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DDR的前世與今生（一）
- DDR SDRAM全稱為Double Data Rate SDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”。DDR是在原有的SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來(lái)，嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR。 說(shuō)到這里，很多人可能會(huì)問(wèn)SDRAM、DRAM、SRAM或者RAM、ROM到底是什么鬼，怎么區(qū)別的?小編還是來(lái)簡(jiǎn)單普及下關(guān)于存儲(chǔ)的基礎(chǔ)知識(shí)吧。 ROM 和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM是只讀存儲(chǔ)器(Read-Only Memory)的簡(jiǎn)稱，是一種只能讀出事先
- 關(guān)鍵字： DDR DRAM
信號(hào)在PCB走線中傳輸時(shí)延
- 信號(hào)在媒質(zhì)中傳播時(shí)，其傳播速度受信號(hào)載體以及周圍媒質(zhì)屬性決定。在PCB(印刷電路板)中信號(hào)的傳輸速度就與板材DK(介電常數(shù))，信號(hào)模式，信號(hào)線與信號(hào)線間耦合以及繞線方式等有關(guān)。隨著PCB走線信號(hào)速率越來(lái)越高，對(duì)時(shí)序要求較高的源同步信號(hào)的時(shí)序裕量越來(lái)越少，因此在PCB設(shè)計(jì)階段準(zhǔn)確知道PCB走線對(duì)信號(hào)時(shí)延的影響變的尤為重要。本文基于仿真分析DK，串?dāng)_，過(guò)孔，蛇形繞線等因素對(duì)信號(hào)時(shí)延的影響。 1.引言 信號(hào)要能正常工作都必須滿足一定的時(shí)序要求，隨著信號(hào)速率升高，數(shù)字信號(hào)的發(fā)展經(jīng)歷了從共同步時(shí)鐘到
- 關(guān)鍵字： PCB DDR
是德科技于 DesignCon 展會(huì)上展示高速數(shù)字設(shè)計(jì)與測(cè)試解決方案
- 是德科技公司日前在 DesignCon 2015 展會(huì)上展示其高速數(shù)字解決方案。本屆展會(huì)于 1 月 28 日到 29 日在美國(guó)加州圣克拉拉會(huì)展中心舉行，是德科技展位設(shè)于第 725 號(hào)展臺(tái)。是德科技非常自豪能夠接替其前身惠普公司和安捷倫公司，繼續(xù)擔(dān)任 DesignCon 展會(huì)的發(fā)起方和主辦方。一年一度的 DesignCon 展會(huì)即將迎來(lái)其 20 周年紀(jì)念日。作為主要面向高速通信和半導(dǎo)體行業(yè)中的芯片、電路板和系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師的一項(xiàng)活動(dòng)，它已成為行業(yè)中最重要的展會(huì)。 是德科技將展出眾多仿真、建模、測(cè)試和
- 關(guān)鍵字： 是德科技 DDR
DDR Memory 系統(tǒng)裕量的特性化研究
- Memory是系統(tǒng)運(yùn)行和性能的核心。設(shè)計(jì)人員需要更好地了解內(nèi)存子系統(tǒng)，以優(yōu)化系統(tǒng)吞吐能力。 如今Memory炙手可熱。最近在加利福尼亞州舉行的2014 MemCon盛況空前，展廳里展示了幾乎所有關(guān)于Memory的產(chǎn)品，參會(huì)的人也熱情高漲。 會(huì)議主題是，是否有更為行之有效的方法來(lái)特性化分析DDR Memory的系統(tǒng)裕量。尤其是DDR子系統(tǒng)(DDR controller, PHY和 I/O))被嵌入到芯片用于承擔(dān)處理器和外部DDR存儲(chǔ)器之間的數(shù)據(jù)交互任務(wù)，這使得這種分析變得更加困難。 要知道，
- 關(guān)鍵字： MEMCON Memory DDR-SDRAM
達(dá)成最佳效能/成本的服務(wù)器ASIC IP與系統(tǒng)整合實(shí)現(xiàn)40nm高成本效益制造
- 彈性客制化IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠商(Flexible ASIC Leader™)創(chuàng)意電子(Global Unichip Corp.，GUC)與高度創(chuàng)新的fabless Soc – centric IC芯片設(shè)計(jì)公司, 信驊科技(ASPEED Technology, Inc.)采用業(yè)界第一個(gè)以臺(tái)積電公司40nm低功耗(Low Power，LP)工藝節(jié)點(diǎn)的DDR3/4 PHY，大幅加速了一遠(yuǎn)程管理控制器的系統(tǒng)設(shè)計(jì), 此控制器用于服務(wù)器及桌面虛擬化。 創(chuàng)意電子的DDR 3/4 PHY為業(yè)
- 關(guān)鍵字： 創(chuàng)意電子 ASIC DDR
8位1.0GSPS ADC芯片MXT2001原理與應(yīng)用
- 高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)被廣泛運(yùn)用在高速測(cè)試設(shè)備，高速雷達(dá)，衛(wèi)星接收機(jī)，高速成像系統(tǒng)，高速存儲(chǔ)設(shè)備等領(lǐng)域，作為模擬信號(hào)與數(shù)字信號(hào)的接口發(fā)揮著重要的作用。目前，隨著我國(guó)信息化技術(shù)的不斷深入，主流的電子產(chǎn)品加速由MHz頻段向GHz頻段推進(jìn)，迫切需要采樣率為1GSPS以上的高速采樣ADC，以滿足不斷提高的系統(tǒng)速度和實(shí)時(shí)采樣要求。
- 關(guān)鍵字： ADC GSPS MXT2001 模擬信號(hào) DDR 201311
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DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存
嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，部分初學(xué)者也?？吹紻DR SDRAM，就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對(duì)于內(nèi)存廠商而言，只需對(duì)制造普通SD [ 查看詳細(xì) ]
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