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基于FPGA與SDRAM的數(shù)字電視信號(hào)采集系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

要FPGA與的數(shù)字信號(hào)采集系統(tǒng)?？梢蕴峁┐笕萘康拇鎯?chǔ)空間。提供優(yōu)秀的系統(tǒng)適應(yīng)能力。該方案通過(guò)計(jì)算機(jī)并口實(shí)現(xiàn)與計(jì)算機(jī)的通信 ,但是高性能的邏輯分析儀
關(guān)鍵字： SDRAM FPGA 數(shù)字電視信號(hào) 采集系統(tǒng)

SDRAM電路設(shè)計(jì)詳解

介紹SDRAM電路設(shè)計(jì)之前先了解下SDRAM的尋址原理。SDRAM內(nèi)部是一個(gè)存儲(chǔ)陣列，可以把它想象成一個(gè)表格，和表格的檢索原理一樣，先指定行，再指定列，就可
關(guān)鍵字： SDRAM 電路設(shè)計(jì) 尋址原理存儲(chǔ)單元

DDR硬件設(shè)計(jì)要點(diǎn)都在這里

　　DDR硬件設(shè)計(jì)要點(diǎn)　　1. 電源 DDR的電源可以分為三類：　　a主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個(gè)電源使用?！　∮械男酒€有VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。電源設(shè)計(jì)時(shí)，需要考慮電壓，電流是否滿足要求，電源的上電順序和電源的上電時(shí)間，單調(diào)性等。電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片，及芯片個(gè)數(shù)等進(jìn)行計(jì)算。由于DDR的電流一般都比較大，所以P
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DDR內(nèi)存的發(fā)展簡(jiǎn)史：和三星有關(guān)

　　DDR的種類：　　1、DDR SDRAM：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器;　　2、DDR2 SDRAM：Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory，第二代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器;　　3、DDR3 SDRAM：Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Ra
關(guān)鍵字： DDR 三星

一文看懂ARM里的RAM和SDRAM有什么區(qū)別

　　本文主要介紹的是ARM里的RAM和SDRAM有什么區(qū)別，首先介紹了RAM的類別及特點(diǎn)，其次對(duì)SDRAM做了詳細(xì)闡述，最后介紹了RAM和SDRAM的區(qū)別是什么?！　AM介紹　　Random-Access Memory(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個(gè)很重要的部分，就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，對(duì)于計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō)，有了存儲(chǔ)器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器[或者內(nèi)存儲(chǔ)器和外存儲(chǔ)器]，主存儲(chǔ)器簡(jiǎn)稱內(nèi)存，內(nèi)存在電腦中起
關(guān)鍵字： ARM SDRAM

國(guó)產(chǎn)內(nèi)存即將到來(lái) 可業(yè)內(nèi)卻判DDR死刑

似乎中國(guó)已經(jīng)要趕上國(guó)外主流水準(zhǔn)，但是業(yè)內(nèi)卻傳出DDR內(nèi)存已經(jīng)過(guò)時(shí)，新的內(nèi)存即將取代，這無(wú)疑給國(guó)內(nèi)的DDR內(nèi)存制造廠商當(dāng)頭一棒。
關(guān)鍵字：內(nèi)存 DDR

控制DDR線長(zhǎng)匹配來(lái)保證時(shí)序，在PCB設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)該這么做！

　　DDR布線在PCB設(shè)計(jì)中占有舉足輕重的地位，設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵就是要保證系統(tǒng)有充足的時(shí)序裕量。要保證系統(tǒng)的時(shí)序，線長(zhǎng)匹配又是一個(gè)重要的環(huán)節(jié)。我們來(lái)回顧一下，DDR布線，線長(zhǎng)匹配的基本原則是：地址，控制/命令信號(hào)與時(shí)鐘做等長(zhǎng)。數(shù)據(jù)信號(hào)與DQS做等長(zhǎng)。為啥要做等長(zhǎng)?大家會(huì)說(shuō)是要讓同組信號(hào)同時(shí)到達(dá)接收端，好讓接收芯片能夠同時(shí)處理這些信號(hào)。那么，時(shí)鐘信號(hào)和地址同時(shí)到達(dá)接收端，波形的對(duì)應(yīng)關(guān)系是什么樣的呢?我們通過(guò)仿真來(lái)看一下具體波形?！　〗⑷缦峦ǖ?，分別模擬DDR3的地址信號(hào)與時(shí)鐘信號(hào)?！　?nbsp;
關(guān)鍵字： PCB DDR

SDRAM知多少？

　　SDRAM　　SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，同步是指內(nèi)存工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn);動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來(lái)保證數(shù)據(jù)不丟失;隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)，而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫?！　∷^的影響性能是并不是指SDRAM的帶寬，頻率與位寬固定后，帶寬也就不可更改了。但這是理想的情況，在內(nèi)存的工作周期內(nèi)，不可能總處于數(shù)據(jù)傳輸?shù)臓顟B(tài)，因?yàn)橐?/li>
關(guān)鍵字： SDRAM

