cmos-mems 文章進(jìn)入cmos-mems技術(shù)社區(qū)

模擬IC與數(shù)字IC異同

　　處理連續(xù)性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號(hào)的IC被稱為模擬IC。模擬IC處理的這些信號(hào)都具有連續(xù)性，可以轉(zhuǎn)換為正弦波研究。而數(shù)字IC處理的是非連續(xù)性信號(hào)，都是脈沖方波。　　模擬IC按技術(shù)類型來(lái)分有只處理模擬信號(hào)的線性IC和同時(shí)處理模擬與數(shù)字信號(hào)的混合IC。模擬IC按應(yīng)用來(lái)分可分為標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC和特殊應(yīng)用型模擬 IC。標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC包括放大器(Amplifier)、電壓調(diào)節(jié)與參考對(duì)比(VoltageRegulator/Reference)、信號(hào)界面(Interface)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(Data
關(guān)鍵字：模擬IC CMOS

意法半導(dǎo)體(ST)高能效6軸MEMS傳感器模塊進(jìn)一步推動(dòng)智能手機(jī)升級(jí)為智能個(gè)人助理

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出了高度微型化的新一代6軸MEMS慣性傳感器模塊。新產(chǎn)品采用超低功耗設(shè)計(jì)，有助于強(qiáng)化智能手機(jī)作為“始終開啟”的個(gè)人助理的新角色，提升數(shù)碼相機(jī)、可穿戴式設(shè)備及遙控器、游戲機(jī)、無(wú)人機(jī)和虛擬現(xiàn)實(shí)設(shè)備的使用體驗(yàn)?！　∵B續(xù)情景感知計(jì)算技術(shù)讓智能手機(jī)等設(shè)備能夠?qū)崟r(shí)且智能地響應(yīng)用戶需求，但是要求超低功耗傳感器最大限度地延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間?！　∫夥ò雽?dǎo)體的新產(chǎn)品LSM6DSL和LSM6D
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MEMS

CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理方法

　　本篇文章介紹了在邏輯IC中CMOS和TTL出現(xiàn)多余輸入端的解決方法，并且對(duì)每種情況進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明，希望大家能從本文得到有用的知識(shí)，解決輸入端多余的問(wèn)題?！　MOS門電路　　CMOS門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號(hào)易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法：　　與門和與非門電路　　由
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干貨分享：工程師教你如何設(shè)計(jì)D類放大器

　　D類放大器首次提出于1958年，近些年已逐漸流行起來(lái)。那么，什么是D類放大器?它們與其它類型的放大器相比如何? 為什么D類放大器對(duì)于音頻應(yīng)用很有意義?設(shè)計(jì)一個(gè)“優(yōu)質(zhì)”D類音頻放大器需要考慮哪些因素? 本文中試圖回答上述所有問(wèn)題?！　∫纛l放大器背景　　音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發(fā)聲輸出元件上重新產(chǎn)生真實(shí)、高效和低失真的輸入音頻信號(hào)。音頻頻率范圍約為20 Hz～20 kHz，因此放大器必須在此頻率范圍內(nèi)具有良好的頻率響應(yīng)(當(dāng)驅(qū)動(dòng)頻帶有限的揚(yáng)聲器時(shí)頻率
關(guān)鍵字： D類放大器 CMOS

對(duì)比工業(yè)成像中的CCD及CMOS技術(shù)

在工業(yè)應(yīng)用的成像系統(tǒng)中，CCD是采用定制的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)，高度優(yōu)化于成像應(yīng)用，并需要外部電路將模擬輸出電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)用于后續(xù)處理。具有高效的電子快門能力、寬動(dòng)態(tài)范圍和出色的圖像均勻性。而CMOS圖像傳感器不像CCD將電荷傳送到有限的輸出端，而是放置晶體管在每一像素內(nèi)，來(lái)進(jìn)行電荷——電壓轉(zhuǎn)換。這令電壓在整個(gè)器件中傳輸，使更快和更靈活的圖像讀取成為可能。
關(guān)鍵字：成像系統(tǒng) 圖像傳感器 CCD CMOS 201604

