cmos finfet 文章進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)

cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲(chǔ)功能的傳感器架構(gòu)

cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲(chǔ)功能的傳感器架構(gòu)-依靠憶阻器執(zhí)行像素級(jí)自適應(yīng)背景提取算法的成像傳感器架構(gòu),與全cmos成像傳感器相比，基于憶阻器的解決方案可取得更小的像素間距和非易失性存儲(chǔ)功能，讓設(shè)計(jì)人員能夠使用可編程時(shí)間常數(shù)建立圖像背景模型。
關(guān)鍵字： cmos 憶阻器傳感器

ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標(biāo)

ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標(biāo)-CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料，因而受光后產(chǎn)生電子的基本原理相同，但是讀取過(guò)程不同：CCD 是在同步信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)的配合下以幀或行的方式轉(zhuǎn)移，整個(gè)電路非常復(fù)雜，讀出速率慢；CMOS 則以類似 DRAM的方式讀出信號(hào)，電路簡(jiǎn)單，讀出速率高。
關(guān)鍵字： ccd cmos 圖像傳感器

圖像傳感器原理及分類

圖像傳感器原理及分類-圖像傳感器是各種工業(yè)及監(jiān)控用相機(jī)、便攜式錄放機(jī)、數(shù)碼相機(jī)，掃描儀等的核心部件。目前，這個(gè)快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)現(xiàn)在已經(jīng)延伸到了玩具、手機(jī)、PDA、汽車和生物等領(lǐng)域。
關(guān)鍵字：圖像傳感器 CCD CMOS

詳解先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝之FinFET

詳解先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝之FinFET-FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。
關(guān)鍵字： FinFET 半導(dǎo)體工藝

三星推11納米FinFET，宣布7nm將全面導(dǎo)入EUV

　　隨著臺(tái)積電宣布全世界第一個(gè) 3 奈米制程的建廠計(jì)劃落腳臺(tái)灣南科之后，10 奈米以下個(gè)位數(shù)制程技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)就正式進(jìn)入白熱化的階段。臺(tái)積電的對(duì)手三星 29 日也宣布，將開(kāi)始導(dǎo)入 11 奈米的 FinFET，預(yù)計(jì)在 2018 年正式投產(chǎn)之外，也宣布將在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 極紫外線光刻設(shè)備。　　根據(jù)三星表示，11 奈米 FinFET 制程技術(shù)「11LPP (Low Power Plus)」是現(xiàn)今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，
關(guān)鍵字：三星 FinFET

FD SOI生態(tài)持續(xù)完善，與FinFET分庭抗禮局勢(shì)形成

　　FD SOI技術(shù)在物聯(lián)網(wǎng)蓬勃發(fā)展的大環(huán)境下，以其低功耗、集成射頻和存儲(chǔ)、高性能等優(yōu)勢(shì)獲得業(yè)界各方重視;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等為代表的企業(yè)的推動(dòng)下，該產(chǎn)業(yè)鏈正逐步得到完善。此外，在中國(guó)大力發(fā)展集成電路的當(dāng)口，F(xiàn)D-SOI技術(shù)還給中國(guó)企業(yè)帶去更多的發(fā)展空間和機(jī)遇，如何充分利用FD-SOI技術(shù)優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)差異化創(chuàng)新成了眾IC設(shè)計(jì)企業(yè)的探討重點(diǎn)。此外，5G網(wǎng)絡(luò)與物聯(lián)網(wǎng)的不斷進(jìn)化，對(duì)RF技術(shù)革新的強(qiáng)烈需求，對(duì)RF SOI技術(shù)帶來(lái)更廣大的市場(chǎng)前景。　　FD SOI生態(tài)系統(tǒng)逐步完
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格芯發(fā)布為IBM系統(tǒng)定制的14納米FinFET技術(shù)

