EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
cmos-mems
cmos-mems 文章 進(jìn)入cmos-mems技術(shù)社區(qū)
意法半導(dǎo)體推出LIS352AX基于MEMS的運(yùn)動(dòng)傳感器
- 全球領(lǐng)先消費(fèi)電子和便攜設(shè)備運(yùn)動(dòng)傳感器芯片供應(yīng)商意法半導(dǎo)體推出一款內(nèi)置絕對(duì)模擬輸出的三軸加速傳感器，進(jìn)一步擴(kuò)大超微型高性能的MEMS產(chǎn)品陣容。意法半導(dǎo)體的LIS352AX在2.16V到3.6V之間任何電源電壓都可以操作，適用極寬的工作溫度范圍，經(jīng)久耐用，是空間和成本受限的電池供電設(shè)備的運(yùn)動(dòng)傳感應(yīng)用的理想選擇。 意法半導(dǎo)體這款最新的3軸加速傳感器以絕對(duì)模擬輸出的形式提供加速度的數(shù)據(jù)。新產(chǎn)品LIS352AX利用內(nèi)部穩(wěn)壓電路，用于手機(jī)和其它便攜設(shè)備時(shí)，加速度測(cè)量不會(huì)受到移動(dòng)設(shè)備常見的電源電壓波動(dòng)的影響。
- 關(guān)鍵字： ST MEMS 傳感器
IBM將與法國(guó)LETI聯(lián)手開發(fā)22nm制程技術(shù)
- IBM與法國(guó)原子能署下屬的電子資訊科技實(shí)驗(yàn)室(CEA/LETI)近日宣布將合作研究開發(fā)半導(dǎo)體與納米電子相關(guān)技術(shù)。雙方將就22nm制程工藝有關(guān)的高級(jí)材料，設(shè)備及制造工藝方面進(jìn)行合作，合約期為5年。 研究工作將在IBM公司在東Fishkill的300mm工廠，Nanotech/意法半導(dǎo)體公司在法國(guó)Crolles的工廠以及CEA/LETI位于Grenoble的300mm設(shè)施中展開。而來自CEA/LETI的一支研究團(tuán)隊(duì)則將在Albany Nanotech公司開展這項(xiàng)研究工作。CEA/LETI將不會(huì)加入I
- 關(guān)鍵字： IBM CMOS 22nm
智能手機(jī)市場(chǎng)進(jìn)一步推動(dòng)MEMS傳感器銷售
- iSuppli公司最近預(yù)測(cè)，盡管總體手機(jī)市場(chǎng)預(yù)計(jì)下滑，但今年智能手機(jī)出貨量將比2008年增長(zhǎng)11%。這樣的預(yù)測(cè)對(duì)于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)傳感器制造商來說是求之不得的好消息。慣性傳感器已經(jīng)快速成為這些平臺(tái)中的標(biāo)準(zhǔn)配置。蘋果iPhone和Research in Motion (RIM)的Blackberry Storm等暢銷機(jī)型，以及三星的Omnia、HTC的Diamond和諾基亞的N95及N96，都采用了這種傳感器。 這些手機(jī)的共同之處是都采用具有觸摸靈敏度的大顯示屏，通過運(yùn)動(dòng)傳感器可以確定畫
- 關(guān)鍵字： 智能手機(jī) MEMS 陀螺儀
無(wú)線設(shè)備中CMOS頻率源的應(yīng)用趨勢(shì)
- 采用CMOS技術(shù)提供頻率參考源比采用傳統(tǒng)頻率發(fā)生方法有更多的優(yōu)點(diǎn)。而最近發(fā)布的CMOS時(shí)鐘發(fā)生器主要是針對(duì)有線應(yīng)用設(shè)計(jì)的，可以在高頻率下工作、尺寸小和易于集成的優(yōu)點(diǎn)使其能夠非常容易地?cái)U(kuò)展到更加廣泛的無(wú)線應(yīng)用中。在有些應(yīng)用中，CMOS振蕩器可以為那些要求嚴(yán)格的產(chǎn)品改善性能；而在另外一些應(yīng)用中，通過它們就能夠設(shè)計(jì)出全新的無(wú)線產(chǎn)品且避免使用非半導(dǎo)體器件。
- 關(guān)鍵字： 應(yīng)用 趨勢(shì) 頻率 CMOS 設(shè)備 無(wú)線
Point 35 Microstructures將氧化物釋放添加到MEMS制造系列
- 全球微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）產(chǎn)業(yè)蝕刻和沉積設(shè)備供應(yīng)商Point 35 Microstructures公司，今日在上海宣布推出汽相氧化物釋放蝕刻模塊，進(jìn)一步擴(kuò)展其微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS) 單晶圓制造memsstar?產(chǎn)品系列。這項(xiàng)新增的技術(shù)將確保MEMS器件設(shè)計(jì)師得到更多的生產(chǎn)選擇，同時(shí)帶來了寬泛的制造工藝窗口和各種工藝控制等等好處，從而使良率得到了最大的提升。 SVR-vHF氧化物釋放模塊結(jié)合現(xiàn)有的memsstar? SVR-Xe 犧牲性汽相釋放(SVR)模塊，利用無(wú)水氫氟蒸汽(aH
- 關(guān)鍵字： Point 35 Microstructures，SVR，MEMS
cmos-mems介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條cmos-mems!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)cmos-mems的理解，并與今后在此搜索cmos-mems的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)cmos-mems的理解，并與今后在此搜索cmos-mems的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
cmos-mems電路
cmos-mems相關(guān)帖子
cmos-mems資料下載
cmos-mems專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473