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          三極管用飽和Rce,而MOSFET用飽和Vds?

          • MOSFET和三極管,在ON 狀態(tài)時(shí),MOSFET通常用Rds,三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過(guò)來(lái)的情況,三極管用飽和Rce,而MOSFET用飽和Vds呢?MOSFET和三極管,在ON 狀態(tài)時(shí),MOSFET通常用Rds,三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過(guò)來(lái)的情況,三極管用飽和Rce,而MOSFET用飽和Vds呢?三極管ON狀態(tài)時(shí)工作于飽和區(qū),導(dǎo)通電流Ice主要由Ib與Vce決定,由于三極管的基極驅(qū)動(dòng)電流Ib一般不能保持恒定,因而Ice就不能簡(jiǎn)單的僅 由Vce來(lái)決定,即不能采用飽和Rc
          • 關(guān)鍵字: 三極管  MOSFET  

          如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模塊,打造充電更快的車載充電器?

          • 要能快速高效地為電動(dòng)車更大的電池充電,電動(dòng)車才能在市場(chǎng)普及并發(fā)展。2021 年,市場(chǎng)上排名前 12 位的電動(dòng)汽車的平均電池容量為 80 kW-hr。消費(fèi)者主要在家中使用車輛的車載充電器(OBC) 進(jìn)行充電。為確保合理的車輛充電時(shí)間,OEM 還將 OBC 的功率容量從 6.6 kW 提高到 11 kW,甚至高達(dá) 22 kW。使用 6.6 kW OBC 時(shí),這些電動(dòng)汽車需要 12.1 小時(shí)才能充滿電。而將 OBC 功率增加到 11 kW 后,充電時(shí)間縮短至 7.3 小時(shí),而使用 22 kW OBC 時(shí),只需
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  車載充電器  

          中國(guó)電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通過(guò)技術(shù)鑒定

          • 近日,中國(guó)電科55所牽頭研發(fā)的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術(shù)及應(yīng)用”成功通過(guò)技術(shù)鑒定。鑒定委員會(huì)認(rèn)為,該項(xiàng)目技術(shù)難度大,創(chuàng)新性顯著,總體技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。該項(xiàng)目聚焦新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅芨呖煽刻蓟鐼OSFET器件自主創(chuàng)新的迫切需求,突破多項(xiàng)關(guān)鍵工藝技術(shù),貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產(chǎn)業(yè)鏈量產(chǎn)平臺(tái),國(guó)內(nèi)率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅MOSFET器件,實(shí)現(xiàn)新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域碳化硅MOSFET批量供貨,有力保障碳化硅功率器件供
          • 關(guān)鍵字: 中國(guó)電科  55所  碳化硅  MOSFET  

          SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)

          • SMPD可用于標(biāo)準(zhǔn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如降壓、升壓、橋臂(phase-leg),甚至是定制的組合。它們可用于各種技術(shù)產(chǎn)品,如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅,或定制組合,具有從40V到3000V不同電壓等級(jí)。ISOPLUS - SMPD 及其優(yōu)勢(shì)SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device),是先進(jìn)的頂部散熱絕緣封裝,由IXYS(現(xiàn)在是Littelfuse公司的一部分)在2012年開發(fā)。SMPD只有硬幣大小,具有幾項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì):· 
          • 關(guān)鍵字: Littelfuse  SMPD  MOSFET  

          安森美與Kempower就電動(dòng)汽車充電樁達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議

          • 2023 年 5 月 16 日—智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),宣布與Kempower達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議,將為Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二極管,用于可擴(kuò)展的電動(dòng)汽車(EV)充電樁。雙方此項(xiàng)合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC產(chǎn)品在內(nèi)的各種功率半導(dǎo)體技術(shù),開發(fā)電動(dòng)汽車充電方案套件。這些器件將用于有源AC-DC前端以及初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)的DC-DC轉(zhuǎn)換器。  安森美為Kempower 的Satellit
          • 關(guān)鍵字: 安森美  Kempower  充電樁  EliteSiC MOSFET  電動(dòng)汽車快充  

