出現(xiàn)的,如何消除,對(duì)總線有何影響;一、邊沿臺(tái)階的源頭在CAN總線的網(wǎng)絡(luò)布
- 關(guān)鍵字: CAN 通信 致遠(yuǎn)電子
更小體積!SMD封裝CAN/RS485/RS232工業(yè)總線隔離收發(fā)模塊
- 一、產(chǎn)品簡介? ? ? 金升陽近期推出高性價(jià)比、SMD封裝、小體積CAN/RS485/RS232隔離總線收發(fā)器——TDx31SCANH(FD)、TDx31S485(H/H-E/H-A)、TDx31S232H系列,協(xié)助電力、工控、交通(軌道、汽車)、儀器儀表等行業(yè)的客戶實(shí)現(xiàn)信號(hào)精準(zhǔn)地橋接。該系列進(jìn)行了產(chǎn)品性能的升級(jí),并提升了工藝制程及可靠性。? ? ? 該系列產(chǎn)品的加工采用全貼片工藝,客戶可輕松實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化加工,大大降低加工成本。產(chǎn)品的體積L*W*H
- 關(guān)鍵字: SMD封裝 金升陽 CAN/RS485/RS232
基于UDS的CAN節(jié)點(diǎn)軟件升級(jí)設(shè)計(jì)
- Design of CAN node software ypdate based on UDS馬建輝 123 ,慕永云 123 ,侯冬冬 123 ,胡代榮 123 ,朱亮 1(1.齊魯工業(yè)大學(xué)(山東省科學(xué)院),山東 濟(jì)南,250353;2.山東省科學(xué)院自動(dòng)化研究所,山東 濟(jì)南,250014;3.山東省汽車電子技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,山東 濟(jì)南,250014)?????? 摘要:汽車CAN節(jié)點(diǎn)軟件升級(jí)過程中大量頻繁的CAN通信造成網(wǎng)絡(luò)負(fù)載率升高,可能導(dǎo)致大
- 關(guān)鍵字: 201904 CAN節(jié)點(diǎn) 軟件升級(jí) UDS on CAN Bootloader 多幀通信
CAN一致性測試最重要的幾個(gè)測試項(xiàng)是什么?
- CAN一致性測試在于縮小CAN網(wǎng)絡(luò)中節(jié)點(diǎn)差異,保證CAN網(wǎng)絡(luò)的環(huán)境穩(wěn)定,有效提高CAN網(wǎng)絡(luò)的抗干擾能力。因此CAN節(jié)點(diǎn)的一致性測試就顯得尤為重要?! ‰S著新能源、智能網(wǎng)聯(lián)等概念發(fā)展,車身CAN總線環(huán)境變得復(fù)雜及紊亂,CAN節(jié)點(diǎn)質(zhì)量不穩(wěn)定給主機(jī)廠安全性帶來極大威脅。所以,CAN一致性測試已成為保證CAN網(wǎng)絡(luò)安全運(yùn)行的重要手段,CAN一致性測試內(nèi)容覆蓋了物理層、鏈路層、應(yīng)用層等測試需求,如表1 CAN一致性測試內(nèi)容(節(jié)選)所示;其中包括了輸入閾值、輸出電壓、采樣點(diǎn)、位寬容忍度重點(diǎn)測試項(xiàng)目?! ”?