　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務(wù)器系統(tǒng)處理器定制的量產(chǎn)14納米高性能(HP)技術(shù)。這項(xiàng)雙方共同開(kāi)發(fā)的工藝專為IBM提供所需的超高性能和數(shù)據(jù)處理能力，從而在大數(shù)據(jù)和認(rèn)知計(jì)算的時(shí)代為IBM的云、商業(yè)和企業(yè)解決方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z產(chǎn)品?！　?4HP是業(yè)內(nèi)唯一將三維FinFET晶體管架構(gòu)結(jié)合在SOI襯底上的技術(shù)。該技術(shù)采用了17層金屬層結(jié)構(gòu)，每個(gè)芯片上有80多億個(gè)晶體管，通過(guò)嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)以及其它創(chuàng)新功能，達(dá)到比前代
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格芯為高性能應(yīng)用推出全新12納米 FinFET技術(shù)

　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計(jì)劃推出全新12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導(dǎo)體制造工藝。該技術(shù)預(yù)計(jì)將提高當(dāng)前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能，同時(shí)滿足從人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)到高端智能手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等最具計(jì)算密集型處理需求的應(yīng)用?！　∵@項(xiàng)全新的12LP技術(shù)與當(dāng)前市場(chǎng)上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高了15%，性能提升超過(guò)10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠的12納米 FinFET產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)。這項(xiàng)技術(shù)
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電路設(shè)計(jì)常用接口類型說(shuō)明

本文主要對(duì)電路設(shè)計(jì)常用接口類型進(jìn)行了簡(jiǎn)要說(shuō)明，下面一起來(lái)學(xué)習(xí)一下：　　(1)TTL電平接口：　　這個(gè)接口類型基本是老生常談的吧，從上大學(xué)學(xué)習(xí)模擬電路、數(shù)字電路開(kāi)始，對(duì)于一般的電路設(shè)計(jì)，TTL電平接口基本就脫不了“干系”!它的速度一般限制在30MHz以內(nèi)，這是由于BJT的輸入端存在幾個(gè)pF的輸入電容的緣故(構(gòu)成一個(gè)LPF)，輸入信號(hào)超過(guò)一定頻率的話，信號(hào)就將“丟失”。它的驅(qū)動(dòng)能力一般最大為幾十個(gè)毫安。正常工作的信號(hào)電壓一般較高，要是把它和信號(hào)電壓較低的ECL電路接近時(shí)會(huì)產(chǎn)生比較明顯的串?dāng)_問(wèn)題。
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關(guān)于TTL電平、CMOS電平和EIA電平的一些總結(jié)

　　手機(jī)串口一般是CMOS電平，當(dāng)把a(bǔ)ndroid手機(jī)當(dāng)做開(kāi)發(fā)板上的一個(gè)器件(比如利用android系統(tǒng)自帶的GPRS模塊，wifi模塊，語(yǔ)音視頻模塊等等)看待時(shí)，常常會(huì)涉及到自己重寫(xiě)底層協(xié)議和驅(qū)動(dòng)的情況，同時(shí)也會(huì)涉及到不同開(kāi)發(fā)板不同電平之間的轉(zhuǎn)換。最近在做一個(gè)利用android手機(jī)收發(fā)數(shù)據(jù)的實(shí)驗(yàn)，其中就涉及到了EIA電平和TTL電平的轉(zhuǎn)換，TTL電平和CMOS電平的轉(zhuǎn)換?，F(xiàn)簡(jiǎn)要的總結(jié)下常用的TTL電平，CMOS電平和EIA電平，以及一些與上述電平有關(guān)集成邏輯電路和rs232串口的一些基本知識(shí)：　　一、集
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Sony傳擴(kuò)增CMOS產(chǎn)能14%，滿足車用、物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)需求

