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耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品
- 功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零時，功率MOSFET需要作為?！伴_”開關(guān)運行。在VGS=0V時作為常 "開 "開關(guān)的功率MOSFET，稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零
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安森美(onsemi)M3S EliteSiC MOSFET讓車載充電器升級到800V電池架構(gòu)
- 自電動汽車 (EV) 在汽車市場站穩(wěn)腳跟以來，電動汽車制造商一直在追求更高功率的傳動系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時間。為滿足客戶需求和延長行駛里程，電動汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時間就越長。最常見的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場所充電。這兩種情況對電動汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無法在一整夜后就為電動汽車充滿電。工作場所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時間可能會成為
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動器使用指南
- SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動器）的使用指南。本文為第三部分，將重點介紹NCP517
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Nexperia擴充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列
- 奈梅亨，2023年6月21日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布擴充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現(xiàn)在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設(shè)計。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務(wù)器、工業(yè)、開關(guān)電源、快充、USB-PD和電機控制應(yīng)用。 長期以來，品質(zhì)因數(shù)Qg*RDSon一直是半導(dǎo)體制造商提高MOSFET開關(guān)效率的重點。然而，一味地降低該品質(zhì)因數(shù)導(dǎo)致產(chǎn)生了意外后果
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采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機設(shè)計要點
- 近年來，為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機能效的強制性規(guī)定應(yīng)運而生。經(jīng)改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計方法通過改良設(shè)計提高了能效和功率密度。逆變焊機通常是通過IGBT功率模塊解決方案設(shè)計來實現(xiàn)更高輸出功率，從而幫助降低節(jié)能焊機的成本、重量和尺寸[1]。在焊機行業(yè)，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進持續(xù)發(fā)展的推動力。譬如，多個標(biāo)準(zhǔn)法規(guī)已經(jīng)或即將強制規(guī)
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干貨 | MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理詳解
- 01?概述MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。功率場效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,簡稱功率MOSFET（Power MOSFET）。結(jié)型功率場效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管（Sta
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用于車載充電器應(yīng)用的1200 V SiC MOSFET模塊使用指南
- 隨著電動汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關(guān)頻率發(fā)展，對 SiC MOSFET 的需求也在增長。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經(jīng)上市，工程師也在利用它們的性能優(yōu)勢設(shè)計 OBC 系統(tǒng)。要注意的是，PFC 拓撲結(jié)構(gòu)的變化非常顯著。設(shè)計人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無橋 PFC 拓撲，因為它有著卓越的開關(guān)性能和較小的反向恢復(fù)特性。眾所周知，使用 SiC MOSFET 模塊可提供電氣和熱性能以及功率密度方面的優(yōu)勢。安森美 (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技術(shù)的汽
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三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds？
- MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？三極管ON狀態(tài)時工作于飽和區(qū)，導(dǎo)通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅(qū)動電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡單的僅 由Vce來決定，即不能采用飽和Rc
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中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通過技術(shù)鑒定
- 近日，中國電科55所牽頭研發(fā)的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術(shù)及應(yīng)用”成功通過技術(shù)鑒定。鑒定委員會認為，該項目技術(shù)難度大，創(chuàng)新性顯著，總體技術(shù)達到國際先進水平。該項目聚焦新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅芨呖煽刻蓟鐼OSFET器件自主創(chuàng)新的迫切需求，突破多項關(guān)鍵工藝技術(shù)，貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產(chǎn)業(yè)鏈量產(chǎn)平臺，國內(nèi)率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅MOSFET器件，實現(xiàn)新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域碳化硅MOSFET批量供貨，有力保障碳化硅功率器件供
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SMPD先進絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢
- SMPD可用于標(biāo)準(zhǔn)拓撲結(jié)構(gòu)，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定制的組合。它們可用于各種技術(shù)產(chǎn)品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅，或定制組合，具有從40V到3000V不同電壓等級。ISOPLUS - SMPD 及其優(yōu)勢SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device)，是先進的頂部散熱絕緣封裝，由IXYS（現(xiàn)在是Littelfuse公司的一部分）在2012年開發(fā)。SMPD只有硬幣大小，具有幾項關(guān)鍵優(yōu)勢：·
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安森美與Kempower就電動汽車充電樁達成戰(zhàn)略協(xié)議
- 2023 年 5 月 16 日—智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），宣布與Kempower達成戰(zhàn)略協(xié)議，將為Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二極管，用于可擴展的電動汽車（EV）充電樁。雙方此項合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC產(chǎn)品在內(nèi)的各種功率半導(dǎo)體技術(shù)，開發(fā)電動汽車充電方案套件。這些器件將用于有源AC-DC前端以及初級側(cè)和次級側(cè)的DC-DC轉(zhuǎn)換器。 安森美為Kempower 的Satellit
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英飛凌的 CoolSiC? XHP? 2 高功率模塊助力推動節(jié)能電氣化列車低碳化
- 【2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】為了實現(xiàn)全球氣候目標(biāo)，交通運輸必須轉(zhuǎn)用更加環(huán)保的車輛，比如節(jié)能的電氣化列車。然而，列車運行有苛刻的運行條件，需要頻繁加速和制動，且要在相當(dāng)長的使用壽命內(nèi)可靠運行。因此，它們需要采用具備高功率密度、高可靠性和高質(zhì)量的節(jié)能牽引應(yīng)用。 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）為了滿足上述需求，在其 CoolSiC? 功率模塊產(chǎn)品組合中增加了兩款新產(chǎn)品：FF2000UXTR33T2M1 和 FF2600UXTR33T2M
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Nexperia首創(chuàng)交互式數(shù)據(jù)手冊，助力工程師隨時隨地分析MOSFET行為
- 奈梅亨，2023年5月11日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數(shù)據(jù)手冊，大幅提升了對半導(dǎo)體工程師的設(shè)計支持標(biāo)準(zhǔn)。通過操作數(shù)據(jù)手冊中的交互式滑塊，用戶可以手動調(diào)整其電路應(yīng)用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀察器件的工作點如何動態(tài)響應(yīng)這些變化。 這些交互式數(shù)據(jù)手冊使用Nexperia的高級電熱模型計算器件的工作點，可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶界面。此外，工程師借助這些交互式數(shù)據(jù)手冊可以即時查看柵極電壓、漏極電流、RDS(o
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