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          DRAM價格跌至新低 分析師稱還可能進一步下滑

          • 據國外媒體報道,所有想為自己電腦增加更多內存的人都贏得了來自DRAM行業(yè)的禮物--激烈競爭使得內存價格猛跌,行業(yè)分析師預測,DRAM價格還將進一步下降。  使用最廣泛的512MB DDR2 667MHz芯片的合約價格已比兩周前下跌了12.5%,周二時跌至1.75美元,創(chuàng)下了DRAMeXchange今年記錄的新低。DRAMeXchange公司運營一家對內存芯片進行網上交易的網站。  這條重大新聞將對用戶產生三個重大影響:第一,DRAM價格下跌將增加惠普和戴爾這類電腦制
          • 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機  DRAM  DDR  DDR2  存儲器  

          DDR內存接口的設計與實現(xiàn)

          • 針對當今電子系統(tǒng)對高速大容量內存的需要,本文闡述了使用DDR控制器IP核來設計實現(xiàn)DDR內存接口的方法。
          • 關鍵字: DDR  內存  接口的設計    

          丹納赫傳動宣布專利Cartridge DDR現(xiàn)有五種不同框架尺寸供應

          • 2007年6月8日,全球領先的運動控制解決方案提供商——丹納赫傳動(Danaher Motion)公司宣布,其創(chuàng)新的Cartridge DDR™系列直接驅動旋轉伺服電機(CDDR)新添三種小框架的新產品,因此,現(xiàn)共有4.25平方英寸到13.78平方英寸五種框架尺寸的CDDR電機供應,每種尺寸各有四個鐵心長度。CDDR是直接驅動技術中非常特別的一種,其特點在于采用預制零部件、完整的工廠對準型高分辨率反饋裝置和獨特的無軸承設計,確保可以在30分鐘內實現(xiàn)即裝即用,且沒有維護成本。
          • 關鍵字: Cartridge  DDR  丹納赫  消費電子  消費電子  

          低成本DDR內存電源設計

          • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
          • 關鍵字: NCP1570  NCP1571  ONSEMICONDUCTOR  DDR  

          采用FPGA IP實現(xiàn)DDR的讀寫控制的設計與驗證

          • 摘要: 本文采用LatticeXP系列FPGA結合IP解決DDR RAM的讀寫控制。并且在硬件上面進行了實際測試。關鍵詞: 嵌入式系統(tǒng);DDR RAM;FPGA;IP;LattcieXP 前言隨著高速處理器的不斷發(fā)展,嵌入式系統(tǒng)應用的領域越來越廣泛,數字信號處理的規(guī)模也越來越大,系統(tǒng)中RAM規(guī)模不斷增加,比如視頻監(jiān)控、圖像數據采集等領域,圖像處理的實時性對RAM帶寬的要求不斷增加,傳統(tǒng)的SDRAM在帶寬上已經逐漸無法滿足應用要求,DDR SDRAM(雙倍速率SDRAM)采用在時鐘CL
          • 關鍵字: 0702_A  DDR  FPGA  IP  LattcieXP  RAM  單片機  嵌入式系統(tǒng)  雜志_設計天地  存儲器  

          減少DDR記憶體驗負載的探測技術

          •   DDR內存已成為系統(tǒng)DRAM的主要技術,而DDR系統(tǒng)的驗證則是新的數字系統(tǒng)設計最具挑戰(zhàn)性且費時的工作之一。邏輯分析儀是協(xié)助工程師驗證這些系統(tǒng)的重要工具,但在成本與空間的限制下,邏輯分析儀探測技術變成了一個值得深思的問題。   理想上,DDR的可測試性應成為最終設計的一部份,以利于在測試臺進行系統(tǒng)的驗證,因為在整個產品生命周期中的工程設計與委外代工都會增加成本。然而礙于邏輯分析儀探測點的電氣負載與空間需求,這種作法直到今天仍不可行。新的免接頭式邏輯分析儀探測技術使DDR可測試性得以結合到產品的最初與最終
          • 關鍵字: DDR  測量  測試  

          端接DDR DRAM的電源電路

          •     DDR(雙數據速率)DRAM應用于工作站和服務器的高速存儲系統(tǒng)中。存儲器IC采用1.8V或2.5V電源電壓,并需要等于電源電壓一半的基準電壓(VREF=VDD/2)。此外,各邏輯輸出端都接一只電阻器,等于并跟蹤VREF的終端電壓VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同時,必須提供源流或吸收電流。圖1所示電路可為1.8V和2.5V兩種存儲器系統(tǒng)提供終端電壓,并可輸出高達6A的電流。IC1有一個降壓控制器和2個線性穩(wěn)壓控制器。IC1在輸入電壓為4.5~28V下工作。
          • 關鍵字: 電源電路  DDR  DRAM  存儲器  

          存儲器類型綜述及DDR接口設計的實現(xiàn)

          • 電子系統(tǒng)設計師很少考慮他們下一個設計中元器件的成本,而更關注它們能夠達到的最高性能。
          • 關鍵字: DDR  存儲器  接口設計    

          可以消除開關噪聲的DDR內存系統(tǒng)電源

          • 本設計介紹了一種應用于DDR內存系統(tǒng)的獨特、低成本的電源電路。常規(guī)DDR內存系統(tǒng)包括一個雙反向轉換器和一個輸出參考電壓。與常規(guī)設計不同,本文用線性調節(jié)器代替反向轉換器,見圖1,具有消除PWM轉換器開關噪聲的優(yōu)點。DDR內存系統(tǒng)要求穩(wěn)定的2.5V主電源(VDD)、端電壓(VTT)和參考電壓(VREF),其中VDD、VTT可引出和吸收電流,,這些要求給電源設計者帶來新挑戰(zhàn)。本電路中,低壓同步反向器產生8A,2.5V的主電源VDD輸出,VTT和VREF通過運放的線性調節(jié)設計實現(xiàn)。電路專門為低功耗DDR系統(tǒng)(如p
          • 關鍵字: DDR  存儲器  
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          ddr介紹

           DDR=Double Data Rate雙倍速內存   嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM,人們習慣稱為DDR,部分初學者也??吹紻DR SDRAM,就認為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫,是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發(fā)展而來的,仍然沿用SDRAM生產體系,因此對于內存廠商而言,只需對制造普通SD [ 查看詳細 ]

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