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          基于積累型MOS變?nèi)莨艿纳漕l壓控振蕩器設(shè)計(jì)

          • 引言 隨著移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展,射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)壓控振蕩器(VCO),是實(shí)現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機(jī)的關(guān)鍵。過(guò)去的VCO電路大多采用反向偏壓的變?nèi)荻O管作為壓控器件,然而在用實(shí)際工藝實(shí)現(xiàn)電路時(shí),會(huì)發(fā)現(xiàn)變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù)通常都很小,這將影響到電路的性能。于是,人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的器件來(lái)代替一般的變?nèi)荻O管,MOS變?nèi)莨鼙銘?yīng)運(yùn)而生了。 MOS變?nèi)莨? 將MOS晶體管的漏,源和襯底短接便可成為一個(gè)簡(jiǎn)單的MOS電容,其電容值隨柵極與襯底之間
          • 關(guān)鍵字: CMOS  RF專題  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  射頻  振蕩器  

          集成多路模擬開(kāi)關(guān)的應(yīng)用技巧

          • 集成多路模擬開(kāi)關(guān)(以下簡(jiǎn)稱多路開(kāi)關(guān))是自動(dòng)數(shù)據(jù)采集、程控增益放大等重要技術(shù)領(lǐng)域的常用器件,其實(shí)際使用性能的優(yōu)劣對(duì)系統(tǒng)的嚴(yán)謹(jǐn)和可靠性重要影響。  關(guān)于多路開(kāi)關(guān)的應(yīng)用技術(shù),些文獻(xiàn)上介紹有兩點(diǎn)不足:一是對(duì)器件自身介紹較多,而對(duì)器件與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)介紹較少;二是原則性的東西介紹較多,而操作性的東西介紹較少。研究表明:只有正確選擇多路開(kāi)關(guān)的種類(lèi),注意多路開(kāi)關(guān)與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào),保證各電路單元有合適的工作狀態(tài),才能充分發(fā)揮多路開(kāi)關(guān)的性能,甚至彌補(bǔ)某性能指標(biāo)的欠缺,收到預(yù)期的效果。本文從應(yīng)用
          • 關(guān)鍵字: CMOS  電源技術(shù)  放大器  模擬技術(shù)  模擬開(kāi)關(guān)  

          TPMS 專用傳感器模塊技術(shù)剖析

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: TPMS  MEMS  ASIC  MCU  

          手機(jī)多頻帶切換力推RF MEMS 開(kāi)關(guān)發(fā)展

          • 手機(jī)的發(fā)展要求在以低插入損耗進(jìn)行多頻帶和多模頻帶切換的同時(shí)仍保持優(yōu)良的線性特性,這推動(dòng)了RF MEMS開(kāi)關(guān)的應(yīng)用和發(fā)展。隨著新的復(fù)雜波形如WiMAX添加到混合信號(hào)上,多頻帶的切換問(wèn)題變得更加突出。目前在全球大規(guī)模興建的3G網(wǎng)絡(luò)可提供包括數(shù)據(jù)和點(diǎn)播視頻在內(nèi)的多種業(yè)務(wù),網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展對(duì)手機(jī)設(shè)計(jì)師提出了新的挑戰(zhàn)。無(wú)線技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)使得手機(jī)可以使用7種不同的無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)(頻帶),包括DCS、PCS、GSM、EGSM、CDMA、WCDMA、GPS 和 Wi-Fi(見(jiàn)表1)。每種標(biāo)準(zhǔn)自身均具有獨(dú)特的特性和限制,并因此產(chǎn)生了自
          • 關(guān)鍵字: 0609_A  MEMS  RF  RF專題  消費(fèi)電子  雜志_專題  消費(fèi)電子  