- 關(guān)鍵字: CAN,CANDT
SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個(gè)機(jī)型, 產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個(gè)機(jī)型,該系列產(chǎn)品支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※2),而且產(chǎn)品陣容豐富,擁有13個(gè)機(jī)型?! OHM于2010年在全球率先成功實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的量產(chǎn),在SiC功率元器件領(lǐng)域,ROHM始終在推動(dòng)領(lǐng)先的產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)體制構(gòu)建。在需求不斷擴(kuò)大的車載市場,ROHM也及時(shí)確立車載品質(zhì),并于2012年開始供應(yīng)車載充電器用的SiC肖特
- 關(guān)鍵字: ROHM SiC MOSFET
安森美半導(dǎo)體將在APEC 2019演示 用先進(jìn)云聯(lián)接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案
- 2019年3月14日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開發(fā)平臺(tái)支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡易評(píng)估應(yīng)用廣泛的電源方案,使用戶能在一個(gè)具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統(tǒng)方案的選擇范圍,且在采購硬件和完成設(shè)計(jì)之前對(duì)系統(tǒng)性能有信心?! trata Developer S
- 關(guān)鍵字: 安森美 SiC
采樣點(diǎn)測試的原理和設(shè)計(jì)
- 采樣點(diǎn)是接收節(jié)點(diǎn)判斷信號(hào)邏輯的位置,采樣點(diǎn)對(duì)CAN總線來說極其重要,尤其是在組網(wǎng)的時(shí)候,多個(gè)節(jié)點(diǎn)盡量保持同一個(gè)采樣點(diǎn),若網(wǎng)絡(luò)中節(jié)點(diǎn)采樣點(diǎn)不一致會(huì)導(dǎo)致同樣的采樣頻率出現(xiàn)采樣錯(cuò)誤,進(jìn)而會(huì)使整個(gè)網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)故障?! ?1 采樣點(diǎn)的規(guī)則及原理 CAN 協(xié)議里將一個(gè)位時(shí)間分為同步段、傳播段、相位緩沖段 1 和相位緩沖段 2。這些段又由稱之為Time Quantum(以下稱為Tq)的最小時(shí)間單位構(gòu)成。1位由多少個(gè)Tq構(gòu)成、每個(gè)段由多少個(gè)Tq構(gòu)成等是可以設(shè)定的。通過設(shè)置bit時(shí)序,使得可以設(shè)定一個(gè)采樣點(diǎn)以使總線上
- 關(guān)鍵字: CAN 采樣點(diǎn)
集邦咨詢:需求持續(xù)擴(kuò)張,2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾2,900億元
- Mar. 7, 2019 ---- 全球市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢?cè)谧钚隆吨袊雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》中指出,受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià),帶動(dòng)了2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣,較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣,較2017年同比增長8%?! 〖钭稍兎治鰩熤x瑞峰指出,功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動(dòng)型的產(chǎn)業(yè),2019年
- 關(guān)鍵字: IGBT SiC
CAN一致性測試隔離和非隔離供電的電路區(qū)別
- 汽車電子中有隔離和非隔離DUT,常用于在與發(fā)動(dòng)機(jī)、BMS等容易產(chǎn)生瞬時(shí)高壓的設(shè)備部分會(huì)采用隔離的通訊連接,隔離DUT的目的是為防止電磁干擾影響DUT通信信號(hào)以及瞬時(shí)高壓脈沖損壞DUT;而非隔離DUT,則常用于與低壓車載電子設(shè)備的通信。根據(jù)DUT類型,CANDT設(shè)計(jì)兩種供電模式,隔離供電與非隔離供電,本文與讀者淺談隔離與非隔離電路原理和接線方式的區(qū)別,以及其對(duì)測試的影響。常見的CAN設(shè)備分為隔離和非隔離兩類?! ∫?、隔離供電DUT設(shè)備 隔離ECU內(nèi)部的收發(fā)器和控制器之間有隔離模塊(包括數(shù)字隔離芯片和隔
- 關(guān)鍵字: CAN DUT
碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
- 關(guān)鍵字: 碳化硅(SiC)MOSFET 短路 熱模型
Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器,可最大程度提高效率及安全性
- 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器,可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動(dòng)級(jí)。新品件經(jīng)過設(shè)定后可支持不同的門極驅(qū)動(dòng)電壓,來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應(yīng)用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅(qū)動(dòng)器、電焊機(jī)和電源?! IC1182K可在125°C結(jié)溫下提供8
- 關(guān)鍵字: Power Integrations SiC-MOSFET
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