cmos-mems 文章 進(jìn)入cmos-mems技術(shù)社區(qū)
展現(xiàn)深耕決心 中芯提升MEMS為獨(dú)立部門
- 繼臺(tái)積電上周于技術(shù)論壇中廣發(fā)MEMS英雄帖后,中芯MEMS部門升格為獨(dú)立部門,以展現(xiàn)深耕MEMS市場(chǎng)決心。中芯表示,踏入此市場(chǎng)僅約1年,但預(yù)計(jì)2009年底前,已有3項(xiàng)商品已可進(jìn)入大量投產(chǎn),而市場(chǎng)上每項(xiàng)MEMS產(chǎn)品,中芯至少都有1個(gè)客戶,因此對(duì)中芯來說,MEMS成長(zhǎng)潛力值得期待。 臺(tái)積電于上周舉辦技術(shù)論壇中對(duì)于MEMS市場(chǎng)相當(dāng)看好,指出進(jìn)入MEMS市場(chǎng)到現(xiàn)在為止已有7年,當(dāng)中已累計(jì)出多項(xiàng)制程及IP技術(shù),除此之外,臺(tái)積電更已可提供標(biāo)準(zhǔn)制程(StandardProcess),讓MEMS客戶可安心至臺(tái)積
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MEMS市場(chǎng)繼續(xù)增長(zhǎng)機(jī)會(huì)多
- 按Yole Developpement報(bào)道,全球MEMS工業(yè)正面臨之前從未有過的停滯,2008年的銷售額下降2%,達(dá)68億美元,其2009年非常可能增長(zhǎng)率小于1%。然而當(dāng)汽車電子,工業(yè)壓力傳感器及打印頭市場(chǎng)隨著全球經(jīng)濟(jì)下滑時(shí),許多新的MEMS應(yīng)用卻得到切實(shí)的增長(zhǎng)。 MEMS在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,如加速度計(jì),陀螺儀的市場(chǎng)繼續(xù)看好,推動(dòng)供應(yīng)商如STMicron(日內(nèi)瓦),Invensense(加州桑尼威爾),其銷售額有10-30%增長(zhǎng)。隨著MEMS在醫(yī)療電子和診斷設(shè)備的應(yīng)用擴(kuò)大,其市場(chǎng)繼續(xù)增大。今年新
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臺(tái)積電MEMS苦練7年 2010年進(jìn)入收成期
- 臺(tái)積電在MEMS領(lǐng)域歷經(jīng)7年苦練后,與客戶關(guān)系由接受指導(dǎo),轉(zhuǎn)變成共同合作開發(fā),臺(tái)積電主流技術(shù)事業(yè)發(fā)展處處長(zhǎng)劉信生自信表示,臺(tái)積電MEMS將迎頭趕上國際IDM廠商腳步,相信2010年臺(tái)積電MEMS將進(jìn)入收成期。 劉信生在出席臺(tái)積電技術(shù)研討會(huì)時(shí)指出,臺(tái)積電在MEMS上布局已有7年左右,經(jīng)過幾年努力,相信已可迎頭趕上IDM大廠。臺(tái)積電現(xiàn)已能提供多種標(biāo)準(zhǔn)制程模塊(Process Module)供客戶使用,包含蝕刻模塊、掏空模塊等,MEMS客戶至臺(tái)積電投產(chǎn),僅需針對(duì)MEMS產(chǎn)品內(nèi)部架構(gòu)設(shè)計(jì),其余交給臺(tái)積電
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臺(tái)積電搶進(jìn)電源IC 市場(chǎng)潛力160億美元
- 不僅擴(kuò)充先進(jìn)制程研發(fā)、產(chǎn)能,臺(tái)積電主流制程技術(shù)也將積極搶攻整合組件廠(IDM)的電源管理IC市場(chǎng),臺(tái)積電主流技術(shù)事業(yè)發(fā)展處長(zhǎng)劉信生表示,目前臺(tái)積電在電源管理IC約150億~160億美元市場(chǎng)市占率約個(gè)位數(shù),絕大部分市場(chǎng)由IDM業(yè)者把持,不過未來他看好IDM業(yè)者產(chǎn)能不足情況下轉(zhuǎn)單到晶圓代工的可能性,同時(shí)也將全力扶持臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)客戶搶進(jìn)此一市場(chǎng)。 劉信生表示,在電源管理市場(chǎng)規(guī)模約150億~160億美元中,幾近8~9成是由IDM業(yè)者所把持,目前臺(tái)積電不論在設(shè)計(jì)環(huán)境與制程平臺(tái)上都已做足準(zhǔn)備,積極搶攻此市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 電源管理IC IDM CMOS
一種基于真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器的擴(kuò)展頻譜CMOS振蕩器的設(shè)