          ADI發(fā)布具有亞吉赫茲窄帶CMOS收發(fā)器IC

          •  ——全新高性能ADF7021可滿足AMR、無(wú)線家庭自動(dòng)化和多種無(wú)線連接應(yīng)用要求, 提供比同類(lèi)產(chǎn)品提高7dB靈敏度,最低發(fā)射器功耗電流和最少外部元件。 美國(guó)模擬器件公司在馬薩諸塞州諾伍德市(Norwood, Mass.)發(fā)布推出ADF7021窄帶收發(fā)器集成電路(IC)擴(kuò)展了其業(yè)界領(lǐng)先的射頻(RF)IC產(chǎn)品種類(lèi)。ADF7021適合于工作在80 MHz~650 MHz和862 MHz~940 MHz多個(gè)頻帶。ADF7021完全符合歐洲ETSI-300
          • 關(guān)鍵字: ADI  CMOS  IC  單片機(jī)  電源技術(shù)  工業(yè)控制  接收器  靈敏度  模擬技術(shù)  嵌入式系統(tǒng)  收發(fā)器  亞吉赫茲窄帶  工業(yè)控制  

          基于硅MEMS技術(shù)的麥克風(fēng)簡(jiǎn)化音頻設(shè)計(jì)

          • 本文將描述設(shè)計(jì)人員和制造商如何能夠利用基于CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)的下一代麥克風(fēng)來(lái)克服ECM的眾多相關(guān)問(wèn)題。
          • 關(guān)鍵字: 音頻  設(shè)計(jì)  簡(jiǎn)化  麥克風(fēng)  MEMS  技術(shù)  基于  

          集成CMOS對(duì)稱式收/發(fā)開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)

          • 本文分析了影響對(duì)稱式射頻收/發(fā)開(kāi)關(guān)性能的因素,包括柵寬、導(dǎo)通電阻、襯底電阻、柵極電阻等。采用TSMC 0.35m CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)。
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  開(kāi)關(guān)  對(duì)稱  CMOS  集成  

          思比科開(kāi)發(fā)CMOS手機(jī)攝像芯片實(shí)現(xiàn)本土化

          •  北京思比科微電子自主研發(fā)了可廣泛用于汽車(chē)電子、手機(jī)、筆記本攝像頭、醫(yī)療電子等行業(yè)的CMOS攝像芯片。該項(xiàng)技術(shù)擁有6項(xiàng)發(fā)明專利的200萬(wàn)像素CMOS攝像芯片,已通過(guò)了技術(shù)測(cè)試。   思比科200萬(wàn)像素?cái)z像芯片,基于上海中芯國(guó)際0.18微米工藝,從設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)到芯片制造的全部工作均在國(guó)內(nèi)完成,完全實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)化。   思比科表示:“目前,公司已經(jīng)成功研發(fā)出30萬(wàn)像素、130萬(wàn)像素、200萬(wàn)像素等多種CMOS圖像傳感器,300萬(wàn)和500萬(wàn)像素的CMOS圖像傳感器芯片現(xiàn)在已經(jīng)申請(qǐng)國(guó)內(nèi)專利8項(xiàng),準(zhǔn)備申請(qǐng)9項(xiàng)國(guó)內(nèi)專利,出
          • 關(guān)鍵字: CMOS  電源技術(shù)  手機(jī)攝像芯片  思比科  

          靜脈認(rèn)證相機(jī)采用1/6英寸CMOS傳感器

          Sirific推出小尺寸 CMOS多頻段收發(fā)器

          •  3G手機(jī)收發(fā)器的設(shè)計(jì)需要小巧、低功耗、性能優(yōu)良,但也必須能夠以高產(chǎn)量大規(guī)模生產(chǎn)。日前,Sirific Wireless開(kāi)發(fā)單片HSDPA/WCDMA+EDGE(WEDGE)RF收發(fā)器,且在CMOS上完成。   從外型尺寸來(lái)看,Sirific Wireless的設(shè)計(jì)人員滿足了功能不斷加強(qiáng)的3G手機(jī)需求,在芯片上集成眾多功能的同時(shí),將尺寸縮小到7
          • 關(guān)鍵字: CMOS  Sirific  多頻段收發(fā)器  嵌入式系統(tǒng)  