          英飛凌的 CoolSiC? XHP? 2 高功率模塊助力推動(dòng)節(jié)能電氣化列車低碳化

          • 【2023 年 5 月 12 日,德國(guó)慕尼黑訊】為了實(shí)現(xiàn)全球氣候目標(biāo),交通運(yùn)輸必須轉(zhuǎn)用更加環(huán)保的車輛,比如節(jié)能的電氣化列車。然而,列車運(yùn)行有苛刻的運(yùn)行條件,需要頻繁加速和制動(dòng),且要在相當(dāng)長(zhǎng)的使用壽命內(nèi)可靠運(yùn)行。因此,它們需要采用具備高功率密度、高可靠性和高質(zhì)量的節(jié)能牽引應(yīng)用。 英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)為了滿足上述需求,在其 CoolSiC? 功率模塊產(chǎn)品組合中增加了兩款新產(chǎn)品:FF2000UXTR33T2M1 和 FF2600UXTR33T2M
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  CoolSiC  高功率模塊  節(jié)能電氣化列車  

          Nexperia首創(chuàng)交互式數(shù)據(jù)手冊(cè),助力工程師隨時(shí)隨地分析MOSFET行為

          • 奈梅亨,2023年5月11日:基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數(shù)據(jù)手冊(cè),大幅提升了對(duì)半導(dǎo)體工程師的設(shè)計(jì)支持標(biāo)準(zhǔn)。通過(guò)操作數(shù)據(jù)手冊(cè)中的交互式滑塊,用戶可以手動(dòng)調(diào)整其電路應(yīng)用的電壓、電流、溫度和其他條件,并觀察器件的工作點(diǎn)如何動(dòng)態(tài)響應(yīng)這些變化。 這些交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)使用Nexperia的高級(jí)電熱模型計(jì)算器件的工作點(diǎn),可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶界面。此外,工程師借助這些交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)可以即時(shí)查看柵極電壓、漏極電流、RDS(o
          • 關(guān)鍵字: Nexperia  交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)  MOSFET   

          MOSFET電路不可不知

          • MOSFET已成為最常用的三端器件,給電子電路界帶來(lái)了一場(chǎng)革命。沒(méi)有MOSFET,現(xiàn)在集成電路的設(shè)計(jì)似乎是不可能的。它們非常小,制造過(guò)程非常簡(jiǎn)單。由于MOSFET的特性,模擬電路和數(shù)字電路都成功地實(shí)現(xiàn)了集成電路,MOSFET電路可以從大信號(hào)模型小信號(hào)模型兩種方式進(jìn)行分析。大信號(hào)模型是非線性的。它用于求解器件電流和電壓的de值。小信號(hào)模型可以在大信號(hào)模型線性化的基礎(chǔ)上推導(dǎo)出來(lái)。截止區(qū)、三極管區(qū)和飽和區(qū)是MOSFET的三個(gè)工作區(qū)。當(dāng)柵源電壓(VGS)小于閾值電壓(Vtn)時(shí),器件處于截止區(qū)。當(dāng)MOSFET用作
          • 關(guān)鍵字: 雷卯  MOSFET  

          SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

          • 碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計(jì)者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。先進(jìn)的器件設(shè)計(jì)都會(huì)非常關(guān)注導(dǎo)通電阻,將其作為特定技術(shù)的主要基準(zhǔn)參數(shù)。然而,工程師們必須在主要性能指標(biāo)(如電阻和開關(guān)損耗),與實(shí)際應(yīng)用需考慮的其他因素(如足夠的可靠性)之間找到適當(dāng)?shù)钠胶?。?yōu)秀的器件應(yīng)該允許一定的設(shè)計(jì)自由度,以便在不對(duì)工藝和版圖進(jìn)行重大改變的情況下適應(yīng)各種工況的需要。然而,關(guān)鍵的性能指標(biāo)仍然是盡可能低的比電阻,并結(jié)合其他重要的參數(shù)。圖1顯示了我們認(rèn)為必不可少的幾個(gè)標(biāo)準(zhǔn),或許還
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  SiC  MOSFET  

