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          365天:DRAM產(chǎn)業(yè)從地獄到天堂

          •   2009年DRAM產(chǎn)業(yè)在地獄和天堂里各走一遭,年初1顆DRAM均價還在0.5美元,當(dāng)時生產(chǎn)成本還在2美元,可見虧損有多嚴(yán)重,各廠只好宣布停工、減產(chǎn),巨額虧損的問題延伸至臺、美、日DRAM廠大整合階段,也演變成國與國之間的戰(zhàn)爭。但到了年底,DRAM廠又開始生龍活虎起來,中間歷程看似短短 365天,但個中辛酸DRAM廠冷暖自知,未來各界看好DRAM產(chǎn)業(yè)有2年的好光景,終于擺脫地獄魔咒,前進(jìn)在通往天堂的路上。   365天之間可以發(fā)生多少事?它可以讓平均每天虧損新臺幣1億元、每1季虧損超過百億元的DRAM
          • 關(guān)鍵字: Microsoft  DRAM  DDR  

          泰克為DDR測試和驗證解決方案系列增加兩項新功能

          •   泰克公司日前宣布增強(qiáng)和升級其業(yè)界領(lǐng)先的DDR測試和驗證解決方案系列。用于泰克TLA7000系列邏輯分析儀的新型內(nèi)插器為工程師提供了最新DDR3-1867標(biāo)準(zhǔn)的總線捕捉和分析功能。新型內(nèi)插器大大降低了TLA7000系列的DDR3測試成本,使存儲器總線捕捉功能能為更多的設(shè)計人員所使用。泰克同時還為DDR標(biāo)準(zhǔn)最新的節(jié)能版LP-DDR2推出業(yè)內(nèi)第一款電氣接口測試和驗證解決方案。這些新功能完善了泰克全面而廣泛的DDR存儲器解決方案,為驗證和改善工程師的設(shè)計提供幫助。   DDR3-1867是最新一代雙倍數(shù)
          • 關(guān)鍵字: 泰克  DDR  TLA7000  

          DDR存儲器電氣特性驗證

          • 在本應(yīng)用文章中,描述了與DDR相關(guān)的許多測試挑戰(zhàn),并提出了驗證和調(diào)試存儲器設(shè)計的工具。
          • 關(guān)鍵字: DDR  存儲器  電氣特性    

          電源管理IC是DDR SDRAM存儲器的理想選擇(二)

          • 與其它存儲器技術(shù)相比,DDRSDRAM具有出眾性能、很低的功耗以及更具競爭力的成本。可與以前的SDRAM技術(shù)相...
          • 關(guān)鍵字: 電源管理IC  DDR  SDRAM  存儲器  便攜設(shè)備  

          電源管理IC是DDR SDRAM存儲器的理想選擇

          • 與其它存儲器技術(shù)相比,DDRSDRAM具有出眾性能、很低的功耗以及更具競爭力的成本??膳c以前的SDRAM技術(shù)相...
          • 關(guān)鍵字: 電源管理IC  DDR  SDRAM  存儲器  便攜設(shè)備  

          泰克推出第三代經(jīng)過驗證的DDR分析軟件產(chǎn)品

          •   全球領(lǐng)先的測試、測量和監(jiān)測儀器提供商--泰克公司日前宣布,為DPO/DSA70000B系列和DPO7000系列示波器推出第三代經(jīng)過驗證的DDR分析軟件產(chǎn)品(DDRA選件)。泰克DDR測試解決方案支持DDR、DDR2、DDR3、LP-DDR和GDDR3的全部速度,同時覆蓋了物理層和數(shù)字域。泰克公司還為DDR3存儲器設(shè)計推出一套新的擁有Nexus Technology技術(shù)的球柵陣列(BGA)元件內(nèi)插器(Interposers),改善了連接能力。泰克系列邏輯分析儀、示波器和探測系統(tǒng)共同構(gòu)成了DDR設(shè)計和測試
          • 關(guān)鍵字: tektronix  示波器  DPO/DSA70000B  DPO7000  DDR  

          一種基于DDR高速圖像緩存的實現(xiàn)

          • 隨著半導(dǎo)體傳感器技術(shù)的發(fā)展,在實際應(yīng)用中越來越多地用到了高幀頻、大面陣的CCD相機(jī)以獲取高質(zhì)量、高分辨率的圖像數(shù)據(jù)。以分辨率為1K×1K、幀頻為200f/s、8bit灰度級的相機(jī)為例,其圖像數(shù)據(jù)流速率就將高達(dá)200MB/s,
          • 關(guān)鍵字: 實現(xiàn)  圖像  高速  DDR  基于  DDR存儲控制器  高速緩存  FIFO  

          Spartan-3A 的 DDR 2 接口數(shù)據(jù)采集

          • 1引言DDR2(DoubleDataRate2)SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會)制定的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),它與上一...
          • 關(guān)鍵字: DDR  FPGA  接口  數(shù)據(jù)采集  

          嵌入式DDR息線的布線分析與設(shè)計

          NAND閃存的下一個熱點:性能

          •   利用50-40nm的工藝制程節(jié)點,NAND閃存密度已達(dá)到16 GB/D及超過2B/C多級單元(MLC)技術(shù)。盡管位元密度強(qiáng)勁增長,但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內(nèi)。由于數(shù)字內(nèi)容需要的增長,公司更加重視改進(jìn)NAND閃存裝置的編譯和讀取性能,使其比特更高和性能更快,以滿足消費者的需要。再加上存儲產(chǎn)品價格急劇下降,高比特高性能已成為各個公司努力追求的方向。         2008年國際固態(tài)電路會議的論文和2007
          • 關(guān)鍵字: NAND  柵極感應(yīng)  DDR  MLC  MLC  