TB容量再升級(jí) 看西部數(shù)據(jù)有啥絕活

　　自從收購(gòu)SanDisk(閃迪)依賴，西部數(shù)據(jù)就開始“名正言順”地進(jìn)入消費(fèi)級(jí)固態(tài)存儲(chǔ)市場(chǎng)。與仍保持SanDisk品牌的移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品不同，SanDisk的SSD產(chǎn)品已經(jīng)改頭換面，成為西部數(shù)據(jù)品牌下的產(chǎn)品。如果說(shuō)去年所推出的第一代Blue(藍(lán)盤)還有著深厚的SanDisk時(shí)代烙印，那么新一代產(chǎn)品則完全誕生于西部數(shù)據(jù)的體系，SanDisk已經(jīng)成為其產(chǎn)品的部分零部件供應(yīng)商。　　到目前為止，SSD仍缺乏普及的基礎(chǔ)，沒(méi)有了諸如4K視頻這樣強(qiáng)烈需求的推動(dòng)，同時(shí)還有利潤(rùn)更高的手機(jī)搶資源，一年
關(guān)鍵字：西部數(shù)據(jù) SDRAM

DDR布線舉足輕重，一文看懂背后的大學(xué)問(wèn)

　　DDR布線在PCB設(shè)計(jì)中占有舉足輕重的地位，設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵就是要保證系統(tǒng)有充足的時(shí)序裕量。要保證系統(tǒng)的時(shí)序，線長(zhǎng)匹配又是一個(gè)重要的環(huán)節(jié)。我們來(lái)回顧一下，DDR布線，線長(zhǎng)匹配的基本原則是：地址，控制/命令信號(hào)與時(shí)鐘做等長(zhǎng)。數(shù)據(jù)信號(hào)與DQS做等長(zhǎng)。為啥要做等長(zhǎng)?大家會(huì)說(shuō)是要讓同組信號(hào)同時(shí)到達(dá)接收端，好讓接收芯片能夠同時(shí)處理這些信號(hào)。那么，時(shí)鐘信號(hào)和地址同時(shí)到達(dá)接收端，波形的對(duì)應(yīng)關(guān)系是什么樣的呢?我們通過(guò)仿真來(lái)看一下具體波形。　　建立如下通道，分別模擬DDR3的地址信號(hào)與時(shí)鐘信號(hào)?！　?nbsp;
關(guān)鍵字： DDR 布線

DDR布線舉足輕重，一文看懂背后的大學(xué)問(wèn)

DDR布線在PCB設(shè)計(jì)中占有舉足輕重的地位，設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵就是要保證系統(tǒng)有充足的時(shí)序裕量。要保證系統(tǒng)的時(shí)序，線長(zhǎng)匹配又是一個(gè)重要的環(huán)節(jié)。我們來(lái)回顧一下，DDR布線，線長(zhǎng)匹配的基本原則是：地址，控制/命令信號(hào)與時(shí)鐘做等長(zhǎng)。
關(guān)鍵字： DDR PCB DQS

基于ARM9的USB設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

USB(Universal Serial Bus)是通用串行總線的縮寫，因其具有方便易用，動(dòng)態(tài)分配帶寬，容錯(cuò)性優(yōu)越和高性價(jià)比等特點(diǎn)，現(xiàn)已成為計(jì)算機(jī)的主流接口。
關(guān)鍵字： USB CPU NANDFlash SDRAM

基于MIMO技術(shù)的視頻緩存器設(shè)計(jì)方案

隨著高速處理器的不斷發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用的領(lǐng)域越來(lái)越廣泛，高速大容量緩存器被廣泛應(yīng)用于音視頻系統(tǒng)中，然而專用的高速大容量緩存芯片價(jià)格過(guò)于昂貴，傳統(tǒng)SDRAM在帶寬上已經(jīng)逐漸無(wú)法滿足應(yīng)用.
關(guān)鍵字： MIMO技術(shù) 視頻緩存器 DDR

SDRAM控制器的設(shè)計(jì)與VHDL實(shí)現(xiàn)

介紹了SDRAM的存儲(chǔ)體結(jié)構(gòu)、主要控制時(shí)序和基本操作命令，并且結(jié)合實(shí)際系統(tǒng)，給出了一種用FPGA實(shí)現(xiàn)的通用SDRAM控制器的方案。
關(guān)鍵字： VHDL 狀態(tài)機(jī) SDRAM

基于CPLD的SDRAM控制器的設(shè)計(jì)

SDRAM的讀寫邏輯復(fù)雜，最高時(shí)鐘頻率達(dá)100 MHz以上，普通單片機(jī)無(wú)法實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的SDRAM控制操作，復(fù)雜可編程邏輯器件CPLD具有編程方便，集成度高，速度快，價(jià)格低等優(yōu)點(diǎn)。因此選用CPLD設(shè)計(jì)SDRAM接口控制模塊，簡(jiǎn)化主機(jī)對(duì)SDRAM的讀寫控制。通過(guò)設(shè)計(jì)基于CPLD的SDRAM控制器接口，可以在STM系列、ARM系列、STC系列等單片機(jī)和DSP等微處理器的外部連接SDRAM，增加系統(tǒng)的存儲(chǔ)空間。
關(guān)鍵字：刷新時(shí)序 CPLD SDRAM