          功率半導(dǎo)體“放量年”,IGBT、MOSFET與SIC的思考

          • 4月24日,東芝電子元器件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社宣布,在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導(dǎo)體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。施工將分兩個(gè)階段進(jìn)行,第一階段的生產(chǎn)計(jì)劃在2024財(cái)年內(nèi)開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓,以應(yīng)對(duì)人員的增加。此外,今年2月下旬,日經(jīng)亞洲報(bào)道,東芝計(jì)劃到2024年將碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)量增加3倍以上,到2026年增加10倍。而據(jù)日媒3月16日最新消息,東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節(jié),布局完成后將形成:外延設(shè)備+外
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  IGBT  MOSFET  SIC  

          優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)

          • 在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下簡(jiǎn)稱“SiC”)MOSFET 有明顯的優(yōu)勢(shì)。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻(數(shù)百千赫茲)開關(guān),但它們不能用于非常高的電壓(>1 000 V)。而IGBT 雖然可以在高壓下使用,但其 “拖尾電流 “和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美,可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而,SiC MOSFET 的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后,設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性
          • 關(guān)鍵字: SiC MOSFET  柵極驅(qū)動(dòng)  安森美  

          ROHM開發(fā)出超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET

          • 新推出40V~150V耐壓的共13款產(chǎn)品,非常適用于工業(yè)設(shè)備電源和各種電機(jī)驅(qū)動(dòng)全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產(chǎn)品(40V/60V/80V/100V/150V),這些產(chǎn)品非常適合驅(qū)動(dòng)以24V、36V、48V級(jí)電源供電的應(yīng)用,例如基站和服務(wù)器用的電源、工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備用的電機(jī)等。近年來(lái),全球電力需求量持續(xù)增長(zhǎng),如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題,這就要求不斷提高各種電機(jī)和基站、服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備的工作
          • 關(guān)鍵字: ROHM  超低導(dǎo)通電阻  Nch MOSFET  

          Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級(jí)碳化硅 MOSFET

          • 【2023 年 4 月 13 日美國(guó)德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品:DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應(yīng)、直流對(duì)直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)車 (EV) 電池充電器等應(yīng)用,對(duì)更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達(dá) 37A) 的條件下運(yùn)作,同時(shí)維持低導(dǎo)
          • 關(guān)鍵字: Diodes  碳化硅 MOSFET  

          基于Infineon S7 MOSFET 主動(dòng)式電源整流方案

          • 因應(yīng)日趨嚴(yán)苛的能源效率規(guī)范,特別是像server power的應(yīng)用,從白金效率甚至是鈦金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET,提供在靜態(tài)切換的應(yīng)用場(chǎng)合,減少功率損耗以提升效率,特別是針對(duì)高輸出功率的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。S7系列MOSFET應(yīng)用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系統(tǒng)效率,與傳統(tǒng)bridge diode相比,在230Vac輸入時(shí)在50% load約可提高0.5%,而115Vac輸入時(shí)在50% load約可提高1%。利用JRC NJ393C OP比較器搭
          • 關(guān)鍵字: Infineon  S7 MOSFET  電源整流  

          同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)出色低噪聲特性和超快反向恢復(fù)時(shí)間的600V耐壓Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”

          • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)在其600V耐壓Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS?”產(chǎn)品陣容中,又新增“R60xxRNx系列”3款新產(chǎn)品,非常適用于冰箱和換氣扇等對(duì)低噪聲特性要求很高的小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)。近年來(lái),全球電力供應(yīng)日趨緊張,這就要求設(shè)備要更加節(jié)能。據(jù)了解,電機(jī)所需的電力占全球電力總需求的50%左右。因此,在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中擔(dān)負(fù)功率轉(zhuǎn)換工作的逆變電路,越來(lái)越多地開始采用高效率MOSFET。另一方面,針對(duì)使用MOSFET時(shí)所產(chǎn)生的噪聲,主要通過(guò)添加部件和改變
          • 關(guān)鍵字: 超快反向恢復(fù)時(shí)間  Super Junction MOSFET  MOSFET  
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