什么是TTL電平、CMOS電平？?jī)烧叩膮^(qū)別

　　TTL電平信號(hào)對(duì)于計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸是很理想的。COMS集成電路的許多基本邏輯單元都是用增強(qiáng)型PMOS晶體管和增強(qiáng)型NMOS管按照互補(bǔ)對(duì)稱形式連接的，下面來(lái)說(shuō)一下兩者的區(qū)別?！　∈裁词荰TL電平　　TTL電平信號(hào)被利用的最多是因?yàn)橥ǔ?shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定，+5V等價(jià)于邏輯"1"，0V等價(jià)于邏輯"0"，這被稱做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號(hào)系統(tǒng)，這是計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)?！　TL電平信號(hào)對(duì)于計(jì)算機(jī)處理器控制
關(guān)鍵字： TTL CMOS

使用模擬開關(guān)實(shí)現(xiàn)信號(hào)復(fù)用

　　要點(diǎn) 　　模擬開關(guān)的主要規(guī)格是電壓、導(dǎo)通電阻、電容、電荷注入、速度和封裝。　　介質(zhì)絕緣工藝可防止一些開關(guān)的閂鎖。　　開關(guān)的工作范圍從直流到 400 MHz ，甚至更高。　　MEMS (微機(jī)電系統(tǒng))開關(guān)在高頻下運(yùn)行良好，但存在可靠性問(wèn)題，并且封裝費(fèi)用昂貴。　　如果您是在仿真一個(gè)模擬開關(guān)，要確保對(duì)全部寄生成分的建模。　　沒有哪個(gè) IC 原理圖符號(hào)能比模擬開關(guān)的符號(hào)更簡(jiǎn)單(圖 1a )。一個(gè)基本開關(guān)僅包括輸入、輸出、控制腳和一對(duì)電源腳。然而，在這簡(jiǎn)單的外觀(圖 1b )后面，隱藏著極
關(guān)鍵字：模擬開關(guān) MEMS

選擇MEMS麥克風(fēng)前置放大應(yīng)用的運(yùn)算放大器

　　麥克風(fēng)前置放大器電路用于放大麥克風(fēng)的輸出信號(hào)來(lái)匹配信號(hào)鏈路中后續(xù)設(shè)備的輸入電平。將麥克風(fēng)信號(hào)電平的峰值與ADC的滿量程輸入電壓匹配能夠最大程度地使用ADC的動(dòng)態(tài)范圍，降低后續(xù)處理可能帶來(lái)的信號(hào)噪聲。　　單個(gè)運(yùn)算放大器可以簡(jiǎn)單地作為MEMS麥克風(fēng)輸出的前置放大器應(yīng)用于電路中。MEMS麥克風(fēng)是一個(gè)單端輸出設(shè)備，因此單個(gè)運(yùn)算放大器級(jí)可用于為麥克風(fēng)信號(hào)增加增益或僅用于緩沖輸出。　　該應(yīng)用筆記包含了設(shè)計(jì)前置放大器時(shí)需要考慮的有關(guān)運(yùn)算放大器規(guī)格的關(guān)鍵內(nèi)容，展示了部分基礎(chǔ)電路，還提供了適合用于前置放大器設(shè)計(jì)
關(guān)鍵字： MEMS 運(yùn)算放大器

Bosch Sensortec：專注傳感器，加速布局可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場(chǎng)

　　2016年3月15日至17日，為期3天的亞太區(qū)電子元器件、組件和系統(tǒng)頂級(jí)專業(yè)展會(huì)—慕尼黑上海電子展在上海新國(guó)際博覽中心開幕?！　∥㈦娮訖C(jī)械(MEMS)傳感器市場(chǎng)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——Bosch?Sensortec攜七款革命性新品參展，展示其在傳感器市場(chǎng)的創(chuàng)新科技。Bosch?Sensortec首席執(zhí)行官兼總經(jīng)理斯特凡·芬克貝納博士和Bosch?Sensortec亞太區(qū)總裁百里博先生亦在展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)分享了傳感器市場(chǎng)的最新趨勢(shì)和領(lǐng)先科技，以及博世未來(lái)在傳感器領(lǐng)域的發(fā)展戰(zhàn)略?！　≡谶^(guò)去的十
關(guān)鍵字：博世傳感，MEMS，物聯(lián)網(wǎng)

