cmos-mems 文章進(jìn)入cmos-mems技術(shù)社區(qū)

星載MEMS原子鐘穩(wěn)頻系統(tǒng)的優(yōu)化及實(shí)驗(yàn)研究

1 引言
相干布居俘獲CPT(Coherent Population Trapping)是原子與相干光相互作用所產(chǎn)生的一種量子干涉現(xiàn)象。利用高分辨CPT光譜研制出的被動(dòng)型CPT原子頻標(biāo)具有體積小、功耗低、啟動(dòng)快等特點(diǎn)。CPT頻標(biāo)是原理上唯一
關(guān)鍵字： MEMS 星載穩(wěn)頻實(shí)驗(yàn)

從CEATEC看2010電子大勢(shì)(五)

目前有愈來(lái)愈多的行動(dòng)設(shè)備上配置了運(yùn)動(dòng)傳感器，最常見(jiàn)的是加上一顆加速度傳感器，用來(lái)自動(dòng)旋轉(zhuǎn)畫(huà)面。傳感器的技術(shù)正快速的在進(jìn)步中，在應(yīng)用上對(duì)于人類的生活具有顛覆性的影響力
關(guān)鍵字： CEATEC MEMS 壓力傳感器 Fujitsu Nissan

iSuppli：MEMS麥克風(fēng)出貨量2013年將突破10億個(gè)

　　據(jù)iSuppli預(yù)估，盡管歷經(jīng)2009年的衰退，但在移動(dòng)手持裝置與其它類似應(yīng)用的強(qiáng)力驅(qū)動(dòng)下，2008至2013年，全球微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)麥克風(fēng)仍預(yù)計(jì)將成長(zhǎng)三倍以上。　　2013年，全球MEMS麥克風(fēng)出貨量將從2008年的3.285億個(gè)成長(zhǎng)至11億個(gè)。不過(guò)，在2009年期間，由于經(jīng)歷了史上罕見(jiàn)的全面性衰退，MEMS麥克風(fēng)的強(qiáng)勁成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)將會(huì)減緩。　　MEMS麥克風(fēng)是通過(guò)微機(jī)電技術(shù)在半導(dǎo)體上蝕刻壓力感測(cè)膜片而制程的微型麥克風(fēng)，普遍應(yīng)用在手機(jī)、筆記型計(jì)算機(jī)、數(shù)字?jǐn)z影機(jī)與車用裝置上。　　&ldq
關(guān)鍵字： MEMS 麥克風(fēng)

中芯國(guó)際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米

　　中芯國(guó)際今天宣布其45納米的互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 技術(shù)將延伸至40納米以及55納米。　　這些新工藝技術(shù)進(jìn)一步豐富了中芯國(guó)際現(xiàn)有的技術(shù)能力，更好地滿足全球客戶的需求，包括快速增長(zhǎng)的中國(guó)市場(chǎng)在內(nèi)。其應(yīng)用產(chǎn)品包括多媒體產(chǎn)品、圖形芯片、芯片組以及手機(jī)設(shè)備(如3G/4G 手機(jī))。　　“中芯國(guó)際上海的12英寸廠已提前達(dá)標(biāo)完成了45納米的技術(shù)工藝。我們也同樣期盼著這些附加的延伸技術(shù)能取得佳績(jī)。”張汝京博士 -- 中芯國(guó)際總裁兼首席執(zhí)行長(zhǎng)表示，“這些新技術(shù)為
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際 CMOS 45納米 40納米 55納米

下一代無(wú)線傳感進(jìn)一步向前發(fā)展

　　說(shuō)到游戲業(yè)，你會(huì)發(fā)現(xiàn)運(yùn)動(dòng)傳感目前處于技術(shù)最前沿。當(dāng)今的領(lǐng)先游戲平臺(tái)(及后續(xù)產(chǎn)品)均包含無(wú)線傳感手持遙控器。這種運(yùn)動(dòng)傳感遙控器可用來(lái)表現(xiàn)現(xiàn)實(shí)生活中的各種運(yùn)動(dòng)器材，如球拍、劍和方向盤(pán)。　　當(dāng)今的無(wú)線傳感遙控器　　當(dāng)今的動(dòng)作游戲控制器中集成動(dòng)作傳感功能，使紅外線LED與遙控上的光傳感器協(xié)同工作，這樣它就可以作為一個(gè)精確的定點(diǎn)設(shè)備(可達(dá)5m)。該控制器需要兩節(jié)AA電池作為電源，如果僅為加速計(jì)提供電源，電池的使用壽命可達(dá)60小時(shí);而如果同時(shí)給加速計(jì)和指示器提供電源，電池的使用時(shí)間則只有25小時(shí)。　　
關(guān)鍵字：飛思卡爾 MEMS 無(wú)線傳感器 ZigBee 200910

