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          ADI用于Microsemi SiC功率模塊的隔離驅動器板加快產(chǎn)品上市時間
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日聯(lián)合推出市場首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評估板，在200kHz開關頻率時該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設計旨在提高設計可靠性，同時減少創(chuàng)建額外原型的需求，為電源轉換和儲能客戶節(jié)省時間、降低成本并縮短上市時間。ADI公司和Microsemi將在2018年3月4日至8日于美國得克薩斯州圣安東尼奧舉行的APEC 2018展會上展示該評估
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          • 關鍵字：
                        ADI  SiC                          
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          安森美半導體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統(tǒng)成本
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體?(ON?Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)推出最新650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術提供更高的開關性能、更低的功率損耗，并輕松實現(xiàn)器件并聯(lián)?！　“采腊雽w最新發(fā)布的650?V?SiC?二極管系列提供6安培(A)到50?A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復、低正向壓、不受溫度影響的電流穩(wěn)定性、高浪涌容
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          • 關鍵字：
                        安森美  SiC                          
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          納微半導體將在中國臺灣的電源設計技術論壇活動上
          
                                                            
            
                    	
          • 　　納微 (Navitas)半導體宣布其現(xiàn)場應用及技術營銷總監(jiān)黃萬年將在2018年1月30日于中國臺北舉辦的“2018前瞻電源設計與功率組件技術論壇”上發(fā)表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實現(xiàn)下一代電源適配器設計”的主題演講。他將分享如何利用業(yè)內(nèi)首個及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統(tǒng)中顯著提高速度、效率和密度的嶄新見解。納微是這項活動的銀級贊助商，該活動為具有創(chuàng)新性的制造商、合作伙伴及客戶提供了一個交互論壇，以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專業(yè)知識。　　黃萬年
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          • 關鍵字：
                        納微  SiC                          
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          ROHM贊助上海同濟大學“DIAN Racing”電動方程式車隊
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　近年來，出于地球溫室化對策和減少空氣污染的考慮，對汽車的環(huán)保性能要求越來越高。世界各國均已制定了新能源汽車的開發(fā)和引進計劃，未來新能源汽車的普及將會進一步加速。其中，中國新能源汽車市場發(fā)展勢頭最為迅猛。隨著中國新能源汽車市場的迅速壯大和新能源汽車技術的快速發(fā)展，越來越多的中國新能源汽車品牌開始走出國門，投身到波瀾壯闊的世界新能源汽車市場?！　∽鳛槿蛑雽w制造商， ROHM一直以來都將汽車市場為主要目標領域，通過開發(fā)并提供SiC元器件、電源IC、控制IC等滿足最新汽車電子化需求的創(chuàng)新型高
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          • 關鍵字：
                        ROHM  SiC                          
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          電動汽車打開應用窗口：SiC產(chǎn)品要來了！
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 隨著技術的不斷更新?lián)Q代，以及電動汽車市場的巨大助力，SiC產(chǎn)品有望迎來快速增長期。
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          • 關鍵字：
                        電動汽車  SiC                          
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          我國第三代半導體材料制造設備取得新突破
          
                                                            
            
                    	
          • 　　近日，863計劃先進制造技術領域“大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究”課題通過了技術驗收。
　　通常，國際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱之為第三代半導體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，由于第三代半導體材料的制造裝備對設備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場分布、設備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質量和成品率的關鍵技術有很高的
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          • 關鍵字：
                        半導體  SiC                          
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          在高頻直流—直流轉換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　摘要　　本文評測了主開關采用意法半導體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結果證明，新SiC碳化硅開關管提升了開關性能標桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設計影響較大?！　∏把浴　∈袌鰧﹂_關速度、功率、機械應力和熱應力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限?！　拵栋雽w器件因電、熱、機械等各項性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好，被認為是硅半導體器件的替代技術。在這些新材料中，兼容硅
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  SiC                          
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          制造能耗變革從新一代半導體開始
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　接近62%的能源被白白浪費
　　美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說，而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關注到了汽車減重設計，本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關注點同樣在于能源的問題。這是一個關于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。
　　

　　圖1：整體的能源轉換效率約在38
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          • 關鍵字：
                        SiC  GaN                          
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          ROHM SiC在汽車領域的應用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 近年來，SiC(碳化硅)因其優(yōu)異的節(jié)能效果和對產(chǎn)品小型化、輕量化的貢獻，在新能源汽車、城市基礎設施、環(huán)境/能源，以及工業(yè)設備領域的應用日益廣泛。與同等額定電流的IGBT產(chǎn)品相比，SiC產(chǎn)品憑借更低的開關損耗，可實現(xiàn)設備中冷卻機構的小型化。同時，通過更高頻率的開關動作，還可實現(xiàn)線圈和電容器等周邊元器件的小型化。可見，SiC是可以同時實現(xiàn)設備節(jié)能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。
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          • 關鍵字：
                        ROHM  SiC  汽車                          
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          走過疑慮 SiC器件終迎春天
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在經(jīng)過多年的疑慮和猶豫之后，SiC器件終于迎來了春天。
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          • 關鍵字：
                        SiC  Cree                          
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          1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • SiC在電源轉換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當然，要進行大批量生產(chǎn)，逆變器除了靜態(tài)和動態(tài)性能之外，還必須具備適當?shù)目煽啃裕约白銐虻拈撝惦妷汉鸵詰脼閷虻亩搪纺褪苣芰Φ?。可與IGBT兼容的VGS=15V導通驅動電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
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          • 關鍵字：
                        電源轉換器  SiC  MOSFET  逆變器  201707                          
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          SiC集成技術的生物電信號采集方案設計
          
                                                            
            
                    	
          •  人體信息監(jiān)控是一個新興的領域，人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了.
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          • 關鍵字：
                        SiC  集成技術  生物電信號  采集方案                          
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          基于SiC集成技術的生物電信號采集方案
          
                                                            
            
                    	
          • 人體信息監(jiān)控是一個新興的領域，人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何
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          • 關鍵字：
                        EEG  SiC  生物電信號采集  IMEC                          
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          第三代半導體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件
          
                                                            
            
                    	
          • GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
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          • 關鍵字：
                        GaN  SiC  第三代半導體材料                          
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          ROHM全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容更強大！支持1200V 400A（BSM400D12P3G002）、600A（BSM600D12P3G001），有助于大功率應用的高效化與小型化
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　<概要>　　全球知名半導體制造商ROHM面向工業(yè)設備用的電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉換器，開發(fā)出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”。　　本產(chǎn)品通過ROHM獨有的模塊內(nèi)部結構及散熱設計優(yōu)化，實現(xiàn)了600A額定電流，由此，在工業(yè)設備用大容量電源等更大功率產(chǎn)品中的應用成為可能。另外，與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比，開關損耗降低了64%(芯片溫度150℃時)，這非常有助于應
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          • 關鍵字：
                        ROHM  SiC                          
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