芯片光傳輸突破瓶頸頻寬密度增加10~50倍

　　整合光子與電子元件的半導(dǎo)體微芯片可加快資料傳輸速度、增進(jìn)效能并減少功耗，但受到制程方面的限制，一直無(wú)法廣泛應(yīng)用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國(guó)加州大學(xué)柏克萊分校、科羅拉多大學(xué)和麻省理工學(xué)院研究人員發(fā)表的論文，表示已成功利用現(xiàn)有CMOS標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片。　　據(jù)HPC Wire網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，這顆整合7，000萬(wàn)個(gè)電晶體和850個(gè)光子元件的芯片，采用商業(yè)化的45納米SOI CMOS制程制作，與現(xiàn)有的設(shè)計(jì)和電子設(shè)計(jì)工具均相容，因此可以大量生產(chǎn)。芯片內(nèi)建的光電發(fā)射器和接收器
關(guān)鍵字：芯片 CMOS

使用CMOS集成電路需要注意的幾個(gè)問(wèn)題

　　集成電路按晶體管的性質(zhì)分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長(zhǎng)，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應(yīng)注意以下幾個(gè)問(wèn)題。　　1、電源問(wèn)題　　(1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當(dāng)應(yīng)用電路中有門電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線性放大)時(shí)，最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
關(guān)鍵字： CMOS 集成電路

CSTIC 2016：半導(dǎo)體是推動(dòng)技術(shù)革新的核心基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)

　　技術(shù)的革新進(jìn)步改變著當(dāng)今世界日常生活的方方面面。3月13日-14日，2016年中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)(CSTIC 2016)在上海國(guó)際會(huì)議中心隆重舉行。與SEMICON China 2016同期舉辦CSTIC 2016是中國(guó)最大的半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)，成為國(guó)內(nèi)探討先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的年度盛會(huì)。CSTIC由SEMI和IEEE-EDS主辦，ICMTIA協(xié)辦，由長(zhǎng)電科技、中芯國(guó)際、愛德萬(wàn)測(cè)試等企業(yè)聯(lián)合贊助。　　大會(huì)特別邀請(qǐng)STM副總裁、MEMS傳感器事業(yè)部總經(jīng)理Andrea Onetti、英特爾高級(jí)研究員Dr.
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2016慕尼黑上海電子展：博世新品報(bào)道

　　2016慕尼黑上海電子展 (electronica China) 和慕尼黑上海電子生產(chǎn)設(shè)備展 (productronica China) 將于2016年3月15-17日在上海新國(guó)際博覽中心E1,E2,E3,E4和W1,W2館舉辦，展會(huì)將涵蓋集成電路、電子元器件、組件及生產(chǎn)設(shè)備，全方位展示電子產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。　　本屆展覽規(guī)模和品質(zhì)將再次升級(jí)，來(lái)自20個(gè)國(guó)家的1,100多家展商集聚一堂，展示面積達(dá)62,000平方米，預(yù)計(jì)有超過(guò)56,000名的行
關(guān)鍵字：博世 MEMS

關(guān)于電路的那些常識(shí)性概念

　　一.TTL　　TTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V電源?！　?.輸出高電平Uoh和輸出低電平Uol　　Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V　　2.輸入高電平和輸入低電平　　Uih≥2.0V，Uil≤0.8V　　二.CMOS　　CMOS電路是電壓控制器件，輸入電阻極大，對(duì)于干擾信號(hào)十分敏感，因此不用的輸入端不應(yīng)開路，接到地或者電源上。CMOS電路的優(yōu)點(diǎn)是噪聲容限較寬，靜態(tài)功耗很小。　　
關(guān)鍵字： TTL CMOS

歐盟為5G打造III-V族CMOS技術(shù)

　　歐盟(E.U.)最近啟動(dòng)一項(xiàng)為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術(shù)整合III-V族奈米半導(dǎo)體”(INSIGHT)研發(fā)計(jì)劃，這項(xiàng)研發(fā)經(jīng)費(fèi)高達(dá)470萬(wàn)美元的計(jì)劃重點(diǎn)是在標(biāo)準(zhǔn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道。其最終目的則在于符合未來(lái)的5G規(guī)格要求，以及瞄準(zhǔn)頻寬更廣、影像解析度更高的雷達(dá)系統(tǒng)。　　除了IBM (瑞士)，該計(jì)劃將由德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固態(tài)物理研究所Fraunhofer IAF、法國(guó)LETI、瑞典隆德大學(xué)(Lund Universi
關(guān)鍵字： 5G CMOS