          TI推出新一代 3A DDR 端接穩(wěn)壓器

          •   日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款可滿足 DDR、DDR2、 DDR3 與 DDR4 等各種低功耗存儲器終端電源管理要求的汲極/源極雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器 TPS51200。該簡便易用的新型穩(wěn)壓器的陶瓷輸出電容僅為 20 μF,比同類競爭解決方案的電容降低了近 80%。這樣,設(shè)計人員可利用該器件實現(xiàn)更低成本、更小型化的 DDR 存儲器終端解決方案,以滿足數(shù)字電視、機(jī)頂盒、VGA 卡、電信、數(shù)據(jù)通信、筆記本以及臺式機(jī)電腦等現(xiàn)代大容量存儲器電子產(chǎn)品以及日益豐富的消費類電子產(chǎn)品的需求。
          • 關(guān)鍵字: TI  穩(wěn)壓器  存儲器  DDR  

          Maxim推出用于DDR高速緩沖存儲器電池備份的集成電源管理IC

          •   Maxim推出用于DDR高速緩沖存儲器電池備份的集成電源管理IC DS2731。該PMIC集成了單節(jié)Li+電池充電器、控制系統(tǒng)電源和電池電源切換的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、以及用于“調(diào)節(jié)”DDR存儲器電源的2MHz同步降壓調(diào)節(jié)器。這種空前的高度集成特性省去了現(xiàn)有方案中15個以上的分立元件,從而節(jié)省了成本和空間。DS2731能夠兼容DDRII和DDRIII中的PCI Express® 12V電源,非常適合用于RAID服務(wù)器/系統(tǒng)存儲卡、板載RAID (ROMB)以及板載模塊化RAID
          • 關(guān)鍵字: Maxim  DDR  存儲器  電源管理  IC  

          基于FPGA的DDR SDRAM控制器在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用

          • 實現(xiàn)數(shù)據(jù)的高速大容量存儲是數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的一項關(guān)鍵技術(shù)。本設(shè)計采用Altera公司Cyclone系列的FPGA完成了對DDR SDRAM的控制,以狀態(tài)機(jī)來描述對DDR SDRAM的各種時序操作,設(shè)計了DDR SDRAM的數(shù)據(jù)與命令接口。用控制核來簡化對DDR SDRAM的操作,并采用自頂至下模塊化的設(shè)計方法,將控制核嵌入到整個數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的控制模塊中,完成了數(shù)據(jù)的高速采集、存儲及上傳。使用開發(fā)軟件Quartus II中內(nèi)嵌的邏輯分析儀SignalTap II對控制器的工作流程進(jìn)行了驗證和調(diào)試。最終采集到的
          • 關(guān)鍵字: FPGA  DDR SDRAM  數(shù)據(jù)采集  

          針對DDR供電 飛思卡爾推出全線電源芯片產(chǎn)品

          •   模擬市場正在茁壯成長,按照12%的年復(fù)增長率估算,將超過許多其他的數(shù)字IC市場。在這樣的發(fā)展速度下,據(jù)預(yù)測,模擬市場將在2012年達(dá)到680億美元,屆時將實現(xiàn)近1390億的出貨量。亞太地區(qū)是模擬市場的最大消費區(qū)域,但設(shè)計和生產(chǎn)遍布在世界各地。   模擬市場是一個高度競爭的市場,一些供應(yīng)商只關(guān)注特定的產(chǎn)品,而另一些則進(jìn)行全面組合,以覆蓋各個領(lǐng)域的特色模擬產(chǎn)品,事實上,新興業(yè)務(wù)已經(jīng)加速發(fā)展。模擬領(lǐng)域有大量的新業(yè)務(wù)出現(xiàn),尤其是在研發(fā)新技術(shù)方面,但是進(jìn)入這一領(lǐng)域的門檻依然很高,由于工程人才,渠道力量和全球?qū)?/li>
          • 關(guān)鍵字: DDR  飛思卡爾  200802  

          集邦:9月下旬DRAM合約價格預(yù)計下滑10%

          • DRAM現(xiàn)貨市場需求不佳,整體報價呈現(xiàn)下跌的情形。DDR2512Mb667MHz下跌幅度達(dá)7.8%,價格下跌至1.54美元。其余顆粒報價皆呈現(xiàn)微幅下跌,DDR2eTT下跌至1.31美元。 8月以來由于市場需求不振以及買賣雙方抱持觀望的態(tài)度,使得價格持續(xù)緩跌。然而當(dāng)DDR2eTT價格跌破5月低點后,部分分銷商及模塊廠開始備貨,使得現(xiàn)貨價格出現(xiàn)反彈,間接帶動了些許買氣。而合約市場方面,由于現(xiàn)貨價格快速下跌,加上PCOEM廠商已經(jīng)備足旺季所需的庫存水位,因此部份OEM廠商于9月上旬所談妥的合約數(shù)量有砍單的動作。
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  DRAM  DDR  DDR2  MCU和嵌入式微處理器  
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          ddr介紹

           DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存   嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,部分初學(xué)者也??吹紻DR SDRAM,就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫,是雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對于內(nèi)存廠商而言,只需對制造普通SD [ 查看詳細(xì) ]

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