cmos-mems 文章進(jìn)入cmos-mems技術(shù)社區(qū)

先進(jìn)的3G多頻段收發(fā)器實(shí)現(xiàn)了前端的高度集成

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： 3G GSM TD-SCDMA 收發(fā)器 2G RF WCDMA UMTS CMOS HSDPA LO IF LNA 3GPP

移動(dòng)終端中三類射頻電路的演進(jìn)方向

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：射頻 GSM CMOS GaAs HBT FET SAW FEM VOC DCR DCT

CMOS集成電路使用注意事項(xiàng)

CMOS集成電路的安裝。為了避免由于靜電感應(yīng)而損壞電路，焊接CMOS集成電路所使用的電烙鐵必需良好接地，焊接時(shí)間不得超過5秒。最好使用20~25W內(nèi)熱式電烙鐵和502環(huán)氧助焊劑，必要時(shí)可使用插座。在接通電源的情況下，不應(yīng)裝拆CMOS集成電路。凡是與CMOS集成電路接觸的工序，使用的工作臺(tái)及地板嚴(yán)禁鋪墊高絕緣的板材（如橡膠板、玻璃板、有機(jī)玻璃、膠木板等），應(yīng)在工作臺(tái)上鋪放嚴(yán)格接地的細(xì)鋼絲網(wǎng)或銅絲網(wǎng)，并經(jīng)常檢查接地可靠性。CMOS集成電路的測(cè)試。測(cè)試時(shí)所有CMOS集成電路的儀器、儀表均應(yīng)良好接地。如果是低阻信
關(guān)鍵字： CMOS 集成電路

從嵌入CMOS MEMS振蕩器展望IC設(shè)計(jì)的潛在變革

摘要：隨著CMOS MEMS振蕩器大規(guī)模制造技術(shù)的成熟，應(yīng)用將涉及汽車、電視、攝像機(jī)、個(gè)人電腦、便攜式設(shè)備等等幾乎一切電子設(shè)備，本文向中國(guó)工程師概要介紹CMOS MEMS諧振器主流技術(shù)及行業(yè)動(dòng)態(tài)、在IC中嵌入CMOS MEMS振蕩器的設(shè)計(jì)流程以及相關(guān)支持工具的發(fā)展趨勢(shì)。關(guān)鍵詞： MEMS，振蕩器，CMOS MEMS，IC設(shè)計(jì)，EDA MEMS技術(shù)將會(huì)給幾乎所有種類的電子產(chǎn)品帶來一場(chǎng)革命，特別是隨著CMOS MEMS振蕩器大規(guī)模制造技術(shù)的成熟，消費(fèi)電子產(chǎn)品制造商、硬盤制造商以及其它產(chǎn)
關(guān)鍵字： 0701_A MEMS 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 雜志_技術(shù)長(zhǎng)廊振蕩器 EDA IC設(shè)計(jì)

AMIS新型 2400dpi CMOS圖像傳感器

　　傳感器分別提供2400dpi、 1200dpi、 600dpi和 300dpi的可選分辨率，可滿足印刷、掃描和成像外圍設(shè)備的廣泛要求。　　AMIS宣布首個(gè)2400dpi CMOS圖像傳感器現(xiàn)已投放市場(chǎng)。高度整合和具成本效益的AMIS-722402提供分辨率為2400、1200、600或 300dpi 的多種選擇，同時(shí)還可降低掃描儀、支票閱讀機(jī)、辦公自動(dòng)化設(shè)備、打印機(jī)和其它基于成像的外圍設(shè)備在操作時(shí)的功耗和噪音。　　新的傳感器以AMI&nb
關(guān)鍵字： 2400dpi AMIS CMOS 圖像傳感器消費(fèi)電子消費(fèi)電子

MEMS產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟最新報(bào)告: 微機(jī)電系統(tǒng)器件首次被廣泛用于消費(fèi)電子設(shè)備中

　　EMS和微結(jié)構(gòu)兩大產(chǎn)業(yè)的行業(yè)協(xié)會(huì)“微機(jī)電系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟” (MIG)公布了一年一度的產(chǎn)業(yè)報(bào)告，該報(bào)告論述了MEMS產(chǎn)業(yè)內(nèi)高速增長(zhǎng)的細(xì)分市場(chǎng)。以MEMS集成為焦點(diǎn)的《MIG產(chǎn)業(yè)報(bào)告》預(yù)測(cè)今年將是MEMS大舉進(jìn)攻消費(fèi)電子市場(chǎng)的一年，主要目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域包括用于遙控游戲控制臺(tái)的基于加速計(jì)的運(yùn)動(dòng)傳感器、在手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)內(nèi)集成的用于穩(wěn)定圖像的雙軸陀螺儀、聲學(xué)模塊內(nèi)的硅話筒、實(shí)現(xiàn)多種定時(shí)應(yīng)用（如替代手表晶振）的硅諧振器。　　MEMS器件是一種整合了智能傳感器和半導(dǎo)體電路的微型機(jī)器，有利于提高多種
關(guān)鍵字： MEMS 產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟微機(jī)電系統(tǒng)器件消費(fèi)電子消費(fèi)電子