          ADI推出3軸MEMS加速度計(jì)

          •       美國(guó)模擬器件公司發(fā)布為其iMEMS®系列運(yùn)動(dòng)信號(hào)處理產(chǎn)品增加的3軸加速度計(jì)。ADI公司憑借其業(yè)界公認(rèn)的MEMS制造技術(shù)和將MEMS傳感器結(jié)構(gòu)與信號(hào)調(diào)理電路相結(jié)合能力這種專家經(jīng)驗(yàn)將新的ADXL330 3軸加速度計(jì)的功耗電流降低到200 μA(2.0 V電源電壓條件下),這比同類(lèi)器件的功耗典型值低50%,成為同類(lèi)器件中功耗最低的產(chǎn)品??紤]到手機(jī)和其它便攜式消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)要求,ADXL330在采用
          • 關(guān)鍵字: 3軸  ADI  MEMS  加速度計(jì)  

          用CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器

          • 通信用接收器的發(fā)展趨勢(shì)是必需在信號(hào)剛一進(jìn)入接收器信號(hào)通道時(shí)就進(jìn)行取樣,并配備有精確的測(cè)試儀,而要達(dá)到這個(gè)目標(biāo)就要依賴超高速模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器來(lái)實(shí)現(xiàn)。美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體首推的 ADC081000 芯片是一款模擬輸入帶寬高達(dá) 1.8 GHz 的 8 位 1GSPS 模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器,它采用 0.18 微米 (mm) 的互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體 (CMOS) 工藝技術(shù)制造。下文簡(jiǎn)述了結(jié)構(gòu)及動(dòng)作的原理,并較詳細(xì)介紹了上文提到的在動(dòng)作過(guò)程中起什么重要作用。  環(huán)顧目前的市場(chǎng),大部分超高速模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器都采用雙極互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體
          • 關(guān)鍵字: CMOS  

          安捷倫發(fā)布單芯片CMOS圖像傳感器

          •   安捷倫科技有限公司日前推出一款采用增強(qiáng)(EP, Enhanced-Performance)型像素結(jié)構(gòu)的130萬(wàn)像素單芯片CMOS圖像傳感器,它可使手機(jī)和電腦裝置在任何照明環(huán)境下都能拍出更清晰、更生動(dòng)的彩色圖像。這款新型圖像傳感器主要面向高清晰度的百萬(wàn)像素手機(jī)、計(jì)算機(jī)、監(jiān)視系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用,不但可以將噪聲減少十倍,還進(jìn)一步縮小了CMOS和CCD之間圖像質(zhì)量的差距。     這款傳感器采用片上系統(tǒng)圖像處理和JPEG壓縮技術(shù),不必使用占用空間和耗電量大的輔助芯
          • 關(guān)鍵字: CMOS  安捷倫  傳感器  單芯片  圖像  

          ADI推出3軸MEMS加速度計(jì)

          •   美國(guó)模擬器件公司發(fā)布為其iMEMS®系列運(yùn)動(dòng)信號(hào)處理產(chǎn)品增加的3軸加速度計(jì)。ADI公司憑借其業(yè)界公認(rèn)的MEMS制造技術(shù)和將MEMS傳感器結(jié)構(gòu)與信號(hào)調(diào)理電路相結(jié)合能力這種專家經(jīng)驗(yàn)將新的ADXL330 3軸加速度計(jì)的功耗電流降低到200 μA(2.0 V電源電壓條件下),這比同類(lèi)器件的功耗典型值低50%,成為同類(lèi)器件中功耗最低的產(chǎn)品??紤]到手機(jī)和其它便攜式消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)要求,ADXL330在采用小型(4 mm 
          • 關(guān)鍵字: ADI  MEMS  加速度計(jì)  
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