　　據(jù)海外媒體報(bào)道，Sony 計(jì)劃于 2018 年 3 月底前將使用于智能手機(jī)、數(shù)字相機(jī)等用途的 CMOS 影像傳感器月產(chǎn)能擴(kuò)增至 10 萬(wàn)片(以 12 吋晶圓計(jì)算)左右水準(zhǔn)，大幅增加 14%。目前 Sony 月產(chǎn)能約 8.8 萬(wàn)片。　　報(bào)導(dǎo)指出，因智能手機(jī)自拍用前置相機(jī)朝高性能化演進(jìn)，加上車用、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)用需求增加，因此 Sony 決定增產(chǎn)因應(yīng)。　　根據(jù) Sony 公布的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，2016 年度(2016 年 4 月~2017 年 3 月)Sony 影像傳感器銷售額年增 15% 至 5
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MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)

隨著集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時(shí)提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。
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CMOS影像傳感器市場(chǎng)下一輪成長(zhǎng)要靠誰(shuí)？

　　除了傳統(tǒng)的醫(yī)療和工業(yè)市場(chǎng)，3D成像和感知已經(jīng)準(zhǔn)備好征服消費(fèi)者和汽車產(chǎn)業(yè);生態(tài)系統(tǒng)熱情洋溢，新的技術(shù)和應(yīng)用將以破壞力改寫(xiě)市場(chǎng)現(xiàn)況… 　　根據(jù)法國(guó)市場(chǎng)研究公司Yole Developpement針對(duì)CIS產(chǎn)業(yè)現(xiàn)況進(jìn)行的調(diào)查，2016年全球CIS市場(chǎng)達(dá)到了116億美元的規(guī)模，在2016年至2022年間的年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)為10.5%。　　移動(dòng)市場(chǎng)領(lǐng)域由于規(guī)模龐大及其專用性能，目前仍然是CMOS影像傳感器(CIS)技術(shù)的主要應(yīng)用。不過(guò)，安全與汽車應(yīng)用也緊隨其后，紛紛借由顛覆性的CIS
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CMOS圖像傳感器的過(guò)去，現(xiàn)在和未來(lái)

　　在過(guò)去的十年里，CMOS圖像傳感器(CIS)技術(shù)取得了令人矚目的進(jìn)展，圖像傳感器的性能也得到了極大的改善。自從在手機(jī)中引入相機(jī)以來(lái)，CIS技術(shù)取得了巨大的商業(yè)成功。　　包括科學(xué)家和市場(chǎng)營(yíng)銷專家在內(nèi)的許多人，早在15年前就預(yù)言，CMOS圖像傳感器將完全取代CCD成像設(shè)備，就像20世紀(jì)80年代中期CCD設(shè)備取代了視頻采集管一樣。盡管CMOS在成像領(lǐng)域占有牢固的地位，但它并沒(méi)有完全取代CCD設(shè)備。　　另一方面，對(duì)CMOS技術(shù)的驅(qū)動(dòng)極大地提升了整個(gè)成像市場(chǎng)。CMOS圖像傳感器不僅創(chuàng)建了新的產(chǎn)品應(yīng)用程序
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模擬技術(shù)的困境

　　在這樣一個(gè)對(duì)數(shù)字電路處理有利的世界中，模擬技術(shù)更多地用來(lái)處理對(duì)它們不利的過(guò)程。但這個(gè)現(xiàn)象可能正在改變?！　∥覀兩钤谝粋€(gè)模擬世界中，但數(shù)字技術(shù)已經(jīng)成為主流技術(shù)?；旌闲盘?hào)解決方案過(guò)去包含大量模擬數(shù)據(jù)，只需要少量的數(shù)字信號(hào)處理，這種方案已經(jīng)遷移到系統(tǒng)應(yīng)用中，在系統(tǒng)中第一次產(chǎn)生了模數(shù)轉(zhuǎn)換過(guò)程?！　∧M技術(shù)衰落有幾個(gè)原因，其中一些是建立在自身缺陷上的。摩爾定律適用于數(shù)字電路而不是模擬電路;晶體管可以而且必須做得更小，這有利于數(shù)字電路。但這對(duì)模擬晶體管的影響并不大，反而器件尺寸越小，模擬器件特性往往越差。器件的
關(guān)鍵字：摩爾定律 FinFET