熱式氣體質(zhì)量流量傳感器研究與發(fā)展

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：熱流量傳感器 MEMS

微型傳感器家族新成員-微型接近傳感器

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：微型接近傳感器 MEMS 微型傳感器傳感器

基于MEMS的閃耀光柵數(shù)字微鏡顯示技術(shù)

技術(shù)背景在pmp個(gè)人媒體播放器等便攜式應(yīng)用中，tft液晶顯示器已成為主流配置。雖然tft液晶顯示器具有圖像清晰、對(duì)比度高等優(yōu)點(diǎn)，但其耗電占了pmp系統(tǒng)耗電的70%以上。隨著分辨率不斷提高，屏幕加大，顯示器的功耗也同步增長(zhǎng)。由于液晶顯示器的光源利用率不足10%，降低亮度并不能有效地節(jié)省電力，迫不得已的辦法是盡可能減少顯示屏的工作時(shí)間，或者是采用盡可能小的顯示屏，結(jié)果使觀賞舒適性降低，導(dǎo)致pmp的實(shí)用價(jià)值大打折扣。理想的適合于便攜用途的顯示技術(shù)應(yīng)在電池供電環(huán)境下有盡可能長(zhǎng)的工作時(shí)間、盡可能小的體積、盡可
關(guān)鍵字： MEMS

32段CMOS LCD驅(qū)動(dòng)器AY0438及其與單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)

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關(guān)鍵字： CMOS LCD驅(qū)動(dòng)器液晶顯示 LCD

CMOS多頻段低噪聲放大器設(shè)計(jì)

本設(shè)計(jì)中的并行式多頻段LNA為單個(gè)LNA，但能同時(shí)工作在不同頻段下且放大所需頻段的信號(hào)。
關(guān)鍵字： CMOS 多頻低噪聲放大器設(shè)計(jì)

超低功耗電子電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)原則

本文將對(duì)超低功耗電路設(shè)計(jì)原則進(jìn)行分析，并就怎樣設(shè)計(jì)成超低功耗的產(chǎn)品作一些論述，從而證明了這種電路在電路結(jié) ...
關(guān)鍵字： CMOS TTL 單片機(jī)

MCU 中輸入/輸出口的使用

本文介紹了幾款MCU輸入/輸出口的使用。
關(guān)鍵字：掩膜 CMOS 電阻

ST為在意大利的200mm MEMS生產(chǎn)線舉行落成典禮

意法半導(dǎo)體(ST)為在意大利新建的最先進(jìn)的200mm MEMS生產(chǎn)線舉行落成典禮意法半導(dǎo)體為在意大利米蘭近郊的Agrate工廠新建的一條200mm (8英寸) MEMS半導(dǎo)體晶片生產(chǎn)線舉行落成典禮。ST是世界第一個(gè)采用200mm晶片制造微機(jī)電系統(tǒng)產(chǎn)品的主要MEMS廠商，新的生產(chǎn)線將會(huì)降低產(chǎn)品的單位成本，同時(shí)還會(huì)加快現(xiàn)有應(yīng)用的普及，以及新MEMS市場(chǎng)的開發(fā)。在計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車電子和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中，能夠測(cè)量或監(jiān)測(cè)物體的運(yùn)動(dòng)和傾斜有助于
關(guān)鍵字： 200mm MEMS ST 單片機(jī) 落成嵌入式系統(tǒng) 生產(chǎn)線意大利意法半導(dǎo)體

基于積累型MOS變?nèi)莨艿纳漕l壓控振蕩器設(shè)計(jì)

引言隨著移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)壓控振蕩器(VCO)，是實(shí)現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機(jī)的關(guān)鍵。過去的VCO電路大多采用反向偏壓的變?nèi)荻O管作為壓控器件，然而在用實(shí)際工藝實(shí)現(xiàn)電路時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù)通常都很小，這將影響到電路的性能。于是，人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的器件來代替一般的變?nèi)荻O管，MOS變?nèi)莨鼙銘?yīng)運(yùn)而生了。 MOS變?nèi)莨? 將MOS晶體管的漏，源和襯底短接便可成為一個(gè)簡(jiǎn)單的MOS電容，其電容值隨柵極與襯底之間
關(guān)鍵字： CMOS RF專題電源技術(shù) 模擬技術(shù) 射頻振蕩器