安森美推出0.18微米CMOS工藝技術(shù)

　　全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)展定制晶圓代工能力，推出新的具價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力、符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的0.18微米(µm) CMOS工藝技術(shù)。　　這ONC18工藝是開(kāi)發(fā)低功率及高集成度數(shù)字及混合信號(hào)專用集成電路(ASIC)的極佳平臺(tái)，用于汽車、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用。基于ONC18工藝的方案將在安森美半導(dǎo)體位于美國(guó)俄勒岡州Gresham的8英寸晶圓制造廠制造，因此，預(yù)期對(duì)于尋求遵從國(guó)際武器貿(mào)易規(guī)章(ITAR)的合作伙伴、在美國(guó)國(guó)內(nèi)生產(chǎn)的美國(guó)軍事應(yīng)用設(shè)計(jì)人
關(guān)鍵字：安森美 CMOS 晶圓制造

國(guó)內(nèi)外儀器儀表行業(yè)目前水平及發(fā)展趨勢(shì)分析

　　儀器儀表行業(yè)是我國(guó)發(fā)展的新型行業(yè)，在與國(guó)際接軌的同時(shí)，我國(guó)的儀器儀表行業(yè)發(fā)展有了長(zhǎng)足的進(jìn)步空間具備了與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)的實(shí)力。　　國(guó)內(nèi)科技目前水平及發(fā)展趨勢(shì) 　　儀器儀表行業(yè)整體綜合技術(shù)水平達(dá)到國(guó)際80年代中期水平，微電子技術(shù)和計(jì)算機(jī)技術(shù)在儀器儀表產(chǎn)品中普遍采用，約15%的產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了智能化，達(dá)到國(guó)際90 年代水平;30%的產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了數(shù)字化，達(dá)到國(guó)際80年代末期水平。綜合服務(wù)能力顯著提：可以承接30萬(wàn)-60萬(wàn)千瓦火電站、核電站、30萬(wàn)噸合成氨、 120噸轉(zhuǎn)爐、日產(chǎn)30萬(wàn)立方米城市煤氣站工程、成套大型爐窯等
關(guān)鍵字：儀器儀表 MEMS DSP

諾貝爾獎(jiǎng)當(dāng)之無(wú)愧，CCD傳感器已無(wú)處不在

　　1969年，貝爾實(shí)驗(yàn)室(Bell Laboratories)的科學(xué)家Willard S. Boyle和George E. Smith發(fā)明了第一個(gè)成功的數(shù)字影像傳感器技術(shù)：電荷耦合組件(CCD)。40年后，隨著影像傳感器逐漸發(fā)展成為一個(gè)年出貨量達(dá)13億顆的龐大市場(chǎng)，這兩位技術(shù)先鋒也在2009年獲頒諾貝爾物理獎(jiǎng)，以表?yè)P(yáng)他們?cè)跀?shù)字成像領(lǐng)域的貢獻(xiàn)。　　“影像傳感器技術(shù)對(duì)世界和整個(gè)社會(huì)帶來(lái)了巨大且深遠(yuǎn)的影響，”iSuppli分析師Pamela Tufegdzic說(shuō)。“影像
關(guān)鍵字： CCD CMOS 影像傳感器

加速度計(jì)不再是MEMS專利 Epson完成石英加速度計(jì)開(kāi)發(fā)

　　由于感測(cè)加速度與角速度等物理量變化并非硅微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的專利，石英組件供貨商Epson Toyocom亦預(yù)定在2010年推出以石英為基礎(chǔ)的加速度感應(yīng)器，以分食龐大的加速度感應(yīng)器市場(chǎng)大餅。　　Epson Toyocom開(kāi)發(fā)技術(shù)統(tǒng)括部暨商品企劃戰(zhàn)略部課長(zhǎng)宮澤輝久指出，該公司的石英加速度傳感器開(kāi)發(fā)已接近完成階段，預(yù)計(jì)在2010年進(jìn)行量產(chǎn)。　　拜任天堂(Nintendo)的Wii游戲機(jī)和蘋(píng)果(Apple)iPhone熱潮所賜，加速度、角速度等感測(cè)組件也成當(dāng)紅炸子雞，讓硅微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)快
關(guān)鍵字： EPSON MEMS 加速度計(jì) 石英