- 采用恒流源充放電技術(shù),以比較器為核心,利用一種新型真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器產(chǎn)生隨機(jī)控制信號(hào),設(shè)計(jì)一種基于0.5μm CMOS工藝的擴(kuò)展頻譜振蕩器,振蕩頻率在1~1.6 MHz的范圍內(nèi)。通過Cadence spectre仿真工具對(duì)電路進(jìn)行仿真驗(yàn)證,結(jié)果表明,該方案能夠在1~1.6 MHz的范圍內(nèi)產(chǎn)生隨機(jī)振蕩信號(hào)。該振蕩器可以用于改善DC/DC轉(zhuǎn)換器的噪聲性能。
- 關(guān)鍵字: CMOS 隨機(jī)數(shù)發(fā)生器 擴(kuò)展頻譜 振蕩器
基于攝像頭的賽道信息處理和控制策略實(shí)現(xiàn)
- 在去年的Freescale全國大學(xué)生智能車大賽中,賽道信息檢測(cè)方案總體上有兩大類:光電傳感器方案和攝像頭方案。前者電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、信息檢測(cè)頻率高,但檢測(cè)范圍、精度有限且能耗較大;后者獲取的賽道信息豐富,但電路設(shè)計(jì)和軟件處理較復(fù)雜,且信息更新速度較慢。在比較了兩種方案的特點(diǎn)并實(shí)際測(cè)試后,我們選擇了攝像頭方案。本文將在獲得攝像頭采集數(shù)據(jù)的前提下,討論如何對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理和控制策略的實(shí)現(xiàn)。 數(shù)據(jù)采集 我們選擇了一款1/3?OmniVision?CMOS攝像頭,用LM1881進(jìn)行信號(hào)分離,結(jié)合AD采樣
- 關(guān)鍵字: 飛思卡爾 智能車 傳感技術(shù) CMOS 攝像頭
韓國半導(dǎo)體代工廠MagnaChip已申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)
- Thomson Reuters12日?qǐng)?bào)導(dǎo),法院相關(guān)文件顯示,南韓CMOS影像傳感器廠商MagnaChipSemiconductor Ltd.以及旗下5家子公司已于美國德拉瓦(Delaware)州地方法院依據(jù)破產(chǎn)法第11章聲請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)。根據(jù)報(bào)導(dǎo),MagnaChip列出的資產(chǎn)總額達(dá)5,000萬美元,負(fù)債則超過10億美元。 2004年10月自Hynix獨(dú)立出來的MagnaChip總部設(shè)于南韓首爾。Magnachip為模擬及先進(jìn)混合信號(hào)制程的專業(yè)半導(dǎo)體代工廠商,且為力旺于韓國首位取得合作的半導(dǎo)體代工策略
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NEC和東芝將擴(kuò)展與IBM的芯片技術(shù)協(xié)議
- NEC電子公司(NEC Electronics Corp.)和東芝公司(Toshiba Corp.)同意擴(kuò)展與IBM Corp.的研發(fā)協(xié)議,允許聯(lián)合開發(fā)使用于消費(fèi)者產(chǎn)品的28 納米半導(dǎo)體技術(shù)。 這三家公司18日表示,兩家日本公司將與IBM一起開發(fā)28納米互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)技術(shù)。在IBM紐約州East Fishkill的工廠,該團(tuán)隊(duì)還將包括Infineon Technologies和三星電子公司(Samsung Electronics Co.)。 東芝公司2007年12月加
- 關(guān)鍵字: NEC CMOS 28納米 半導(dǎo)體
意法半導(dǎo)體:厚積薄發(fā)打造MEMS霸主
- “我們采用8寸晶圓生產(chǎn)MEMS器件已經(jīng)持續(xù)幾年,而我們的對(duì)手很多都是今年才開始升級(jí)產(chǎn)能的。” 意法半導(dǎo)體大中國區(qū)模擬及傳感器事業(yè)部技術(shù)市場(chǎng)經(jīng)理吳衛(wèi)東,日前在接受EEWORLD電話采訪時(shí)無不自豪道。 根據(jù)Yole Developpement調(diào)查機(jī)構(gòu)近日發(fā)布的2008年MEMS市場(chǎng)排名情況,意法半導(dǎo)體排名上升一位至第三。在Yole評(píng)出的2008年MEMS市場(chǎng)勝利者當(dāng)中,意法半導(dǎo)體被排在了首位,報(bào)告中指出,借助于消費(fèi)市場(chǎng)的良好發(fā)展,意法半導(dǎo)體MEMS業(yè)務(wù)增速迅猛,年?duì)I收增加了一
- 關(guān)鍵字: ST MEMS 手機(jī)加速度傳感器 MCU數(shù)據(jù)處理 電源低功耗管理
高性能小型化成霍爾傳感器未來發(fā)展方向
- 霍爾傳感器是一種基于霍爾效應(yīng)的器件,它能實(shí)現(xiàn)磁電轉(zhuǎn)換,可用于檢測(cè)磁場(chǎng)及其變化。 霍爾效應(yīng)雖然在1879年才被發(fā)現(xiàn),但是直到20世紀(jì)50年代才出現(xiàn)了對(duì)其的應(yīng)用,然而器件成本很高。1965年,人們開始將霍爾傳感器集成進(jìn)硅芯片中,從而促進(jìn)了霍爾器件的應(yīng)用。 經(jīng)歷三大發(fā)展階段 霍爾器件的發(fā)展大致可分為三個(gè)階段: 第一階段是從霍爾效應(yīng)被發(fā)現(xiàn)到20世紀(jì)40年代前期。最初由于金屬材料中的電子濃度很大,霍爾效應(yīng)十分微弱而沒有引起人們的重視。到了1910年,有人用金屬鉍制成霍爾元件作為磁場(chǎng)傳感器
- 關(guān)鍵字: 霍爾傳感器 CMOS A/D轉(zhuǎn)換器 總線接口
汽車工控需求大 霍爾傳感器中國市場(chǎng)高速增長(zhǎng)
- 霍爾傳感器是全球排名第三的傳感器產(chǎn)品,它被廣泛應(yīng)用到工業(yè)、汽車業(yè)、電腦、手機(jī)以及新興消費(fèi)電子領(lǐng)域。未來幾年,隨著越來越多的汽車電子和工業(yè)設(shè)計(jì)企業(yè)轉(zhuǎn)移到中國,霍爾傳感器在中國市場(chǎng)的年銷售額將保持20%到30%的高速增長(zhǎng)。與此同時(shí),霍爾傳感器的相關(guān)技術(shù)仍在不斷完善中,可編程霍爾傳感器、智能化霍爾傳感器以及微型霍爾傳感器將有更好的市場(chǎng)前景。 中國市場(chǎng)年增率為兩位數(shù) 在我們的日常生活中,霍爾傳感器被廣泛應(yīng)用。例如,在翻蓋或是滑蓋的手機(jī)中,用來檢測(cè)手機(jī)蓋翻開或是滑動(dòng)的器件就是霍爾傳感器;再如,在電腦
- 關(guān)鍵字: 霍尼韋爾 MEMS 汽車工控 EEROM 霍爾傳感器
2009 Globalpress電子峰會(huì):MEMS的增長(zhǎng)點(diǎn)在哪里
- 從時(shí)尚的消費(fèi)電子產(chǎn)品,像蘋果的iPhone、任天堂的Wii,到下一代醫(yī)療設(shè)備、汽車導(dǎo)航、工業(yè)系統(tǒng),MEMS將極大地豐富人和電子設(shè)備互動(dòng)的方式。“對(duì)于半導(dǎo)體公司,要么選擇MEMS,要么退出市場(chǎng)!”Maxim集團(tuán)總裁Vijay Ullal 在2009年舊金山的電子峰會(huì)上語出驚人,“因?yàn)?,?00年前的工業(yè)革命邁出第一步開始,現(xiàn)代科技的演進(jìn)就一直沒停止,第二步是晶體管發(fā)明帶來的計(jì)算革命,第三步就是傳感器。” 事實(shí)上看好MEMS市場(chǎng)前景的大有人在,但是如何
- 關(guān)鍵字: Maxim MEMS 晶體管 慣性傳感器 電子車身穩(wěn)定系統(tǒng) 200906
市場(chǎng)前景看好NXP潛心相變存儲(chǔ)器技術(shù)
- NXP公司,前身為飛利浦公司的芯片部門,正在研究專有的相變存儲(chǔ)器(PCM),該公司的首席技術(shù)官Rene Penning de Vries表示該技術(shù)將十分“有希望”。 他表示,“我們已經(jīng)看到了很好性能。下一個(gè)問題是是否繼續(xù)生產(chǎn)。”他還補(bǔ)充道,這一決議還未作出。PCM的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)在于可以在斷電時(shí)也能保存數(shù)據(jù),作為當(dāng)前環(huán)保節(jié)能戰(zhàn)略的積極響應(yīng),因此前景十分看好。預(yù)計(jì)PCM的性能要好于閃存,并且其幾何尺寸也要比閃存小。 Penning de Vries在
- 關(guān)鍵字: NXP CMOS PCM 嵌入式存儲(chǔ)技術(shù)
ST推出全球最薄的MEMS加速計(jì)
- 消費(fèi)電子和便攜設(shè)備MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))元器件的全球領(lǐng)先供應(yīng)商意法半導(dǎo)體,推出世界上最薄的三軸數(shù)字式MEMS加速計(jì),LIS302DLH 是一款高性能、高穩(wěn)定性的16位器件,厚度只有0.75mm,與意法半導(dǎo)體的Piccolo MEMS系列的其它產(chǎn)品一樣,占板面積僅3 x 5mm,以節(jié)省空間的產(chǎn)品設(shè)計(jì)為目標(biāo)應(yīng)用。 微機(jī)械元器件是制作在一個(gè)單一芯片上,制造工藝與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制程相似,技術(shù)成熟且穩(wěn)定度高。因此,加速計(jì)和陀螺儀等元器件可以制造得非常小,還具有低摩擦力、低磨損度和高抗震性三大優(yōu)點(diǎn)。目前已
- 關(guān)鍵字: ST MEMS LIS302DLH
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