采用0.18micro;m CMOS設(shè)計(jì)用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)

本文采用0.18µm CMOS工藝設(shè)計(jì)了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路。該電路采用數(shù)?；旌系姆椒ㄟM(jìn)行設(shè)計(jì)，第一級(jí)用數(shù)字電路實(shí)現(xiàn)16:4的復(fù)用，第二級(jí)用模擬電路實(shí)現(xiàn)4:1的復(fù)用，從而實(shí)現(xiàn)16:1的復(fù)用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具進(jìn)行了仿真。仿真結(jié)果表明，當(dāng)電源電壓為1.8V，溫度范圍為0～70℃時(shí)，電路可以工作在2.5b/s，功耗約為6mW。
關(guān)鍵字： micro 0.18 CMOS 2.5

臺(tái)積電與AMCC結(jié)盟取得嵌入式微處理器訂單

　　臺(tái)積電宣布與AMCC(應(yīng)用微電路;Applied Micro Circuits Corporation;AMCC-US)結(jié)盟，AMCC的Power Architecture嵌入式微處理器將以臺(tái)積電90奈米CMOS制程生產(chǎn)，未來(lái)將進(jìn)一步推進(jìn)到65奈米及40奈米制程。這意味著臺(tái)積電在 CPU代工領(lǐng)域再下一城。　　AMCC為全球能源及通訊解決方案商，臺(tái)積電表示，這次雙方的合作，是AMCC Power Architecture嵌入式微處理器首次采用非SOI制程技術(shù)，受惠于臺(tái)積電成熟的bulk CMOS技術(shù)
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 CPU代工 CMOS

日本將投資42億日元建MEMS項(xiàng)目研發(fā)基地

　　新聞事件：　　日本擬設(shè)立名為“JMEC”的MEMS研發(fā)機(jī)構(gòu) 　　事件影響：　　在尖端研發(fā)方面，將致力于由企業(yè)單獨(dú)從事高風(fēng)險(xiǎn)較大的研究課題　　將提供民間MEMS代工無(wú)法滿足的少量試制服務(wù)，以消除有設(shè)計(jì)思路卻因無(wú)法試制而無(wú)法發(fā)展成業(yè)務(wù)的現(xiàn)象　　日本擬在經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的主導(dǎo)下設(shè)立名為“JMEC”(暫稱)的MEMS研發(fā)機(jī)構(gòu)。與歐洲研發(fā)機(jī)構(gòu)比利時(shí)IMEC (Interuniversity Microelectr
關(guān)鍵字：納米 MEMS 元件器

基于MEMS加速度傳感器的雙軸傾角計(jì)及其應(yīng)用

　引　言MAV由于體積和負(fù)載能力極為有限,因此,減小和減輕飛控導(dǎo)航系統(tǒng)的體積及重量,就顯得尤為重要。本文基于MEMS加速度傳感器,設(shè)計(jì)一種雙軸傾角計(jì),該裝置精度高、重量輕,可滿足MAV的姿態(tài)角測(cè)量要求,也可用于其他需要
關(guān)鍵字： MEMS 加速度傳感器傾角

一種新型CMOS圖像傳感器的設(shè)計(jì)

為了提高CMOS圖像傳感器的圖像質(zhì)量，通過(guò)對(duì)圖像主要的噪聲源以及圖像失真的分析，提出一種新型的CMOS有源像素圖像傳感器。該CMOS圖像傳感器使用4T有源像素，大大提高了圖像傳感器的靈敏度。通過(guò)在傳感器中集成圖像預(yù)處理功能，對(duì)改善圖像的質(zhì)量起到了很好的效果。
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器

華虹NEC 0.162微米CIS工藝成功進(jìn)入量產(chǎn)

　　世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱“華虹NEC”)日前宣布成功開(kāi)發(fā)了0.162微米CMOS 圖像傳感器 (CIS162) 工藝技術(shù)，已進(jìn)入量產(chǎn)階段。　　華虹NEC和關(guān)鍵客戶合作共同開(kāi)發(fā)的CIS162工藝是基于標(biāo)準(zhǔn)0.162微米純邏輯工藝，1.8V的核心器件，3.3V的輸入輸出電路。經(jīng)過(guò)精細(xì)調(diào)整集成了4個(gè)功能晶體管和光電二極管(photo diode) 的像素單元可以提供超低的漏電和高清優(yōu)質(zhì)的圖像。而特別處理的后端布線工藝保證了像素區(qū)高敏感性，可
關(guān)鍵字：華虹NEC 晶圓代工 CMOS 圖像傳感器